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[发明专利]过流水消杀模组-CN202310898716.7在审
发明人：姜小山;何国才;许献忠;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种过流水消杀模组，包括进水口，过流水消杀模组还包括流速检测模块、MCU控制模块、驱动控制模块以及电流调节模块，其中，流速检测模块用于检测流经进水口的待测水体在当前时刻的流速值，MCU控制模块用于判断流速值是否大于0，并生成相应的控制指令，驱动控制模块用于根据MCU控制模块的控制指令产生驱动信号，电流调节模块用于在接收驱动信号后，调节过流水消杀模组的驱动电流大小，以使过流水消杀模组在工作状态时的杀菌率大于或者等于99.9％；本发明提供的过流水消杀模组的驱动电流能够根据进水口的流速值进行自适应调整的同时，保证过流水消杀模组在工作状态时的杀菌率大于或者等于99.9％。
流水模组

[发明专利]一种深紫外灯管-CN202310784228.3在审
发明人：白生茂;李磅;金利;许璐;王磊;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外灯管，包括窗口部件、散热部件、第一接线柱以及第二接线柱，散热部件位于窗口部件上方，第一接线柱与窗口部件的第一端固定连接，第二接线柱与窗口部件的第二端固定连接，窗口部件、散热部件、第一接线柱以及第二接线柱之间组成一密闭腔体，密闭腔体内设置有多个发光二极管芯片，其中，多个发光二极管芯片固定于窗口部件上靠近散热部件的一侧，每个发光二极管芯片为倒装结构或者垂直结构，每个发光二极管芯片的电极所处面和出光面分别分布在两个对立面，且发光二极管芯片的出光面朝向所述窗口部件设置；本发明提供的深紫外灯管通过将多个发光二极管芯片固定于窗口部件上靠近散热部件的一侧，以使发光二极管芯片发射的光线直接从窗口部件上远离散热部件的一侧射出，减少了紫外光从发光二极管芯片到空气介质全反射引起的光损失，进而提高了深紫外灯管的发光效率。
一种深紫灯管

[实用新型]一种发光装置-CN202320345913.1有效
发明人：李磅;白生茂;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光装置，包括基板、发光器件、覆盖窗以及密封组件，基板具有向上表面开口的凹部，发光器件收纳在凹部中，覆盖窗覆盖凹部的开口，密封组件用于将基板与覆盖窗之间进行密封，其中，密封组件包括位于覆盖窗与基板的上表面之间的第一粘合层以及围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合的第二粘合层；本实用新型提供的发光装置通过将第二粘合层围绕覆盖窗设置且与覆盖窗的四边粘合，以使第二粘合层完全粘合第一粘合层、覆盖窗以及基板三者形成的交界面，从而提高了发光装置的气密性，避免外部的水汽容易通过上述交界面渗透至发光装置的产品内部，进而避免影响发光器件的发光性能。
一种发光装置

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法-CN202310343483.4在审
发明人：张爽;汪少伟;权薛玲 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法。通过将n区两侧进行凹槽刻蚀，削弱了器件内波导区的光子损耗。同时缓解了电流拥堵效应，降低了器件的工作电压和延长了器件的使用寿命。同时将反射结构制备在凹槽区域上，进一步提高了器件的光提取效率。
一种紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备-CN202211589541.3在审
发明人：张爽;罗红波;张会雪;张毅 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备，包括：N型(Al)GaN本征层，用于传导光子；缓冲层，用于生长所述N型(Al)GaN本征层，并传导所述N型(Al)GaN本征层的光子；衬底层，用于生长所述缓冲层，并传导所述缓冲层的光子；刻蚀区，用于提取所述N型(Al)GaN本征层内的光子，所述刻蚀区设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述缓冲层之间，或，设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述衬底层之间，且所述刻蚀区的N区接触表面设置有多个第一粗化单元，所述N区接触表面处于所述N型(Al)GaN本征层与空气层的第一表面交界处。通过设置刻蚀区使光子在刻蚀区侧壁反射，设置第一粗化单元可以改变层级内的反射角，减少层级内光子损耗，增加进入刻蚀区的光子数，提高光电转换效率。
一种紫外 led 器件制备方法相关设备

[发明专利]一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备-CN202211584581.9在审
发明人：张爽;罗红波;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外LED器件、一种紫外LED器件制备方法及相关设备，包括：N型(Al)GaN本征层，用于传导光子；缓冲层，用于生长所述N型(Al)GaN本征层，并传导所述N型(Al)GaN本征层的光子；衬底层，用于生长所述缓冲层，并传导所述缓冲层的光子；刻蚀区，用于提取所述N型(Al)GaN本征层内的光子，所述刻蚀区设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述缓冲层之间，或，设置于所述N型(Al)GaN本征层与所述衬底层之间，且所述刻蚀区的侧壁表面设置有多个粗化单元。通过设置刻蚀区可使光子在刻蚀区的侧壁进行反射，减少在某一层级内的全反射的损耗量，提高出光率，并在侧壁表面设置粗化单元，增加进入刻蚀区的光子数，可以进一步提高紫外LED器件的出光量和光电转换效率，进而可以提高实用性。
一种紫外 led 器件制备方法相关设备

[发明专利]一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法-CN202211679980.3在审
发明人：白生茂;李磅;许璐;金利;王磊;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管的封装结构及其制备方法，包括封装支架和深紫外发光二极管芯片，封装支架包括凹槽，深紫外发光二极管芯片位于凹槽内，其中，封装支架还包括焊盘组件以及设置于焊盘组件上的金属镀层，金属镀层用于将深紫外发光二极管芯片与焊盘组件焊接，金属镀层在焊盘组件上的正投影与焊盘组件重合；本发明提供的深紫外发光二极管的封装结构通过金属镀层将深紫外发光二极管芯片与焊盘组件焊接，且金属镀层在焊盘组件上的正投影与焊盘组件重合，以在后续焊接工艺中避免产生焊料残留于深紫外发光二极管芯片的侧面，从而避免深紫外发光二极管芯片发生漏电短路现象，进而提高了深紫外发光二极管的封装结构的生产良率。
一种深紫发光二极管封装结构及其制备方法

[实用新型]一种空气循环消杀设备-CN202222745951.4有效
发明人：许献忠;罗成文;陈景文 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F24F8/80 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种空气循环消杀设备，包括外箱体、分隔板、紫外线杀菌灯以及风扇，外箱体具有一消毒腔以及连通消毒腔的进风口和出风口，分隔板内置于消毒腔内并与外箱体内壁固定连接，分隔板将消毒腔分隔成多段依次连通的消毒区，多个紫外线杀菌灯与外箱体内壁固定连接并分别朝向各个消毒区，用以对消毒区内的空气杀菌消毒；风扇内置于消毒腔内。与现有技术相比，本实用新型提供的空气循环消杀设备利用分隔板分隔消毒腔成多段依次连通的消毒区，在不扩大外箱体外尺寸的前提下，延长了消毒腔的实际消杀长度；同时弯折的消毒区对空气产生减速效果，进一步延长了空气在消毒腔内停留时间，确保了消杀效果。
一种空气循环设备

[实用新型]一种空调消杀模组及空调消杀机构-CN202222892978.6有效
发明人：许献忠;姜小山;罗成文 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F24F8/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空调消杀模组及空调消杀机构，包括：杀菌灯组件、壳体组件及封堵组件，壳体组件的内部开设有用于容纳杀菌灯组件的密封腔，且壳体组件的一侧开设有与密封腔相连通的出光孔，用于允许杀菌灯组件所产生的光线通过，封堵组件包括封堵件支撑部，封堵件具有透光性，且封堵件相对出光孔设置，并密封连接于壳体组件，用于封堵出光孔，支撑部设置于封堵件和杀菌灯组件之间，并与杀菌灯组件和封堵件均相抵接，且支撑部开设有允许杀菌灯组件所产生的光线通过的出光通道。本实用新型能解决因水经杀菌灯与壳体之间的间隙进入杀菌模组的内部，从而导致杀菌模组内部电气元件无法正常工作的问题。
一种空调模组杀机

[发明专利]一种深紫外发光二极管的封装结构-CN202211703424.5在审
发明人：白生茂;李磅;许璐;金利;王磊;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光二极管的封装结构，封装结构包括封装支架和覆盖窗，覆盖窗设置于封装支架的上方且与封装支架之间形成密闭腔体，密闭腔体内设置有一个发光二极管芯片组和一个齐纳二极管，发光二极管芯片组包括至少两个发光二极管芯片，其中，封装支架靠近覆盖窗的一侧表面包括电路连接层，发光二极管芯片组内的多个发光二极管芯片通过电路连接层串联连接，发光二极管芯片组还通过电路连接层与齐纳二极管并联连接；本发明提供的深紫外发光二极管的封装结构使深紫外发光二极管芯片的最低工作电压增加的同时，防止多个串联连接的发光二极管芯片被静电击伤，进而减小了深紫外发光二极管的封装结构的电功率。
一种深紫发光二极管封装结构

[发明专利]一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法-CN202211585212.1在审
发明人：张爽;张会雪;罗红波 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法，其中，所述发光二极管器件，包括：衬底基板；发光功能单元，设置在衬底基板的一侧；发光功能单元的侧壁并靠近衬底基板的一端设置有接触槽；发光功能单元的侧壁与衬底基板的夹角小于90°；N型电极，设置在接触槽的槽口边缘、侧壁和/或底部；P型电极，设置在发光功能单元远离衬底基板的一侧。本发明的可降低了器件电压，提高了光提取效率。
一种紫外发光设备发光二极管器件及其制造方法

[发明专利]发光装置的制备方法及治具组件-CN202310180330.2在审
发明人：李磅;许璐;金利;王磊;白生茂;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置的制备方法及治具组件，上述制备方法通过采用载体治具将覆盖窗转移至基板上，并使覆盖窗与基板通过密封组件粘接，之后通过脱模治具将基板与载体治具分离，以得到发光装置，相对于传统采用人工手动将覆盖窗与基板粘合的方法，本发明提供的制备方法可以精简人力和优化流程，提高了发光装置的封装效率的同时，避免了因人工操作失误导致发光装置的气密性较差的问题；另外，本发明提供的治具组件可以精简人力和优化流程，提高了发光装置的封装效率和减少了劳动力的投入，在一定程度上提高了生产效率、降低了生产成本、提升了企业竞争力。
发光装置制备方法组件

[发明专利]紫外发光二极管及其制造方法-CN202211584855.4在审
发明人：张爽;张会雪;罗红波;张毅 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。该紫外发光二极管包括衬底、外延层、第二图形化N型层和第二图形化P型层，外延层包括依次层叠在衬底上的缓冲层、第一N型层、多量子阱层和第一P型层，第一P型层上开设有延伸至第一N型层的第一凹槽，第一凹槽内的第一N型层上开设有向衬底延伸的第二凹槽；第二图形化N型层位于第一凹槽槽底和/或第二凹槽槽底的第一N型层上；第二图形化P型层位于第一凹槽外的第一P型层上。通过设置第一凹槽和第二凹槽，并采用第二图形化N型层和第二图形化P型层替代原有的N型电极和P型电极结构，可以削弱器件内部的光子全反射效应与吸收损耗，提高紫外LED的光提取效率。
紫外发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种光学检测方法及光学检测装置、电子设备-CN202211319167.5在审
发明人：李龙;罗红波;陈景文;王永忠 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种光学检测方法及光学检测装置、电子设备，该方法包括：获取待测目标样品的实际发光图形，比较实际发光图形与参考发光图形之间的匹配度是否低于预设值，若匹配度低于预设值，根据匹配度确定对应的目标样品的位置坐标，根据位置坐标将对应的目标样品剔除；上述方法通过根据实际发光图形与参考发光图形之间的匹配度，确定在匹配度小于预设值时对应的目标样品的位置坐标，进而根据位置坐标将对应的目标样品剔除，从而能够在封装工艺前去除异常目标样品，进而能够低成本地、高效率地、高准确度地保证目标样品发光的完整性，进一步提高了倒装发光二极管芯片的生产良率。
一种光学检测方法装置电子设备

[发明专利]一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法-CN202211312151.1在审
发明人：张爽;杨一鸣;张会雪;罗红波 -专利权人： 湖北深紫科技有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光设备、发光二极管器件及其制造方法，其中所述发光二极管器件，包括：衬底基板；发光功能层，设置在衬底基板的一侧；发光功能层包括阵列分布的多个发光单元，相邻两个发光单元之间设置有的隔离槽，隔离槽的侧壁与衬底基板的夹角角度小于90°；N型电极，设置在隔离槽的侧壁，并位于侧壁的靠近衬底基板的一端；P型电极，设置在发光功能层远离衬底基板的一侧。本发明能够有效削弱器件内部的全反射，提高出光率；可通过刻蚀工艺完成，有效控制设备和工艺成本。
一种紫外发光设备发光二极管器件及其制造方法

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