[发明专利]通孔填充结构以及通孔填充方法在审
| 申请号： | 201310524371.5 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104576607A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 康晓春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。本发明还提供一种通孔填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强，在所述钨层上制备所述阻挡层时，较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述通孔，并且所述阻挡层的厚度均匀；当在所述阻挡层上再制备金属层时，所述金属层能很好的填充到所述通孔中；另外，所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力，并且所述阻挡层较薄，有利于提高通孔的导电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。
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- 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
- 一种铜互连结构及其制造方法-201510953119.5
- 钟旻 - 上海集成电路研发中心有限公司
- 2015-12-17 - 2018-06-22 - H01L23/532
- 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种铜互连结构，其包括半导体衬底、介质层、石墨烯阻挡层、钌金属阻挡层以及金属铜。本本发明提供了一种铜互连结构及其制造方法，采用钌金属阻挡层可以省去铜籽晶层，可直接进行后续的选择性铜电镀工艺，由于钌金属阻挡层较薄，其阻挡能力有限，但与其相配合的石墨烯阻挡层能有效阻挡金属铜向介质层扩散，并且其电阻率比铜更低，产生的电阻可忽略不记，从而使铜互连的整体电阻变化很小，器件功耗降低；同时，由于石墨烯阻挡层的厚度较薄，可以很好的保持通孔的轮廓形貌，不影响后续的铜电镀工艺的填充性，避免金属铜产生缝隙，提高了器件的良率和一致性。
- 铜互连结构及其形成方法-201510016296.0
- 余振华;眭晓林;李香寰;叶菁馥 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2015-01-13 - 2018-05-04 - H01L23/532
- 本发明提供了一种半导体器件中的铜互连结构及其形成方法，铜互连结构包括具有侧壁和表面的介电层，侧壁和表面限定介电层中的开口。铜互连结构还包括沉积在介电层的限定开口的侧壁和表面上的阻挡层。铜互连结构进一步包括沉积在阻挡层上的阻挡/种子混合层。铜互连结构额外地包括沉积在阻挡/种子混合层上的粘合层。铜互连结构还包括沉积在粘合层上的种子层。
- 专利分类
