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- [发明专利]器件仿真方法及设备-CN202210014159.3在审
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林仕杰;贾青青
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-06
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2023-07-18
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G06F30/20
- 本公开实施例提供一种器件仿真方法及设备,方法包括:建立待测器件的仿真模型,该待测器件包括第一电阻和寄生电阻,该寄生电阻包括第二电阻和接触电阻,其中,第一电阻为待测器件的体电阻,第二电阻为待测器件的端电阻,接触电阻为待测器件上的接触插塞的等效电阻;根据上述仿真模型,进行SPICE器件仿真。本公开实施例将待测器件的电阻分为体电阻和寄生电阻,并将寄生电阻拆分为端电阻和接触电阻,根据测试结果分析、计算得出上述体电阻、端电阻和接触电阻的阻值,可以准确建立待测器件的仿真模型,从而有效提升待测器件的仿真精度。
- 器件仿真方法设备
- [发明专利]器件仿真方法及设备-CN202210014158.9在审
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林仕杰
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-06
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2023-07-18
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G06F30/30
- 本公开实施例所提供的器件仿真方法及设备,方法包括:建立待测器件的仿真模型,该待测器件包括第一电阻和寄生电阻,该寄生电阻包括第二电阻和接触电阻,其中,第一电阻为待测器件的体电阻,第二电阻为端电阻,接触电阻为待测器件上的接触插塞的等效电阻;确定第一电阻、第二电阻以及接触电阻对应的电阻温度系数,并添加到仿真模型;根据该仿真模型,进行SPICE器件仿真。本公开实施例将待测器件的电阻分为体电阻和寄生电阻,并将寄生电阻拆分为端电阻和接触电阻,根据测试结果分析、计算得出上述各电阻的阻值,同时计算出上述各电阻对应的电阻温度系数,由此可以准确建立待测器件的仿真模型,有效提升待测器件的仿真精度。
- 器件仿真方法设备
- [发明专利]一种单车定位跟踪装置-CN201710728070.2有效
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王淑云;林仕杰;吴鸣
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浙江师范大学
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2017-08-17
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2023-06-16
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H02N2/18
- 本发明涉及一种单车定位跟踪装置,属于自行车技术领域。吊架装在单车横梁上,吊架端盖装在主体侧壁端部,主体底壁上装有电路板和悬浮磁铁;主体侧壁的下环台上装有限位板、上环台上装有两组压电振子和片簧,压电振子位于片簧上下两侧,压电振子与片簧间压接有隔环;隔环压接在片簧的外环片上,外环片经辐片连接有内圆片;内圆片上下两侧装有压板;惯性块上端固定在片簧下方的压板上、下端安装有被悬磁铁,被悬磁铁与悬浮磁铁同性磁极相对安装,被悬磁铁与悬浮磁铁都为圆形磁铁;两个压板、惯性块及被悬磁铁构成激励器;压电振子为由基板和压电片粘接而成的扇形或长方形悬臂梁;基板靠近片簧安装,压电振子自由端顶靠在激励环上。
- 一种单车定位跟踪装置
- [发明专利]一种自供电阻尼器-CN201710729568.0有效
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阚君武;林仕杰;陈松
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浙江师范大学
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2017-08-17
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2023-01-31
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F16F9/32
- 本发明涉及一种自供电阻尼器,属减振技术领域。底座上装有缸体,底座经一组压环将隔板压在缸体侧壁的凸台上,两相邻压环间压接有隔膜,隔膜两侧装有压电振子和顶环,压电振子自由端顶靠在顶环上;压电振子由基板和压电片粘接而成;接线柱两端分别经导线与压电振子和电路板相连,电路板经导线与阻尼阀相连;缸体内装有活塞,活塞与隔板间压接有弹簧,活塞与隔板及缸体共同形成上下压缩腔,上下压缩腔经管道与阻尼阀及蓄能器相连;压环与其相邻的隔膜及隔板构成缓冲腔一,压环与其相邻的两个隔膜构成缓冲腔二和缓冲腔三,压环与其相邻的隔膜及底座构成缓冲腔四;上压缩腔与缓冲腔一及缓冲腔三相互连通,下压缩腔与缓冲腔二及缓冲腔四相互连通。
- 一种自供阻尼
- [发明专利]温度标定结构、温度标定系统及温度标定方法-CN202110773837.X在审
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林仕杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-08
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2023-01-13
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G01K15/00
- 本发明涉及一种温度标定结构、温度标定系统及温度标定方法,温度标定结构的等效电路包括:第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻;第一双极型晶体管的基极、第一双极型晶体管的集电极、第二双极型晶体管的基极及第二双极型晶体管的集电极均接地;第一电阻与第二电阻串联,且第一电阻远离第二电阻的一端与第一双极型晶体管的发射极相连接;第三电阻的一端与第二双极型晶体管的发射极相连接,另一端与第二电阻远离第一电阻的一端相连接。通过在标定结构中设置两个双极型晶体管,由于双极型晶体管对温度具有较高的灵敏性,且通过设置两个双极型晶体管可以使温度趋势进一步放大,从而提高温度标定的精准度。
- 温度标定结构系统方法
- [发明专利]温度量测及温度校准的方法和温度量测系统-CN202010196026.3有效
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林仕杰
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长鑫存储技术有限公司
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2020-03-19
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2022-11-25
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G01K1/14
- 本发明涉及一种温度量测及温度校准的方法和温度量测系统。该量测方法包括:将具有电阻与温度具有第一函数关系的第一测试结构的校温器件放置在腔室内的承载台上;使腔室的温度达到设定温度;将电压加在第一测试结构的相对两端,获得对应的电流和电阻;根据电阻和第一函数关系获取校温器件的实际温度。本申请的技术方案在承载台上放置具有电阻与温度具有第一函数关系的第一测试结构的校温器件,通过在腔室的温度达到设定温度后将电压加在第一测试结构的相对两端,获得对应的电流和电阻,根据电阻和第一函数关系获取校温器件的实际温度,利用电流的高精度分辨率获取电阻进而得到校温器件的实际温度,提高了测量校温器件实际温度的精度。
- 温度校准方法系统
- [发明专利]接触电阻的测试方法及设备-CN202110551274.X在审
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林仕杰
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长鑫存储技术有限公司
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2021-05-20
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2022-11-22
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G01R31/26
- 本申请实施例提供了一种接触电阻的测试方法及设备,在测试工作于线性区的MOS晶体管的接触电阻时,通过确定MOS晶体管在各个采样温度下的总阻值与MOS晶体管的沟道宽度之间的函数关系,来确定出MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值;根据MOS晶体管的接触电阻在各个采样温度下的阻值,确定出接触电阻在当前环境温度下的校准系数,进而根据接触电阻在当前环境温度下的校准系数,对接触电阻的测量结果进行校正,得到接触电阻在当前环境温度下的准确阻值,可以有效消除环境温度以及寄生效应对接触电阻的测量结果产生的影响,提升MOS晶体管的测量精确度。
- 接触电阻测试方法设备
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