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[发明专利]垂直腔面发射激光器及制造垂直腔面发射激光器的方法-CN201910807121.X在审
发明人：藤井慧;住友隆道;有方卓 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器，包括：有源层，其包括量子阱结构，量子阱结构包括一个或多个阱层，阱层包括含有铟来作为III族构成元素的III‑V化合物半导体；上层叠区域，其含有碳掺杂剂；以及基板，其用于安装包括有源层和上层叠区域的柱体，其中，有源层设置在上层叠区域与基板之间，量子阱结构的碳浓度为2×1016cm‑3以下，并且上层叠区域包括在远离有源层的位置处的铟堆积层。
垂直发射激光器制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光器以及外延基板-CN201280062606.7在审
发明人：京野孝史;盐谷阳平;住友隆道;善积祐介;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
氮化物半导体激光器以及外延

[发明专利]III族氮化物半导体激光元件-CN201280041775.2无效
发明人： 住友隆道;京野孝史;上野昌纪;善积祐介;盐谷阳平;足立真宽;高木慎平;梁岛克典 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b～18d分别设置于半导体区域19的第1～第3区域19b～19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。
iii 氮化物半导体激光元件

[发明专利]III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法-CN201280032130.2无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;京野孝史;住友隆道;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。
iii 氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体激光元件-CN201280029797.7无效
发明人： 住友隆道;上野昌纪;善积祐介;吉田乔久;足立真宽 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：在具有在包含开口的电流限制层上再生长有p型包覆层的结构的III族氮化物半导体激光元件中，减小由存在于半极性的再生长界面的n型杂质引起的影响。半导体激光元件（10）具有n型半导体区域（14）、活性层（16）、第一p型半导体区域（18）、电流限制层（20）以及第二p型半导体区域（22）。第二p型半导体区域（22）是在形成电流限制层（20）的开口（20a）之后再生长在第一p型半导体区域（18）上和电流限制层（20）上的区域。第一p型半导体区域（18）中的与第二p型半导体区域（22）的界面包含III族氮化物半导体的半极性面。第一p型半导体区域（18）具有构成第一p型半导体区域（18）与第二p型半导体区域（22）之间的界面且具有1×1020cm-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层（18c）。
iii 氮化物半导体激光元件

[发明专利]外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法-CN201310545985.1无效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真宽;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌纪;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
外延制作 iii 氮化物半导体激光器元件方法

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467484.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法-CN201310467660.6无效
发明人：盐谷阳平;善积祐介;上野昌纪;秋田胜史;京野孝史;住友隆道;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。
gan 半导体器件制作方法外延晶片生长方法

[发明专利]氮化物半导体激光器及外延基板-CN201280019471.6无效
发明人：京野孝史;盐谷阳平;住友隆道;善积祐介;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种缩小光封闭性的降低且可实现驱动电压的下降的氮化物半导体激光器。在半导体区域（19）中，发光层（13）的活性层（25）、第一包覆区域（21）及第二包覆区域（23）设置在主面（17a）上。第二包覆区域（23）包含第一p型III族氮化物半导体层（27）及第二p型III族氮化物半导体层（29）。第一p型III族氮化物半导体层（27）由InAlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层（29）由与该InAlGaN层不同的半导体构成。该InAlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层（27）设置在第二p型III族氮化物半导体层（29）与活性层（25）之间。第二p型III族氮化物半导体层（29）的比电阻（ρ29）低于第一p型III族氮化物半导体层（27）的比电阻（ρ27）。
氮化物半导体激光器外延

[发明专利]氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201310153045.8在审
发明人： 住友隆道;上野昌纪;善积祐介;盐谷阳平 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中，如符号“空白三角形”所示，短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右，长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是，长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反，可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即，在可实现上述接触电阻的热处理时间下，未进行充分的活性化，无法获得低比电阻。
氮化半导体制造方法 iii 氮化物半导体器件及其

[发明专利]III族氮化物半导体激光元件及III族氮化物半导体激光元件的制造方法-CN201280005963.X无效
发明人：京野孝史;高木慎平;住友隆道;善积祐介;盐谷阳平;上野昌纪;梁岛克典 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：提供一种可改善振荡成品率的结构的III族氮化物半导体激光元件。在第一及第二割断面（27、29）各自呈现支撑基体（17）的端面（17c）及半导体区域（19）的端面（19c）。激光结构体（13）包括第一及第二面（13a、13b），第一面（13a）为第二面（13b）的相反侧的面。第一及第二割断面（27、29）分别从第一面（13a）的边缘延伸至第二面（13b）的边缘。半导体区域（19）包含InGaN层（24）。半导体区域（19）可包含InGaN层（24）。割断面（29）包括设置于InGaN层（24）的端面（24a）的台阶（26）。台阶（26）沿着从该III族氮化物半导体激光元件（11）的一个侧面（22a）朝向另一个侧面（22b）的方向延伸。台阶（26）在割断面（27、29）中可形成于InGaN层（24）的端面（24a）的一部分或整体上。
iii 氮化物半导体激光元件制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板-CN201180053428.7无效
发明人：盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;善积祐介;西塚幸司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：提供一种具有氧浓度降低的p型氮化镓系半导体层的III族氮化物半导体元件。III族氮化物半导体元件(11)包括：基板(13)、n型III族氮化物半导体区域(15)、发光层(17)及p型III族氮化物半导体区域(19)。基板(13)的主面(13a)自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜。p型III族氮化物半导体区域(19)包含第一p型氮化镓系半导体层(21)，第一p型氮化镓系半导体层(21)的氧浓度为5×1017cm-3以下。第一p型氮化镓系半导体层(21)的p型掺杂物浓度Npd与氧浓度Noxg的浓度比(Noxg/Npd)为1/10以下。
iii 氮化物半导体元件制造方法外延

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法-CN201080009778.9无效
发明人：善积祐介;高木慎平;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;上野昌纪;住友隆道;德山慎司;片山浩二;中村孝夫;池上隆俊 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。
氮化物半导体激光元件制作方法

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及外延基板-CN201080059063.4无效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真宽;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌纪;片山浩二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
iii 氮化物半导体激光器元件制作方法外延

[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法-CN201080043433.5有效
发明人：善积祐介;盐谷阳平;京野孝史;足立真宽;德山慎司;住友隆道;上野昌纪;池上隆俊;片山浩二;中村孝夫 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
iii 氮化物半导体激光器元件制作方法

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