专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]LED装置及制造LED装置的方法-CN202180067477.X在审
  • 朱彤彤;刘颖俊;穆罕默德·阿里 - 波拉科技有限公司
  • 2021-08-04 - 2023-06-23 - H01L33/16
  • 一种制造LED装置的方法包括步骤:在III族‑氮化物材料的多孔区域上方形成III族‑氮化物材料的n掺杂连接层;在该n掺杂连接层上形成第一电绝缘掩模层;移除该第一掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第一暴露区域;在该n掺杂连接层的该第一暴露区域上形成配置成以第一发射波长发光的第一LED结构;在该第一LED结构及该n掺杂连接层上方形成第二电绝缘掩模层;移除该第二掩模层的一部分以暴露该n掺杂连接层的第二暴露区域;及在该n掺杂连接层的该第二暴露区域上形成被配置成以与第一发射波长不同的第二发射波长发光的第二LED结构。本文还提供了LED装置、LED的阵列及三色LED装置。
  • led装置制造方法
  • [发明专利]一种外延片、制备方法及发光二极管-CN202310352331.0在审
  • 向炯;王子荣;卢建航;张锦宏;王农华 - 广东中图半导体科技股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-05-16 - H01L33/16
  • 本发明公开了一种外延片、制备方法及发光二极管。外延片包括:衬底,衬底一侧设置有多个凸起结构,凸起结构呈周期排布,相邻凸起结构之间形成凹坑结构,相邻凹坑结构相连;第一缓冲层,位于靠近凹坑结构一侧;无掺杂GaN层,位于第一缓冲层远离衬底一侧;无掺杂GaN层内存在至少一种凹形微结构,同一种凹形微结构呈周期排布;沿垂直于衬底的方向,至少部分凹形微结构与凸起结构至少部分交叠;位于无掺杂GaN层远离衬底一侧依次设置的N型GaN层、多量子阱有源层、第二缓冲层和P型GaN层。通过在无掺杂GaN层中引入凹形微结构,降低后续生长GaN层中的位错密度和应力释放,改善晶体质量,提高出光效率。
  • 一种外延制备方法发光二极管
  • [发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法-CN202080102059.5在审
  • 平野光;长泽阳祐 - 创光科学株式会社
  • 2020-06-24 - 2023-02-03 - H01L33/16
  • 氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部,n型层以n型AlGaN系半导体构成,活性层包含以AlGaN系半导体构成的1层以上的阱层,p型层以p型AlGaN系半导体构成,n型层与活性层内的各半导体层具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层,n型层具有多个第1Ga富化区域,该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域且包含AlGaN组成比为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域,阱层具有在阱层内AlN摩尔分数局部为低的第2Ga富化区域,在第2Ga富化区域内,存在AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga2N3的AlGaN区域。
  • 氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法
  • [发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN202080102072.0在审
  • 平野光;长泽阳祐 - 创光科学株式会社
  • 2020-06-24 - 2023-02-03 - H01L33/16
  • 氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部,峰值发光波长在300nm~327nm的范围内,n型层以n型AlGaN系半导体构成,包含GaN系半导体所构成的1层以上的阱层,p型层以p型AlGaN系半导体构成,n型层与活性层内的各半导体层是具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层,n型层具有包含AlGaN组成比成为整数比的Al1Ga1N2的n型AlGaN区域的多个第1Ga富化区域,该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域,n型层内的所述层状区域以外的n型主体区域的AlN摩尔分数在54%~66%的范围内。
  • 氮化物半导体紫外线发光元件
  • [发明专利]红色LED和制造方法-CN202180019222.6在审
  • 穆罕默德·阿里;刘颖俊;朱彤彤 - 波拉科技有限公司
  • 2021-01-22 - 2022-10-18 - H01L33/16
  • 一种红色发光二极管(LED)包括:n掺杂部分;p掺杂部分;以及位于n掺杂部分与p掺杂部分之间的发光区域。发光区域包括:发光氮化铟镓层,其在跨越其的电偏压下发射峰值波长在600nm至750nm之间的光;III族氮化物层,其位于发光氮化铟镓层上;以及III族氮化物势垒层,其位于III族氮化物层上,并且发光二极管包括III族氮化物材料的多孔区域。还提供了红色小型LED、红色微型LED、微型LED阵列、以及制造红色LED的方法。
  • 红色led制造方法
  • [发明专利]一种用于制造红光Micro-LED的氮化物薄膜结构-CN202210354691.X在审
  • 高江东;樊琦;张建立;王小兰;郑畅达;王立 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
  • 2022-04-06 - 2022-09-20 - H01L33/16
  • 本发明公开了一种用于制造红光Micro‑LED的氮化物薄膜结构,晶圆作为制造该氮化物薄膜结构的衬底,且晶圆的表面法向与表面晶向之间的夹角为1.0至3.0°,薄膜表面及内部含有台阶形状的层堆叠,所述层堆叠包括:掺Si层、发光量子阱层和掺Mg层。所述台阶形状是由自然生长得到,大小不一、形状不规则,分布均匀,单个台阶由台阶平台和台阶侧壁构成,台阶平台和台阶侧壁之间具有一定夹角,其夹角在90°±10°之间。本发明的优点是:(1)用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时具有较低的工作电压;(2)用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在工作时,侧表面及其附近的非辐射复合较少,电‑光转换的量子效率较高;(3)用该氮化物薄膜制备的红光Micro‑LED在薄膜面内不同位置上均具有稳定的性能。
  • 一种用于制造红光microled氮化物薄膜结构
  • [发明专利]RAMO4-CN201810467353.0有效
  • 上田章雄 - 松下电器产业株式会社
  • 2018-05-16 - 2022-07-26 - H01L33/16
  • 本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置,该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向,能够使III族氮化物半导体台阶流动生长。为了实现上述目的,设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板,通式中,R表示从Sc、In、Y、及镧系元素中选择的一个或多个三价元素,A表示从Fe(III)、Ga、及Al中选择的一个或多个三价元素,M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、及Cd中选择的一个或多个二价元素。RAMO4基板的主表面具有从C面相对于M轴方向倾斜θa°的偏离角a,并满足0.05°≤|θa|≤0.8°。
  • ramobasesub
  • [发明专利]一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管-CN202110509350.0有效
  • 张雄;徐珅禹;胡国华;崔一平 - 东南大学
  • 2021-05-11 - 2022-07-01 - H01L33/16
  • 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管,由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层,能够从空间上限制电子进入有源区的数量,并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层,所以能够增加了空穴的注入率,使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平,可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率,从而提高发光二极管的性能。
  • 一种具有极性电子阻挡发光二极管
  • [发明专利]LED元件及其制造方法-CN202111448950.7在审
  • 石原邦亮 - 优志旺电机株式会社
  • 2021-12-01 - 2022-06-03 - H01L33/16
  • 在与生长基板不同的支承基板上形成外延层而成的LED元件中,抑制支承基板的背面侧的碎屑的出现。LED元件具备:由Si构成的支承基板;形成于支承基板的上层、且由金属材料构成的接合层;形成于接合层的上层的n型或p型的第一半导体层;形成于第一半导体层的上层的活性层;以及形成于活性层的上层、且与第一半导体层的导电型不同的第二半导体层。支承基板以(001)面为一个主面,呈具有与[110]方向实质上平行的边和与[1‑10]方向实质上平行的边的矩形板状。第二半导体层以(001)面为一个主面,该第二半导体层的[110]方向或[1‑10]方向相对于支承基板的[110]方向实质上平行。
  • led元件及其制造方法

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