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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780090559.X有效
发明人： 小山英寿 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：在GaN类半导体层(3、4)之上形成源极电极(5)、漏极电极(6)、T型栅极电极(9)而形成晶体管。形成覆盖T型栅极电极(9)的绝缘膜(10、11)。对晶体管的特性进行评价。通过与评价结果对应地对绝缘膜(10、11)的膜种类、膜厚度或介电常数进行调整，从而使晶体管的特性接近作为目标的特性。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410709725.8有效
发明人： 小山英寿 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其能够抑制在通路孔内产生空隙。半导体装置(100)具备半导体衬底(12)。半导体衬底具备表面(12a)和背面(12b)，在表面设置有晶体管(26)的源极电极(20)、栅极电极(22)及漏极电极(24)。源极电极具有上表面(20a)及下表面(20b)。到达下表面(20b)的开口设置于背面(12b)。Au层(14)覆盖开口的侧面及底面。Ni层(16)设置为在开口内覆盖Au层(14)。Au层(19)由与Ni层的材料相比对焊料的密接性更高的材料形成，以在开口内覆盖Ni层的至少一部分的方式层叠于Ni层。焊料层(32)设置为填埋开口内部，与Ni层的一部分及Au层(19)接触。
半导体装置开口源极电极下表面衬底半导体背面覆盖焊料表面设置材料形成开口设置漏极电极栅极电极焊料层密接性上表面通路孔晶体管底面填埋侧面

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610827160.2在审
发明人：冈崎拓行;仓桥健一郎;小山英寿;北野俊明;加茂宣卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201410489794.2在审
发明人：冈崎拓行;加茂宣卓;野上洋一;小山英寿;宫国晋一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由Al_yGa_1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的Al_xGa_1-xN构成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210317464.6有效
发明人：野上洋一;小山英寿;山本佳嗣 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210041968.X有效
发明人：仓桥健一郎;小山英寿;尾上和之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够相对于绝缘膜的开口中心无偏差地形成场电极构造的半导体装置的制造方法。本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200810085238.3有效
发明人： 小山英寿;加茂宣卓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种3维结构的半导体装置，其能够在既避免制造工序的复杂化又高精度地把握在多个半导体层中分别形成的半导体元件的位置关系的同时来进行制造。准备作为透明衬底的SiC衬底(2)，在该SiC衬底(2)中形成布线(30、32)、晶体管(10)之后，在其上使GaN层(6)外延生长，接着，在GaN层(6)中形成布线(18、32)。以与布线(18、32)电连接的方式形成晶体管(20)。
半导体装置

[发明专利]晶体管-CN200710193300.6有效
发明人： 小山英寿;加茂宣卓;志贺俊彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种晶体管，具有将肖特基势垒高度或者理想系数值这样的特性保持为良好的值并且耐热性优良的电极。在AlGaN层(14)上层叠高氮化率的TaN层(22)，得到良好的特性的肖特基结。在TaN层(22)的周围设置绝缘膜(16)，在TaN层(22)的上层层叠耐热性优良的低氮化率TaN层(24)。由TaN层(24)和绝缘膜(16)覆盖TaN层(22)，保护TaN层(22)不暴露在大气中。
晶体管