[发明专利]一种DBICMOS集成电路制造工艺有效
| 申请号： | 201110076175.7 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102184897A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 聂纪平;谢玉森;张勇;刘亿 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种DBICMOS集成电路制造工艺，该制造工艺包括N阱制作步骤、有源区制作步骤、P型场区制作步骤、多晶制作步骤、N型区制作步骤、P型区制作步骤、接触孔制作步骤、铝线制作步骤和钝化层制作步骤，所述制造工艺还包括在所述P型场区制作步骤之后的基区制作步骤和电容制作步骤以及在所述多晶制作步骤之后的N型Ldd制作步骤。本发明通过增加电容制作步骤将多晶电容优化为MOS电容，提高了产品的设计精度；同时，通过增加基区制作步骤和N型Ldd制作步骤，实现了双极和DMOS结构的制作；另外，还通过调节N型区的浓度进一步优化了电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dbicmos 集成电路 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种DBICMOS集成电路制造工艺，该制造工艺包括N阱制作步骤、有源区制作步骤、P型场区制作步骤、多晶制作步骤、N型区制作步骤、P型区制作步骤、接触孔制作步骤、铝线制作步骤和钝化层制作步骤，其特征在于，所述制造工艺还包括在所述P型场区制作步骤之后的基区制作步骤和电容制作步骤以及在所述多晶制作步骤之后的N型Ldd制作步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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