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[发明专利]半导体器件总剂量效应和热载流子效应耦合特性的仿真方法-CN202310712568.5在审
发明人： 吕红亮;乔晶;姚如雪;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件总剂量效应和热载流子效应耦合特性的仿真方法，包括：通过半导体器件仿真器进行MOSFET器件结构建模，得到仿真器件；从仿真器件在总剂量效应的基础上进行热载流子效应的退化过程中选取若干目标阶段；在不同目标阶段，定义氧化层中的陷阱电荷，同时定义Si和SiO2界面处的界面态，形成若干目标状态；对仿真器件在不同目标状态下仿真热载流子退化效应。该方法可以准确的反映特殊应用环境下器件的特性退化规律，正确的评估器件的辐照和老化可靠性，并对半导体器件的抗辐照加固工艺进行指导。
半导体器件剂量效应载流子耦合特性仿真方法

[发明专利]一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法-CN202111007778.1有效
发明人： 吕红亮;严思璐;戚军军;郭袖秀;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GRNN模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对GRNN神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
一种基于 grnn 模型半导体器件温度分布预测方法

[发明专利]一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法-CN202111007779.6有效
发明人： 吕红亮;戚军军;严思璐;程林;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BP神经网络模型的半导体器件温度分布预测方法，所述方法包括：基于目标半导体器件对应的参数，建立半导体器件模型；获取所述半导体器件模型在多个预设环境下的多个数据集；基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型基于所述训练数据集对BP神经网络模型进行训练，以得到初始温度分布预测模型；基于所述测试数据集对所述初始温度分布预测模型进行验证，并根据验证结果对所述初始温度分布预测模型进行调整，以得到目标温度分布预测模型。本发明能够快速、高效、精准地得到目标温度分布预测模型，从而可以基于所述目标温度分布预测模型进行半导体器件的温度分布预测。
一种基于 bp 神经网络模型半导体器件温度分布预测方法

[发明专利]一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路-CN202010740504.2有效
发明人：张艺蒙;周敏;吕红亮;汤晓燕;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC MOSFET开关器件的驱动集成电路，包括：电压幅值转换模块、欠压保护模块、保护执行模块、输出缓冲模块和米勒平台改善模块。该驱动集成电路改善了功率管在开通过程中的VGS平台，使VDS下降速度加快，降低了损耗，避免了通过牺牲开关速度、增加开关损耗来换取振荡和过冲的减小，同时避免了电流尖峰；另外，本发明将驱动电路设计为集成电路大大减小了电路面积。
一种 sic mosfet 开关器件驱动集成电路

[发明专利]InP HBT老化小信号等效电路模型、参数提取及退化分析方法-CN202310318223.1在审
发明人： 吕红亮;程林;郭袖秀;严思璐;戚军军;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种InP HBT老化小信号等效电路模型、参数提取及退化分析方法，该老化小信号等效电路模型包括：连接的寄生模块、外部分布电容模块和本征模块；其中，寄生模块包括：基极寄生单元、集电极寄生单元、发射极寄生单元、基极‑集电极寄生单元、基极‑发射极寄生单元和集电极‑发射极寄生单元；外部分布电容模块包括：基极‑集电极外部分布单元和基极‑发射极外部分布单元；本征模块包括：基极本征单元、基极‑集电极本征单元、基极‑发射极本征单元和受控源单元。本发明电路设计友好，为器件在加速老化实验过程中的退化机理分析提供了器件关键参数的退化依据。
inp hbt 老化信号等效电路模型参数提取退化分析方法

[发明专利]一种半导体器件的可靠性紧凑模型建立方法-CN202310287823.6在审
发明人： 吕红亮;程林;郭袖秀;严思璐;戚军军;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的可靠性紧凑模型建立方法，包括：获取半导体器件的关键特性的退化前测试数据，建立相应的紧凑型模型拓扑；提取紧凑型模型拓扑中元件的退化前的参数，进行可靠性实验，获取关键特性退化后的可靠性测试数据；根据紧凑型模型拓扑和退化前的参数对退化后的可靠性测试数据进行表征，确定影响器件退化特性表征的敏感参数；获取敏感参数相对于退化前的退化量，根据退化量随可靠性参量的变化规律建立退化模型；利用退化模型对敏感参数进行修正，得到半导体器件的可靠性紧凑模型。依据本发明的方法建立起来的可靠性模型，为器件的退化机理分析提供了依据，且易于兼容电路设计软件，提高了可靠性集成电路的设计效率。
一种半导体器件可靠性紧凑模型建立方法

[实用新型]一种水泥输送装置-CN202320267534.5有效
发明人：刘永明;安瑞远;任悦云;任维维;吕红亮 -专利权人：山西双良鼎新水泥有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B65G33/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水泥输送装置，具体涉及水泥输送领域，包括壳体，壳体的内部转动连接有螺旋叶轴，螺旋叶轴的内部滑动连接有传动片，传动片的外侧滑动连接有支撑体，支撑体滑动连接在螺旋叶轴的内部，传动片的一端固定安装有传动杆，支撑体的内部滑动连接有延伸块，传动杆滑动连接在延伸块的内部，延伸块的顶部固定安装有刮板，延伸块的底部设有第一复位弹簧，第一复位弹簧固定安装在支撑体的内壁，支撑体的底部设有第二复位弹簧。本实用新型通过设置支撑体与刮板，支撑体与刮板同步上升至最高点，此时刮板与壳体的内壁进行贴合，从而通过刮板对壳体内壁凝结的水泥进行刮除，以此实现对壳体内壁的清理。
一种水泥输送装置

[发明专利]一种CMOS掺杂参数工艺-设计协同校准及优化方法-CN202310191010.7在审
发明人： 吕红亮;乔晶;姚如雪;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS掺杂参数工艺‑设计协同校准及优化方法，包括：获取尺寸不同的多个CMOS器件的工作条件、特性数据、初始掺杂参数和结构参数；从特性数据中选择出原始第一端特性值和原始第二端特性值；基于工作条件、结构参数和初始掺杂参数，通过对每个CMOS器件的第一特性的仿真，以及对初始掺杂参数的调整，确定至少两组参数；在至少两组参数下，每个CMOS器件的第一仿真端特性值与该CMOS器件的第一原始端特性值之间的误差值小于第一预设阈值；采用至少两组参数对每个CMOS器件的第二特性仿真，根据仿真结果得到多个CMOS器件各自的第二仿真端特性值；根据多个CMOS器件的第二原始端特性值和第二仿真端特性值，从至少两组参数中选择一组目标参数。
一种 cmos 掺杂参数工艺设计协同校准优化方法

[发明专利]InP HEMT小信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质-CN202111681602.4在审
发明人： 吕红亮;戚军军;安维;段兰燕 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/331 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，公开了一种InP HEMT小信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质。其中等效电路模型包括：栅极、漏极、源极、本征模块、栅极寄生模块、源极寄生模块、漏极寄生模块以及栅漏寄生模块；栅极、漏极、源极分别通过栅极、漏极、源极寄生模块连接至本征模块的栅极、漏极、源极内节点；栅漏寄生模块的两端分别连接栅极、漏极寄生模块；模型还包括栅极、漏极和栅漏分布电容；栅极、漏极分布电容的第一端接地，第二端连接至栅漏寄生模块的两端和栅极、漏极寄生模块各自的连接处；栅漏分布电容的两端分别连接至栅漏寄生模块的第一、第二端和栅极寄生模块的连接处。能够反映实际器件中的分布效应。
inp hemt 信号等效电路模型参数提取方法设备介质

[发明专利]一种带鳍片的宽节距锅炉旗式受热面及其加工工艺-CN202211630263.1在审
发明人：卢晓刚;吕红亮;韩秋虎 -专利权人：哈尔滨团结锅炉集团有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B23K37/02 文献下载
摘要：本发明属于锅炉加热面管道制造设备领域，尤其涉及一种带鳍片的宽节距锅炉旗式受热面及其加工工艺，包括机架,传动架，机架上端面一侧对称设置有两个传动架，传动架内传动设置有传送带，传动架一侧于机架上滑动设置有滑动主板，滑动主板上方转动设置有转动主板，转动主板上端面对称固定设置有两个固定槽体，固定槽体内滑动设置有夹持气仓，夹持气仓靠近传动架一端伸出固定槽体侧壁，夹持气仓伸出固定槽体侧壁一端连接设置有焊接推座，两个焊接推座相邻面滑动设置有连接底座，连接底座中部设置有粉渣仓，粉渣仓下方于连接底座底部设置有焊接器，焊接器外侧一端连接设置有折弯状的焊接头。本发明能够自动的将鳍片稳定放置并进行焊接处理加工。
一种带鳍片宽节距锅炉受热及其加工工艺

[发明专利]一种水泥加工搅拌装置-CN202310184158.8在审
发明人：刘永明;安瑞远;任悦云;任维维;吕红亮 -专利权人：山西双良鼎新水泥有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B28C5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种水泥加工搅拌装置，具体涉及水泥加工设备领域，包括搅拌筒，搅拌筒的底部固定安装有多个支撑脚，搅拌筒的内部转动安装有搅拌转杆，搅拌转杆的外壁固定安装有多个搅拌叶板，多个搅拌叶板的一侧安装有反复切碎机构，反复切碎机构的一侧安装有筛离机构，反复切碎机构包括设置在搅拌转杆外壁的往复螺纹套筒，往复螺纹套筒固定安装在搅拌筒的顶部，往复螺纹套筒的内部与搅拌转杆的外壁之间留有空隙，往复螺纹套筒的外壁螺纹连接有转环。本发明通过反复切碎机构，进而在搅拌时对搅拌中存在的水泥粉块进行反复切碎，进而使得水泥搅拌的充分，同时加快水泥搅拌的速度，从而使得搅拌省时省力。
一种水泥加工搅拌装置

[发明专利]一种基于交叉耦合负阻电路的单端输入反射放大器电路-CN202110918828.5有效
发明人： 吕红亮;夏敏杰;陈旭;赵冉冉;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于交叉耦合负阻特性的单端输入低功耗反射放大器电路，通过射频输入模块输入的射频信号，谐振槽模块选择反射射频信号的工作频段；直流偏置供电模块给负阻抗模块提供直流偏置使其工作在负阻区域，负阻抗模块在负阻区域提供负阻抗与射频输入模块输入端口的阻抗失配产生高于1的反射系数，使得射频信号的反射能量增强，从而反射出去。本发明可以在较低功耗范围内提供较高的增益，对信号进行反射放大，从而提升射频识别技术的通信距离，并且减小版图的面积，使得集成度更高；同时由于本发明在负阻抗模块结构简单，并在晶体管栅极加入了独立的偏置，可以根据需求通过调整直流偏置来减少电路功耗。
一种基于交叉耦合电路输入反射放大器

[发明专利]一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路-CN202110920111.4有效
发明人： 吕红亮;陈旭;夏敏杰;赵冉冉;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
一种基于振荡特性功耗反射放大器电路

[发明专利]一种基于Python语言的LDO电路设计方法-CN202310103311.X在审
发明人： 吕红亮;马肇崇;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Python语言的LDO电路设计方法，应用于终端且以执行代码的方式实现，包括以下步骤：步骤10，根据设计指标确定初始电路结构模块；步骤20，在晶体管参数数据库中查找每个晶体管的最优尺寸信息；步骤30，生成多个测试电路模块；步骤40，调用仿真器进行仿真测试，得到前仿真结果；步骤50，生成电路版图；步骤60，调用仿真器进行仿真测试，得到后仿真结果；步骤70，若所述后仿真结果不满足所述设计指标，则执行步骤30。本发明通过将LDO的设计过程代码化、自动化实现，运行代码即可完成从电路描述、尺寸生成、多指标仿真以及版图的自动布局布线的完整设计流程，缩短LDO版图设计周期、提高设计效率，实现LDO电路到版图设计的全流程自动化。
一种基于 python 语言 ldo 电路设计方法

[发明专利]单层MoS2-CN202110686636.6有效
发明人： 吕红亮;贾紫骥;孙佳乐;吕智军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供第一衬底，并在第一衬底的一侧表面制备SiO2隔离区，得到第一衬底结构；获取第二衬底，第二衬底包括预先生长得到的单层MoS2；利用外延层转印技术，将单层MoS2转移至第一表面；图形化所述单层MoS2，形成单层MoS2沟道层；在第一表面淀积形成第一电极和第二电极，使第二电极与SiO2隔离区及单层MoS2沟道层直接接触，获得制作完成的单层MoS2‑Si基隧穿二极管。本发明提供的单层MoS2‑Si基隧穿二极管及其制备方法能够降低界面缺陷密度，进而抑制陷阱辅助隧穿，并从工艺角度改善器件的亚阈值摆幅。
单层 mos base sub

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