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[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202111149489.5在审
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含：半导体叠层，具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层；孔部暴露区，位于半导体叠层内，暴露出第一半导体层；第一导电层对应孔部暴露区；第一绝缘层，位于半导体叠层与第一导电层之间，包含开口对应孔部暴露区，第一导电层通过开口与第一半导体层电连接；第一电极层，位于第一导电层上，包含连接电极层对应第一导电层，与第一半导体层电连接；接合层，位于第一电极层上，与连接电极层电连接；导电基板，半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧；暴露区域，位于发光元件的一边或角落，与半导体叠层不重叠；及打线垫，位于暴露区域上，电连接第二半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]光检测元件-CN202110736805.2在审
发明人：苏初日;周佳祥;彭韦智;廖文禄;黄照舜;林宣乐;李世昌;刘美君;欧震 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测元件，其依序包括一基板、具有一第一掺杂质的一第一半导体层位于基板上、具有一第一区域及一第二区域的一第二半导体层位于第一半导体层上、一光吸收层位于第一半导体层及第二半导体层之间、一半导体接触层位于第二半导体层的第一区域上、一绝缘层以及一电极结构；其中，第一区域具有一第二掺杂质及一第三掺杂质，第二区域具有第二掺杂质及不具有第三掺杂质，绝缘层覆盖半导体接触层、第一区域及第二区域，电极结构覆盖半导体接触层、第一区域及第二区域。
检测元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201711089661.6有效
发明人：柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含：半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；环绕暴露区，位于半导体叠层的周围，暴露出第一半导体层的一表面；导电层，位于第二半导体层上，具有第一导电区延伸接触环绕暴露区内的表面；电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；外侧绝缘层，覆盖导电层的一部分及电极层，且包含一第一开口暴露导电层的另一部分；接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层的另一部分电连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201410264140.X有效
发明人： 彭韦智;杨治政;刘正强;雷宏毅;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置制造方法，包含：提供一基板；形成一掩模区块在基板上并接触基板，以及无掩模区块覆盖的一基板暴露区；自基板暴露区注入多个离子至该基板内，以形成一离子注入区；以及在基板上成长一半导体叠层，以形成多个孔洞在半导体叠层以及离子注入区之间；其中掩模区块的材料包含金属或氧化物。
发光装置及其制造方法

[发明专利]光电半导体装置及其制造方法-CN201310085002.0有效
发明人：吕志强;三晓蕙;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了光电半导体装置及其制造方法。本发明的一技术方案提供一种光电半导体装置，其包含：一半导体系统，具有数个侧表面、一上表面和一下表面；一界面层，位于该下表面和所述侧表面上；数个电性接点，具有不全然相同的高度，并插入该界面层中以电连接至该半导体系统；以及一导电体，位于所述电性接点之下。本发明的一技术方案还提供了光电半导体装置的制造方法。
光电半导体装置及其制造方法

[发明专利]光电元件及其制造方法-CN201110029465.6有效
发明人： 彭韦智;谢明勋;许明祺;颜伟昱;王俊凯;陈彦志;洪详竣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包括：基板及位于基板之上的第一过渡叠层，其中第一过渡叠层包括至少一第一过渡层，位于基板之上，且第一过渡层内部具有至少一孔洞结构，及第二过渡层，为非故意掺杂层或未掺杂层，且位于第一过渡层之上。
光电元件及其制造方法

[发明专利]具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法-CN201110044028.1有效
发明人：谢明勋;吕志强;王健源;陈彦文;叶瑞鸿;洪世钦;涂育维;吴俊毅;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种具有薄化结构的发光元件及其制造方法。该发光元件包含半导体发光结构、载体及薄化结构形成于半导体发光结构及载体之间。其制造方法包括以下步骤：形成多层半导体发光结构于基板上；贴合该多层半导体结构至支撑体；薄化该基板以形成薄化结构；形成或接合载体至该薄化结构；以及移除该支撑体。
具有结构半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]发光半导体装置-CN200910001655.X有效
发明人：吕志强;彭韦智;王健源;陈威佑;三晓蕙;谢明勋 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光半导体装置，包括发光结构、反射结构、以及载体。发光结构具有第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。反射结构具有第一透明导电层、第一图案化反射层、第二透明导电层以及第二图案化反射层。第一图案化反射层位于第一透明导电层与第二透明导电层之间。第一图案化反射层具有开口以使第一透明导电层与第二透明导电层实体上连接。第二透明导电层位于第一图案化反射层与第二图案化反射层之间。第二图案化反射层位于相对于开口的区域上。发光结构与载体位于反射结构的两侧。
发光半导体装置

[发明专利]具有薄化结构的半导体发光元件及其制造方法-CN200810003245.4有效
发明人：谢明勋;吕志强;王健源;陈彦文;叶瑞鸿;洪世钦;涂育维;吴俊毅;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-01-28 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有薄化结构的发光元件及其制造方法。该发光元件包含半导体发光结构、载体及薄化结构形成于半导体发光结构及载体之间。其制造方法包括以下步骤：形成多层半导体发光结构于基板上；贴合该多层半导体结构至支撑体；薄化该基板以形成薄化结构；形成或接合载体至该薄化结构；以及移除该支撑体。
具有结构半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]光电半导体装置-CN200710306612.3无效
发明人：吕志强;三晓蕙;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明的一个实施例揭露一种光电半导体装置，其包含可以在光能与电能间进行转换的半导体系统、形成于此半导体系统的至少二个表面上的界面层、导电体、及将半导体系统与导电体电连接的电性接点。
光电半导体装置

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN200810177737.5有效
发明人：谢明勋;徐大正;徐子杰;彭韦智;李亚儒;陈世益;骆武聪;吕志强 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包含基板、发光叠层和透明连接层。发光叠层位于基板之上，包含第一漫射面。透明连接层位于基板和第一漫射面之间，其中透明连接层的折射率相异于基板的折射率。
发光装置及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200810129748.6无效
发明人：谢明勋;徐大正;彭韦智;李亚儒;吕琪玮;杨雅兰;苏英阳;蔡孟伦 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明关于一种发光元件，该发光元件包含基板；发光叠层，形成于该基板上；以及透光粘结层，形成于该发光元件的内部或出光表面上，该透光粘结层内含光学结构，其中该光学结构的折射率相异于该透光粘结层的折射率。
发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN200510081902.3有效
发明人：陈彦文;刘文煌;彭韦智 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，包括：一半导体发光叠层，包括一第一叠层、一第二叠层形成于该第一叠层之上、以及形成于第一叠层及第二叠层之间的一发光层；一第一电极形成于该发光叠层上侧的第一表面区之上；一第一透明氧化物导电层形成于该发光叠层上侧的第二表面区之上；以及一第二电极形成于该透明氧化物导电层之上。可通过适当的第一电极与第二电极间的距离，使得半导体发光元件达到最佳的电流分布效应，另外通过第一电极与第二电极的总面积占发光元件发光层正面面积比例来调整半导体发光元件顺向偏压，提高发光效率。
半导体发光元件

[发明专利]发光组件-CN200510006101.0有效
发明人：谢明勋;徐大正;彭韦智;李亚儒 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光组件，该发光组件利用一透明黏结层将一透光基板与一发光叠层结合在一起，该发光叠层具有一漫射面，该漫射面通过该透明黏结层与该透光基板相黏结，其中该发光叠层与该透明黏结层之间有折射率的差异，根据两者之间折射率差异，使得发光二极管内部产生的光线被取出机率提高，进而提高发光效率。
发光组件

[实用新型]击钉装置之定位结构-CN200420088425.4无效
发明人： 彭韦智 -专利权人： 彭韦智
申请日： 2004-09-14 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： B25C1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种击钉装置之定位结构，其设在击钉装置之前端，该定位结构包括一出钉架、一导钉块、二定位板和二弹性件，所述导钉块由二滑块所组成，该导钉块上由二滑块组成一导钉口，该出钉架前端之出钉口设有滑槽，而该滑块活动套设于该滑槽中，所述二定位板分别设在出钉架之二侧，所述定位板将弹性件限位于定位板与滑块间。该导钉口是可在枪钉击发射出时随着枪钉之尖端、钉体、钉头等不同半径大小而做弹性扩张，因此枪钉在击发之过程中将全程受到导钉口所提供之导正效果，故藉由该滑块所组成之导钉口可保持击钉角度位置准确稳固，以降低无效击钉或击钉失败等问题所造成之困扰，且本实用新型之结构简单，更具有降低固障率，减少产品成本之功效。
装置定位结构

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