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[发明专利]一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法-CN202310555807.0在审
发明人：徐政;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。提供包括衬底、缓冲层和外延层的硅晶圆；在进行JFET注入后，两次推结分别形成第一PWELL结和第二PWELL结；第一PWELL结和第二PWELL结位于所述硅晶圆内部；进行源极注入形成源区，并在硅晶圆表面制作栅氧和多晶；制作接触区、金属层间介质；在硅晶圆的正面制作源极金属、在硅晶圆背面淀积漏极金属。本发明通过二次注入和推结，把栅极下方PWELL与JFET结电场峰值由表面推到体内，提高了器件结构的单粒子烧毁和单粒子栅击穿性能。
一种降低表面电场辐射 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法-CN202310739767.5在审
发明人：唐新宇;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法，属于半导体功率器件领域。在外延材料上生长栅氧化层，淀积多晶硅栅；光刻后对多晶硅栅和栅氧化层进行刻蚀，做出合适的图形；进行离子注入并退火形成阱、源极区；在表面依次生长氧化层、淀积氮化硅、TEOS；进行SPACER腐蚀，以氮化硅作为停止层形成侧墙，并将接触孔底部露出的氮化硅腐蚀去除；在表面形成介质层，通过光刻和腐蚀工艺，做源极和阱区的接触孔；溅射金属并利用光刻腐蚀做出源极和栅极引出。本发明利用SPACER腐蚀，形成左右两边对称的侧墙结构，以此来定义接触孔的位置，保证接触孔能对称覆盖两侧的源极区域，避免光刻精度不足引起的接触孔左右偏移，从而优化了VDMOS器件的电流均匀性和可靠性。
一种电流均匀 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种全自动钢棒圆形试样坯料制取系统-CN202310923972.7在审
发明人：黄标彩;黄继平;黄云华;叶爱丽;汪海涛;张庆东;沈涛;王义惠;李鑫;马华富;罗长林 -专利权人：福建三钢闽光股份有限公司;福建省三钢（集团）有限责任公司;齐齐哈尔华工机床股份有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种全自动钢棒圆形试样坯料制取系统，它涉及冶炼钢厂技术领域。输送带的上方安装有棒材夹具，棒材夹具上夹持有工件，输送带的左右两端分别设有第一数控动力铣头与第二数控动力铣头，且第一数控动力铣头靠近第二数控动力铣头一侧设有弹性取料器。本发明有益效果为：本制取系统中各个工位可独自完成本工位的动作，一次上料即可完成棒材坯料的定位、装夹、拉伸试样、冲击试样、端淬试样和ON试样的坯料钻取、去毛刺加工、试样坯料的接取、打制编码和摆放等工作，不仅其自动化程度高，且稳定性好，适用于各种规格的棒材坯料，加工效率高。
一种全自动圆形试样坯料制取系统

[发明专利]一种圆棒检验试样自动化加工设备及其加工流程-CN202310902700.9在审
发明人：黄标彩;黄继平;黄云华;叶爱丽;李鑫;张庆东;沈涛;王义惠;张升豪;马华富;罗长林 -专利权人：福建三钢闽光股份有限公司;福建省三钢（集团）有限责任公司;齐齐哈尔华工机床股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：一种圆棒检验试样自动化加工设备及其加工流程，涉及棒材加工设备技术领域。第一激光打标机设置于第一关节机器人抓取范围内一侧，第一交互台设置于第一激光打标机一侧，第一试样套取机床设置于第一交互台一侧且远离第一关节机器人。采用多台全自动高速圆盘锯以及多台关节机器人、多套附件、多台全自动棒材试样套取机床组成一套圆棒检验试样自动化加工单元，可以实现圆棒类取样的自动化、智能化操作，代替人工操作单台设备的取样方式，实现加工效率最大化、降低操作者劳动强度的目的，实现连续24小时作业化。
一种检验试样自动化加工设备及其流程

[发明专利]一种数据平台反爬虫方法、系统、电子设备及存储介质-CN202310915567.0在审
发明人： 张庆东;冯玉权;刘落根;戴勇波 -专利权人：企知道科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：一种数据平台反爬虫方法、系统、电子设备及存储介质，涉及大数据处理技术领域。该方法包括：获取平台访问数据；提取所述平台访问数据的特征信息，所述特征信息包括页面点击次数、页面停留时间以及页面访问频率；将所述特征信息输入预设聚类算法模型，得到访问者群体；根据预设选取规则，选取访问者群体中的疑似爬虫对象；判断所述疑似爬虫对象是否存在二次访问预设无效链接操作；若是，则根据预设蜜罐获取所述疑似爬虫对象的ip，并禁止所述ip对应的所有访问请求。实施本申请提供的技术方案，通过结合访问者的特征信息确定疑似爬虫对象，并设置无效链接检测疑似爬虫对象的访问行为，达到了识别爬虫程序准确性的效果。
一种数据平台爬虫方法系统电子设备存储介质

[发明专利]一种敏感数据传输方法、服务器及存储介质-CN202310920027.1在审
发明人： 张庆东 -专利权人：企知道科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种敏感数据传输方法、服务器及存储介质，该方法包括：服务器接收当前信息访问设备发送的待存储数据的存储请求指令；服务器根据存储请求指令生成用于加密待存储数据的加密程序；服务器将加密程序发送给当前信息访问设备，使得当前信息访问设备利用加密程序对待存储数据进行加密得到加密数据；服务器接收当前信息访问设备发送的加密数据；服务器将加密数据发送给数据库，使得数据库保存加密数据。服务器使用户输入的待存储数据在用户侧即被加密，在后续的传输过程中以加密文件的方式进行传输，来提高敏感数据的保密方式的完善度，进而提高对敏感数据的保密性。
一种敏感数据传输方法服务器存储介质

[发明专利]一种基于订单信息的货车钢板钢卷混装方法-CN202111072863.6有效
发明人：黎立璋;陈伯瑜;张庆东;徐哲壮;王金龙;陈剑;郭凌欢;蔡东洲 -专利权人：福建三钢闽光股份有限公司;福州大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06Q10/0832 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于订单信息的货车钢板钢卷混装方法，首先根据订单将满足混装条件的钢板和钢卷划归为一类，并通过建立优化问题，寻找最优配载指标，以此确定最终的不同钢种的配载方案。本发明的有益效果在于实现了不同订单钢板钢卷自动化配载，避免了人工干预产生的效率低下问题，并充分保证了运输安全。
一种基于订单信息货车钢板钢卷混装方法

[发明专利]一种空间网格生成方法、装置、设备及介质-CN202310974750.8在审
发明人：庞宇飞;张庆东;刘杨;陈浩;谢冬香;胡月凡;张勇杰;杨璐;陈超;张千一 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心计算空气动力研究所
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06T17/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种空间网格生成方法、装置、设备及介质，涉及流体力学领域，该方法包括：获取至少两组带有剪刀缝区域的数模数据；其中每组数模数据中均包含两个由网格线构造而成的三维空间三角形，且两个三维空间三角形所在的平面平行；将每一三维空间三角形构建为三维空间四边形，并利用预设拓扑构建方法构建三维空间四边形的内部拓扑；将全部数模数据对应的每一三维空间四边形进行连接，并对连接后生成的每一封闭四边形进行网格面装配，然后将网格面装配后的三维图形进行网格块装配，以生成针对数模数据的空间网格。本发明可节约大量生成拓扑时间，实现了空间网格的快速生成，提升了CFD的计算精度。
一种空间网格生成方法装置设备介质

[发明专利]一种基于Mask R-CNN的白带滴虫检测与跟踪方法-CN202310917597.5在审
发明人： 张庆东;林崇应;赵少华 -专利权人：深圳市美侨医疗科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本申请涉及医学细胞识别的技术领域，尤其涉及一种基于Mask R‑CNN的白带滴虫检测与跟踪方法。本申请通过使用Mask R‑CNN实例分割模型准确地识别出视频序列中的Detections，Detections包括滴虫的质心坐标、外接矩形框及mask区域，然后通过使用Deepsort算法对滴虫进行实时跟踪并统计运动滴虫和非运动待确认滴虫的个数。当在Detections中不包含运动滴虫的情况下，对检出的Detections进行二次判断，从而识别出一些运动幅度不大或者主体不动只有鞭毛摆动的静态滴虫，最后综合检测结果输出白带标本的属性，相比较于相关技术中基于时间序列的帧差法对运动目标进行分析的方法，检出率更高、识别率更好，大大降低了白带临床检测中滴虫的假阴性率。
一种基于 mask cnn 白带滴虫检测跟踪方法

[发明专利]衣领缝制夹具及其缝制方法-CN201810414004.2有效
发明人：张小林;张庆东 -专利权人：杭州杭丝时装集团有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： D05B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了衣领缝制夹具及其缝制方法，夹具包括：第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片、第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片，其中：第一薄片、第二薄片和第四薄片与第三薄片的左边铰接；第五薄片、第六薄片、第七薄片和第八薄片与第三薄片的右边铰接；第三薄片的中部镂空，该镂空的形状与领座的形状接近且小于领座的形状；第四薄片开设有第一缝纫通道；第七薄片开设有第二缝纫通道；第八薄片开设有第三缝纫通道；第一薄片、第二薄片、第三薄片、第四薄片叠在一起缝制其中的一条缝制线，第七薄片、第六薄片、第五薄片、第三薄片和第八薄片叠在一起缝制另外的一条缝制线。本发明具有结构简单、成本低、使用方便、缝制质量好、工作效率高、能用新员工使用的有益效果。
衣领缝制夹具及其方法

[发明专利]肩章缝制夹具-CN201810414293.6有效
发明人：张小林;张庆东 -专利权人：杭州杭丝时装集团有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： D05B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肩章缝制夹具，包括：铰接一起的第一夹具组件、第二夹具组件，第一夹具组件或第二夹具组件包括：左翻边板、右翻边板，两者镜像设置；肩章拉板；内板，其开设有内板镂空腔；外板，其开设有外板镂空腔，外板镂空腔与内板镂空腔形状相同且宽度大于肩章拉板的宽度；中板，其与内板和外板固定且位于内板和外板之间，中板设置有中板镂空腔、对称设置的左翻边板腔、右翻边板腔和肩章限位腔，左翻边板腔放置左翻边板，左翻边板仅能沿着左平行边方向移动，右翻边板腔放置右翻边板，右翻边板仅能沿着右翻边板腔方向移动；本发明具有结构简单、缝制方便、适用普通员工缝制、工作效率高的有益效果。
肩章缝制夹具

[发明专利]一种用于污水中挥发性有机物的采样系统及其采样方法-CN201610831036.3有效
发明人：赵东风;崔积山;黄敏超;刘涛;张庆东 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本发明属于环境检测领域，具体的说是一种用于污水中挥发性有机物的采样系统及其采用方法。一种用于污水中挥发性有机物的采样系统，它包括设置在污水排污管路上的污水管路，污水管路依次与进水阀门、降温器、稀释器和出水管路相连，出水管路上设有采样管路，稀释器与稀释水管路相连。通过降温器和稀释器将污水降温和稀释，将污水的温度压力降到正常水平，同时在密闭的稀释器内进行稀释，可以提高有机物的溶解度，避免在传统采用过程中因为闪蒸而造成有机物的损失，从而影响检测的不够准确；本发明结构简单，操作方便，实用性强。
一种用于污水挥发性有机物采样系统及其采样方法

[发明专利]一种高密度trench型MOSFET的制造方法-CN202310582828.1在审
发明人：廖远宝;徐政;徐海铭;唐新宇;张庆东 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入，沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅‑氧化硅‑氮化硅结构，此膜层结构一直保留至多晶刻蚀；多晶刻蚀后对硬掩膜层中第二氧化硅层和第一氮化硅层进行SPACER刻蚀处理，在多晶两侧形成SPACER侧墙；介质孔腐蚀后，在孔打开区域形成氮化硅硬掩蔽层，实现硅孔自对准腐蚀，保证硅孔始终处于沟槽与沟槽之间的中心位置。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程加工顺序，不需要增加额外的光刻层次，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以有效提升产品可靠性。
一种高密度 trench mosfet 制造方法

[发明专利]一种SGT型MOSFET的制造方法-CN202310688194.8在审
发明人：廖远宝;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;徐政;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种SGT型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明针对SGT性栅源两层多晶采用上下结构的组合方式，SGT型MOSFET器件主要分为两个部分，上半部分为场氧和源极多晶的形成；下半部分为栅氧化层和栅多晶。这两个部分需要用氧化层进行隔离。本发明的方法利用氮化硅侧墙效应，打开源极多晶顶部实现氧化隔离，有效降低导通电阻和栅漏电容，提升器件产品的性能，并且降低工艺成本和工艺难度，制造出高性能SGT型MOSFET产品。
一种 sgt mosfet 制造方法

[发明专利]基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法-CN202310598091.2在审
发明人：徐政;吴素贞;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种基于多晶硅化物连线的抗单粒子辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。首先提供硅晶圆材料，通过P+注入形成P+低阻；接着在P+低阻表面制作多晶和多晶硅化物，减小多晶硅化物的互连线条宽；然后制作接触孔和硅孔结构；最后在形成硅孔之后实施P++注入，最后制作金属结构。本发明针对抗辐射VDMOS器件的多晶互连线结构做出改进优化，使用多晶硅化物代替多晶，把多晶硅化物互连线条宽减小到多晶互连线条宽的0.1倍，减小了单粒子穿过器件时的硅表面电压，实现VDMOS器件的单粒子加固。
基于多晶硅化物连线粒子辐射 vdmos 器件制造方法

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