[发明专利]蓝宝石LED灯丝基板的生产方法在审
| 申请号： | 201510354411.5 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105140362A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 苏凤坚;刘俊;郝正平 | 申请（专利权）人： | 江苏苏创光学器材有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人： | 石敏 |
| 地址： | 225775 江苏省泰州市兴化市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的生产方法，具体步骤包括晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、刷银等工序；本发明的蓝宝石LED灯丝基板的生产方法成片质量高，废品率低，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 led 灯丝 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石LED灯丝基板的生产方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤一、晶体掏棒；取A向、M向或C向的蓝宝石晶体，然后使用掏棒机进行掏棒，从而得到晶棒；步骤二、晶体切割；采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割，从而得到晶片；步骤三、研磨；采用研磨机对晶片进行研磨；研磨时，加入研磨液，研磨盘对晶片加压至0.02～0.022Mpa，研磨盘的转速为1000～1200rpm/min；研磨完成后用无水乙醇清洗；所述研磨液组分包括：0.5～2%的颗粒大小为10～20μm的立方氮化硼粉末，14～16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6%的甘油，9～11%的聚丙二醇400，其余为去离子水；步骤四、倒角；采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理，；步骤五、退火；将晶片放入退火炉内，以180～220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃，升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2～6h，然后以200℃的温度进行降温，降温时在1000℃、500℃分别保温2～3h冷却至室温取出；步骤六、双面化学抛光；先用无水乙醇对晶片进行清洗，然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定；抛光时，加入抛光液，抛光盘对晶片加压至0.12～0.15 Mpa，抛光盘的转速为1000～1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后，在室温下进行自然冷却；所述抛光液组分包括：0.5～2%的颗粒大小为1～6μm的立方氮化硼粉末，14～16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4～6%的甘油，9～11%的聚丙二醇400，0.5～2%的纳米二氧化硅，使得抛光液PH值为11.0～13.0的碱性溶液，其余为去离子水；抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值；步骤七、激光取片；将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体，将晶片按需求切割成相应大小。
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- 本发明涉及一种图形衬底及其制备方法，尤其是一种可调节LED发光角度的图形衬底及其制备方法，属于图形衬底的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述可调节LED发光角度的图形衬底，包括衬底本体；所述衬底本体上设有若干图形凸起，所述图形凸起包括第一晶面体及与所述第一晶面体晶面不同的第二晶面体，所述第二晶面体位于第一晶面体上。本发明图形结构简单紧凑，加工操作方便，加工成本低，适应范围广，能满足不同LED发光角度的要求，安全可靠。
- LED芯片结构-201320174874.X
- 夏炀 - 夏炀
- 2013-04-09 - 2013-09-25 - H01L33/16
- 本实用新型提供一种LED芯片结构，包括衬底，覆盖衬底的n型GaN层，n型GaN层引出的n型电极，n型GaN层覆盖的p型GaN层，以及p型GaN层引出的p型电极，n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层。本实用新型通过在n型GaN层与p型GaN层之间设有InGaN/GaN薄膜发光层，利用较宽的InGaN能量带隙，极大提高了LED芯片的发光效率。
- 完全禁带光子晶体结构、其制备方法及一种发光二极管-201210532521.2
- 张雄;郭浩;许洁;崔一平 - 东南大学
- 2012-12-11 - 2013-04-10 - H01L33/16
- 本发明公开了一种完全禁带光子晶体结构，包括位于下层的空气孔型光子晶体结构和位于上层的介质柱型光子晶体，空气孔型光子晶体结构和介质柱型光子晶体结构均是由两种或两种以上介电常数的介质材料在平面上呈周期性排列成的阵列，介质柱型光子晶体结构的介质材料对应设置在空气孔型光子晶体结构的介质材料的上表面。本发明还公开了这种光子晶体结构的制备方法，以及一种采用该光子晶体结构的发光二极管。本发明光子晶体结构在LED发光波段实现完全光子禁带特性，极大地提高LED的出光效率，本发明可独立自由调节光子晶体的结构参数，拓展了在LED领域中的应用价值；有效地释放晶格失配所产生的应力，进而获得更高质量的氮化镓基外延薄膜。
- 一种发光器件-201210067680.X
- 潘小和;陈杰 - 矽光光电科技（上海）有限公司
- 2012-03-15 - 2012-07-18 - H01L33/16
- 本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。
- 模板、其制造方法及制造半导体发光器件的方法-201110158083.3
- 吴忠锡;张成焕;奠镐壹;朴治权;朴健 - 半材料株式会社;朴健
- 2011-06-14 - 2012-07-18 - H01L33/16
- 本发明公开了一种制造模板的方法。所述方法包括：在基底上生长包含第III族材料的第一氮化物层；在第一氮化物层上形成与第一氮化物层具有不同刻蚀特性的多个刻蚀阻障区；通过利用氯化物基气体按照刻蚀阻障区的图案刻蚀第一氮化物层，形成柱状纳米结构；以及通过在纳米结构的顶部上生长第二氮化物层，形成其中形成有多个空隙的氮化物缓冲层。本发明还公开了一种利用模板制造氮化物基半导体发光器件的方法。
- 生长在模板上以减小应变的III-氮化物发光二极管-201210049115.0
- P.N.格里洛特;N.F.加德纳;W.K.戈茨;L.T.罗马诺 - 皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
- 2007-12-21 - 2012-07-11 - H01L33/16
- 一种器件包括：III-氮化物结构，包括：第一层（22），其中该第一层基本没有铟；在第一层上生长的第二层（26），其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及在第二层上生长的器件层（10），该器件层包括在n型区和p型区之间设置的III-氮化物发光层。减小发光器件中的应变可以提高器件的性能。应变可以被如下定义：给定层具有与和该层相同组分的独立式材料的晶格常数对应的体晶格常数abulk以及与生长在所述结构中的该层的晶格常数对应的面内晶格常数ain-plane。层中的应变量是|（ain-plane-abulk）|/abulk。在一些实施例中，发光层中的应变小于1％。
- 专利分类
