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- [发明专利]半导体装置-CN201410317578.X有效
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山下润一;寺岛知秀
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三菱电机株式会社
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2014-07-04
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2018-02-02
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H01L29/739
- 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在埋入式绝缘膜和衬底之间形成空洞区域而提高耐压，并具有充分的机械强度。其具有衬底(12)；形成于该衬底上的埋入式绝缘膜(14)；形成于该埋入式绝缘膜之上的SOI层(20)；将该SOI层划分为第一SOI层(20a)和与该第一SOI层绝缘的第二SOI层(20b)的绝缘膜(22)；形成于该第一SOI层的元件(30)；以及在一端具有位于该第二SOI层正上方的焊盘(70a)，另一端与该第一SOI层相连接的电极(70)，在该第一SOI层正下方的该埋入式绝缘膜和该衬底之间具有空洞区域(18)，该第二SOI层正下方的该埋入式绝缘膜的至少一部分与该衬底直接接触。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410360240.2在审
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蔀拓一郎;川濑祐介;山下润一;吉野学
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三菱电机株式会社
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2014-07-25
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2015-02-11
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H01L21/30
- 本发明的目的在于提供一种能够抑制衬底翘曲的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：在衬底(15)的正面形成正面氮化膜(16A)，在该衬底的背面形成背面氮化膜(16B)的工序；在该正面氮化膜上形成保护膜(18)的工序；利用该保护膜保护该正面氮化膜，与此同时，利用湿蚀刻去除该背面氮化膜的工序；在去除该背面氮化膜之后，去除该保护膜的工序；对该正面氮化膜进行图案化而在该正面氮化膜上形成开口(20)的工序；以及在从该开口露出的该衬底的正面形成第1氧化膜(22)，与此同时，在该衬底的背面形成第2氧化膜(24)的工序。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]短裤型穿着物品-CN201280063760.6有效
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山下润一;森田晃央;小林贤司
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花王株式会社
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2012-12-18
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2014-08-27
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A61F13/496
- 在腹侧部(A)和背侧部(B)的外包材(6)配置有在宽度方向(X)延伸的多个弹性部件(81、82)，具有使腹侧部(A)的两侧缘部(6a)和背侧部(B)的两侧缘部(6b)相互重叠接合而形成的一对侧封部(7)。侧封部(7)是通过沿着长边方向(Y)间歇地对两侧缘部(6a、6b)进行超声波接合而形成的。弹性部件(81、82)在外包材(6)的外层片(61)和内层片(62)之间仅通过粘接剂(9)固定在这些片上。通过粘接剂(9)进行的弹性部件(81、82)的固定，是在弹性部件(81、82)的两端区域进行的。涂敷了粘接剂(9)的区域位于比侧封部(7)的靠宽度方向的外方的侧缘更靠内方的位置。
- 短裤穿着物品
- [发明专利]SOI晶圆及其制造方法-CN201210521787.7有效
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清水和宏;山下润一;蔀拓一郎
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三菱电机株式会社
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2012-12-07
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2013-09-11
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H01L27/12
- 本发明的目的在于提供一种晶圆内部具备空腔图案（3）的SOI晶圆，也就是在SOI晶圆上进行曝光时，能以低成本进行曝光掩模的位置对准的SOI晶圆。本发明的SOI晶圆具备：支承衬底（1）和形成于支承衬底（1）上的绝缘层（2），在形成有绝缘层（2）的支承衬底（1）的一个主面形成有规定的空腔图案（3），还具备：堵塞该空腔图案（3）并形成于绝缘层（2）上的活性半导体层（5），活性半导体层（5）未形成于支承衬底（1）的外周部，还具备：形成于支承衬底（1）的上述一个主面侧的上述外周部，并确定空腔图案（3）的位置的多个叠合标记图案（4）。
- soi及其制造方法
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