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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN201911315353.X有效
发明人：钟旻;冯高明;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元，自下而上包括：底电极，加热电极，相变单元和顶电极，相变单元为纵向设置的柱体结构，其由内而外包括：柱形选择器件层，环形阻挡层和环形相变材料层；其中，底电极和加热电极为多个，且一一对应，底电极、加热电极与相变材料层依次连接，选择器件层连接顶电极。本发明通过将相变单元与多个加热电极组合在一起，形成多个相变电阻共用一个选择器件的结构，并且不同的相变电阻通过各自的加热电极可以连接位于不同金属互连层的底电极，因此不会增加芯片水平方面的面积，从而实现高密度存储，且相变材料和加热电极厚度很薄，能有效降低器件功耗。
一种相变存储器单元及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN201911315361.4有效
发明人：钟旻;李铭;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元，自下而上包括：底电极，加热电极，相变单元和顶电极，相变单元为纵向设置的柱体，其由内而外包括：柱形选择器件层，环形阻挡层和环形相变材料层，底电极为一个，底电极与加热电极和相变材料层依次连接，选择器件层连接顶电极。本发明通过凹槽侧壁沉积或通孔填充方式制备具有环形嵌套结构的柱形相变单元，不会对相变材料的操作关键区域即相变材料与加热电极的接触区域产生损伤，可提高器件的可靠性，并使得相变区域仅为加热电极上方的部分相变材料发生相变，可大幅减小相变操作区域体积和所需热能，形成的加热电极厚度更薄，产生的电流密度更高，使加热效率得到明显提高，从而显著降低了器件功耗。
一种相变存储器单元及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN202011608134.3有效
发明人：钟旻;李铭;冯高明 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元及其制备方法，其从下到上依次包括位于衬底上的底电极、相变单元、加热电极和顶电极；其中，相变单元为纵向连接设置于底电极上的柱体，其由内而外依次设置有柱形相变材料层、环形散热层和环形选择器件层；顶电极与加热电极和相变材料层依次连接，环形选择器件层连接底电极。因此，本发明通过采用散热层包覆相变电阻层使电流密度和热量分布更加集中，从而固定相变有效操作区域，使相变电阻层有效区域体积减小，降低了器件功耗；同时，散热层与相变电阻层非有效操作区域的接触面积增大，减小非有效操作区域的热量聚集，降低非有效区域转化为有效区域的可能，提高器件可靠性。
一种相变存储器单元及其制备方法

[发明专利]一种限制型相变单元及其制备方法-CN202010426144.9有效
发明人：钟旻;陈寿面;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种限制型相变单元，自下而上包括相连的底电极、相变材料层和顶电极，相变材料层为采用侧壁沉积相变材料薄膜的方法而形成的至少一个侧壁结构，可大幅降低底电极和相变材料的接触面积，降低相变单元的功耗，避免刻蚀工艺对相变材料造成的损伤，提高器件的可靠性，并能实现全相变操作，有利于提高相变单元整列的阻值一致性。
一种限制相变单元及其制备方法

[实用新型]一种光伏支座-CN202220694083.9有效
发明人：钟旻;周启港;袁晓聪;龙浩楠;王凯;裴斐;李冰阳;李杨;甄茗灿;兰建伟 -专利权人：河北建筑工程学院
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏支座，包括光伏板背架和座板，所述的光伏板背架的一端铰接在座板上，还包括底座，座板通过第一枢轴枢接在底座上方；被动回转齿轮，同轴配装在第一枢轴上，被动回转齿轮的底面与座板固定相连；主动回转齿轮，回转设置在座板的上方；其中，所述的光伏板背架靠近座板的一侧固定有多个第一折板座，所述的座板靠近光伏板背架的一侧固定有多个第二折板座，多个第一折板座分别与对应的第二折板座铰接，所述的光伏板背架的中部与座板滑动连接。本支架应用范围广，且结构简单高效，可靠性极高。
一种支座

[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN202210325245.6在审
发明人：钟旻;冯高明;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括：第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元为纵向设置的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的选择器件层、阻挡层和相变材料层；其中，所述第一电极为多个，并分别与所述相变材料层连接，所述选择器件层与所述第二电极连接，所述选择器件层包括纵向设置的二维晶体二极管层。本发明通过形成多个相变电阻共用一个选择器件的结构，实现存储，并采用二维晶体二级管形成选择器件，能有效降低器件功耗，并能与标准CMOS工艺线兼容，从而降低了生产成本。
一种相变存储器单元及其制备方法

[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN202210326647.8在审
发明人：钟旻;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元及其制备方法，相变存储器单元自下而上包括对应设置的第一电极、相变单元和第二电极，所述相变单元被配置为纵向的柱形结构，所述柱形结构由内向外包括依次连接的相变材料层、阻挡层和选择器件层；其中，所述第一电极与所述选择器件层连接，所述第二电极与所述相变材料层连接，所述选择器件层包括纵向设置的二维晶体二极管层。本发明通过凹槽填充方式制备具有环形嵌套结构的柱形相变单元，可提高器件的性能和可靠性，并通过采用二维晶体二级管层形成选择器件层，利用其具有的较低阈值电压，能有效降低器件功耗，并节约生产成本。
一种相变存储器单元及其制备方法

[实用新型]一种太阳能光伏板顶角固定压块-CN202122837402.5有效
发明人：钟旻;龙浩楠;周启港;袁晓聪;王凯;龚云龙 -专利权人：河北建筑工程学院
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能光伏板顶角固定压块,包括支撑架体，支撑架体具有支撑脚及连接在支撑脚之间用于固定光伏板的支撑横梁；多个光伏限位板，光伏限位板的中部带有用于配合光伏板的方形凹槽，各个光伏限位板成直线排列的沿着所述的支撑横梁固定在支撑横梁上；多个光伏板，一一对应的配合在所述的方形凹槽内；其中，光伏板的其中两个相对侧面通过卡块的卡口抵接，位于光伏板的另外两个相对侧面的内侧通过压块压紧所提供的新型卡接结构，较为紧凑，并且固定支撑效果良好，具有极高的推广价值。
一种太阳能光伏板顶角固定

[发明专利]一种相变存储器光刻工艺优化方法-CN202210276000.9在审
发明人：张家睿;周智全;钟旻;冯高明;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
一种相变存储器光刻工艺优化方法

[发明专利]高密度相变存储器及其制备方法-CN201811598980.4有效
发明人：钟旻;陈寿面;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高密度相变存储器，自下而上包括：肖特基二极管，相变层和上电极，肖特基二极管包括半导体层和与半导体层形成肖特基势垒的金属层，金属层同时作为相变层的下电极；半导体层，金属层，相变层和上电极为自下而上相叠设的平层结构，或者，半导体层，相变层和上电极为自下而上设置的平面结构，金属层相连设有平面的底面和竖直的侧壁，金属层通过其底面与其下方的半导体层相叠设，并通过其侧壁与其上方的相变层相接，相变层与上电极相叠设。本发明能有效提高相变存储器单元的密度，并可减少光刻次数，简化工艺，降低制造成本。本发明还公开了上述高密度相变存储器的制备方法。
高密度相变存储器及其制备方法

[发明专利]一种相变存储单元及其制作方法-CN202111523997.5在审
发明人：蔡道林;宋志棠;朱敏;钟旻;冯高明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储单元及其制作方法，相变存储单元包括：衬底；至少一个下电极，所述下电极设置于衬底中，所述下电极的上接触面暴露于衬底外且与衬底上表面持平；相变材料层，所述相变材料层水平部分与下电极连接，所述相变材料层为L形；填充材料，所述填充材料设置于相变材料层竖直部分上方，并与相变材料层一同构成相变存储结构；上电极，所述上电极设置于相变材料层的上方。本发明能够有效缩小相变存储单元的的相变区域。
一种相变存储单元及其制作方法

[发明专利]复合沟道晶体管及其制备方法-CN201810048091.4有效
发明人：钟旻;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合沟道晶体管，包括：位于半导体衬底上的层间介电层；位于层间介电层中的栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层和层间介电层上的复合沟道层；位于复合沟道层两端的源漏区；位于层间介电层上并将复合沟道层的四周及上表面包覆的钝化层；位于钝化层中并连接源漏区的源漏电极。本发明选用具有高迁移率的石墨烯和具有可调带隙的有机薄膜共同形成复合沟道层，能有效解决石墨烯没有带隙和有机薄膜晶体管迁移率低的问题，制备出具有高迁移率的复合沟道晶体管，并能与现有的CMOS工艺兼容，制备工艺简单可行，可方便地制备出小尺寸、大规模的复合沟道晶体管阵列。本发明还公开了一种复合沟道晶体管的制备方法。
复合沟道晶体管及其制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物晶体管及其制备方法-CN201811124074.0有效
发明人：钟旻;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属硫化物晶体管，自下而上包括：栅极、栅极介电层、沟道层以及位于栅极介电层两侧的源漏区，其特征在于，在沟道方向上以及水平面中垂直于沟道方向上，所述沟道层的长度大于所述栅极介电层的长度，所述栅极介电层的长度大于等于所述栅极的长度；其中，所述源漏区为具有金属性质的第一过渡金属硫族化合物，所述沟道层为具有半导体性质的第二过渡金属硫族化合物。本发明提供的一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法，能够有效解决过渡金属硫化物晶体管沟道与源漏区之间存在接触电阻过大的问题，能够使过渡金属硫化物晶体管与现有的CMOS工艺兼容。
一种过渡金属化合物晶体管及其制备方法

[发明专利]一种金属化学机械抛光的方法-CN201611250890.7有效
发明人：钟旻 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属化学机械抛光的方法，该方法具体包括:在具有观察组件的腔体内提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成一介电层，在所述介电层中形成凹槽，所述凹槽分别位于所述半导体衬底的P型区域与N型区域上；在所述介电层上形成一金属层，所述金属层填充满所述介电层中的所述凹槽；降低所述腔体内的光照强度至小于10勒克斯，对所述凹槽进行化学机械抛光，移除所述介电层上的所述金属层。本发明通过降低化学机械抛光时腔体内的光照强度，有效避免了金属的光致阳极腐蚀现象，减少了金属表面的下陷，提高了器件性能和良率。
一种金属化学机械抛光方法

[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法-CN202010669365.9在审
发明人：钟旻;冯高明;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变存储器单元，包括依次连接的底电极、相变材料稳定层、相变材料层和顶电极；其中，相变材料稳定层具有导电性，通过在一定温度下，使相变材料稳定层与相变材料层之间在界面处发生反应，以避免因相变材料层中的元素发生分离而导致相变单元失效。同时，相变材料稳定层将相变材料层分为左右2个区域，形成了2R结构，可以提高相变单元的集成密度。本发明还公开了一种相变存储器单元的制备方法，其工艺较为简单，并能与现有的标准CMOS工艺兼容，易于大规模生产。
一种相变存储器单元及其制备方法

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