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[发明专利]一种富氢深紫外杀菌水杯-CN201811140313.1有效
发明人：陈景文;张骏;梁仁瓅;杜士达;张会雪;陈长清;戴江南 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种富氢深紫外杀菌水杯，包括杯身、杯盖，所述杯盖活动设置于所述杯身上，所述杯盖上还设有固定座、UVC‑LED光源、石英柱、电解组件，所述固定座密封设置于所述杯盖上以将所述杯盖分成密闭空间A及开放空间B，所述石英柱贯穿固定于所述固定座上以使其部分置于所述密闭空间A中，所述UVC‑LED光源设置于所述杯盖上、置于所述密闭空间A中且位于所述石英柱的上方，所述电解组件设置于固定座上、置于所述开放空间B中。该水杯同时具备富氢及深紫外杀菌功能，同时使得电器部件可放置于密闭空间中，而电解组件放置于开放空间中，UVC‑LED光源可通过石英柱将紫外光投射入水中。
一种深紫杀菌水杯

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN201811481138.2有效
发明人：张骏;杜士达;戴江南;陈长清 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型AlGaN空穴注入层、P型GaN接触层；所述N型AlGaN层与电流扩展层之间还设置有电子减速层，所述电子减速层为AlxGa1‑xN材料，40％＜x＜100％，所述电子减速层的Al组分总量大于所述N型AlGaN层的Al组分总量，其厚度为1nm～200nm。本发明通过增加具有特殊结构的电子减速器对进入量子阱有源层的电子进行减速，从而使空穴更易进入靠近N型AlGaN层的前几个量子阱中与电子发生辐射复合，提高深紫外LED器件的发光效率。
一种 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]用于LED封装的氟树脂界面剂、制备及使用方法-CN201710515884.8有效
发明人：梁仁瓅;许琳琳;陈景文;王帅;张骏;杜士达;陈长清;戴江南 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C08L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于LED封装的氟树脂界面剂，包括氧化石墨烯氟树脂密封剂、KH550硅烷偶联剂溶液。氧化石墨烯氟树脂密封剂中的氧化石墨烯粉与KH550硅烷偶联剂发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，保证了LED封装的可靠性。
用于 led 封装树脂界面制备使用方法

[发明专利]含氮化硼荧光玻璃的紫外LED及制备方法-CN201910776114.8在审
发明人：王昊;梁仁瓅;张骏;陈景文;杜士达;戴江南;陈长清 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氮化硼荧光玻璃的紫外LED及制备方法，所述含氮化硼荧光玻璃的紫外LED制备方法的步骤包括：配置浆料，丝网印刷并干燥，低温烧结，封装并固化。本发明提供了一种含氮化硼荧光玻璃的紫外LED及其制备方法，通过采用特定组分配比的荧光浆料，有效避免了蓝光危害，同时增强了紫外LED的整体散热效果，减缓了因有机聚合物老化而导致的光效降低情况。
紫外LED 荧光玻璃氮化硼制备整体散热效果有机聚合物低温烧结蓝光危害丝网印刷荧光浆料组分配比光效浆料封装固化老化配置

[实用新型]具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件-CN201822033175.9有效
发明人： 杜士达;张骏;戴江南;陈长清 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件，包括衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括AlN层、N型AlGaN层、n型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；n型布拉格反射层为Al_xGa_1‑xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；P型布拉格反射层为Al_yGa_1‑yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。本实用新型使用N型布拉格反射层的同时，使用P型布拉格反射层来代替传统的P型GaN层作为P型注入层，反射量子阱有源区向P型GaN方向的出射光，量子阱有源区发出的深紫外光从侧面出射，提高深紫外LED器件的发光效率。
深紫外LED 布拉格反射层量子阱有源区本实用新型交替层叠外延结构周期结构衬底半导体外延层量子阱有源层电流扩展层电子阻挡层发光效率深紫外光出射光传统的注入层出射反射侧面

[发明专利]一种具有纳米网状结构的深紫外LED外延片、器件及其制备方法-CN201811480407.3在审
发明人：张骏;杜士达;陈长清;戴江南 -专利权人：湖北深紫科技有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有纳米网状结构的深紫外LED外延片、器件及其制备方法，该LED器件包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上依次形成的AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、P型GaN层，所述N型AlGaN层的刻蚀外露部分上形成有第一钝化层，所述第一钝化层上形成有N电极，所述P型GaN层上形成有第二钝化层，所述第二钝化层上形成有P电极，所述AlN层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、P型GaN层上设有多个从上往下贯穿的纳米通孔，且多个所述纳米通孔均填充有旋涂玻璃SOG；本发明通过缩短侧向出射光的传播距离的方式，以提取更多侧面出射光，提高深紫外LED的光提取效率。
钝化层深紫外LED 量子阱有源层纳米网状结构电流扩展层蓝宝石外延片衬底通孔制备侧向出射光光提取效率传播距离旋涂玻璃出射光多侧面外露刻蚀填充贯穿

[发明专利]LED封装及其制作方法-CN201710514855.X有效
发明人：梁仁瓅;许琳琳;陈景文;王帅;张骏;杜士达 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/56 文献下载
摘要：本发明提供一种LED封装，依次包括基板、LED芯片、密封层、石英玻璃，其特征在于，所述密封层包括氧化石墨烯氟树脂密封剂层、KH550硅烷偶联剂层。氧化石墨烯氟树脂密封剂层与KH550硅烷偶联剂层发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，提高了LED封装的密封性能从而保证了LED封装的可靠性。
led 封装及其制作方法

[发明专利]一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置-CN201710984212.1在审
发明人：陈景文;张骏;王帅;龙瀚凌;梁仁瓅;张毅;戴江南;陈长清;杜士达;张会雪 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种测半导体禁带宽度面内各向异性的方法、系统及装置，其中，光源发射的光线透过偏振模块形成偏振光，偏振光射在待测半导体上，分光光栅使透射出待测半导体的光线转化为待测半导体的透射光谱，光谱仪测量待测半导体的透射光谱；旋转偏振模块，光谱仪测量待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱；根据待测半导体面内不同偏振角度的透射光谱计算待测半导体面内不同偏振角度的禁带宽度。有益效果通过分析待测半导体透射光谱中因电子从不同价带跃迁至导带具备的不同吸收特性，利用光源、偏振模块、样品座、分光光栅、光谱仪即可测量半导体禁带宽度面内各向异性，其中光源不需要采用激光光源，成本较低。
一种半导体宽度各向异性方法系统装置

[实用新型]一种深紫外LED杀菌棒-CN201720527744.8有效
发明人：许琳琳;梁仁瓅;陈景文;王帅;杜士达 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： F21S9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种深紫外LED杀菌棒，包括圆柱石英管(7)、深紫外LED灯珠(9)、铜质基板(8)、金属管壳(2)、USB充电插口(6)、光源电路板(5)、充电锂电池(4)、控制电路板(3)及防水开关(1)，所述控制电路板(3)、充电锂电池(4)、光源电路板(5)和USB充电插口(6)从上到下依次安装于所述金属管壳(2)内，所述圆柱石英管(7)的顶端与金属管壳(2)的底端连接，所述铜质基板(8)安装于所述圆柱石英管(7)内，所述紫外LED灯珠(9)安装于所述铜质基板(8)的外圆周上。本实用新型的杀菌棒，启动速度快、无噪音、机械强度高、抗震度、耐腐蚀、可靠性高，安装方便，携带方便，可以免维护长久使用。
一种深紫 led 杀菌

[发明专利]一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法-CN201510856575.8在审
发明人： 杜士达;张建宝;戴江南;陈长清 -专利权人：武汉优炜星科技有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开一种双面发光深紫外二极管外延片、芯片的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述外延片，从下至上依次包括：衬底，低温AlN成核层，高温AlN本征层，本征Al_xGa_1-xN层、n型Al_xGa_1-xN层，Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN多量子阱层、p型Al_uGa_1-uN电子阻挡层、p型Al_xGa_1-xN层。本发明还提供一种基于所述外延片制备的芯片及芯片的制备方法。本发明提供的外延片和芯片选择采用具有高紫外光反射性DBR层可将大部分紫外光反射回去。本发明提供的深紫外二极管芯片的制备方法。
一种双面发光深紫二极管外延芯片制备方法

[发明专利]一种含石墨地热垫层混合材料及其生产工艺-CN200710191192.9无效
发明人： 杜士达;王学刚;潘月秋;杨圣闯;杨金凤 -专利权人：晟茂（青岛）先进材料有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C04B28/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种含石墨地热垫层混合材料及其生产工艺，该混合材料是将石墨粉、海泡石绒、石灰膏、防水粉、细砂、水及助剂等按配比均匀混合成浆料，制成需要的坯材，经自然风干或干燥，养护而成，也可以直接将石墨粉、海泡石绒、防水粉、助剂按配比均匀混合直接供施工之用。本发明材料中，石墨粉能横向导热作用，海泡石绒则可以保温使热量均衡散发，时间更持久，并防止裂缝，增加韧性，从而使地板受热均匀，延长地板的平均寿命，也提高了地热供暖的效果。该材料导热保温效果好，制作工艺简单，操作方便，可广泛应用于地热供暖领域。
一种石墨地热垫层混合材料及其生产工艺

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