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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810543233.4有效
发明人：张东亮;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括：提供第一晶片，包括：第一电连接件和第二电连接件、第一电介质层和第二电介质层、第二电介质层中的第一开口以及至少覆盖第二电介质层并填充第一开口的第三电介质层；将第二晶片接合到第一晶片；形成第一硅通孔TSV和第二TSV，第一TSV与第一电连接件的至少一部分重叠，穿过第二晶片和第三电介质层，并暴露出第二电介质层的一部分的表面，第二TSV与第一开口的至少一部分重叠，穿过第二晶片、第三电介质层及其下方的由第一开口暴露的第一电介质层，并暴露出第二电连接件的至少一部分的表面；形成分别填充第一TSV和第二TSV的第一导电插塞和第二导电插塞。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710873793.1有效
发明人：武海亮;陈世杰;穆钰平;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，包括辐射感测单元，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；以及第一绝缘层，位于所述衬底的第二表面之上，所述第一绝缘层包括与辐射感测单元对应的侧面开口，在俯视图中所述侧面开口位于所述辐射感测单元的至少一侧；以及阻挡件，位于所述侧面开口中，所述阻挡件包括辐射吸收材料或者辐射反射材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]测试装置、测试装置的制造方法以及测试方法-CN201810086158.3有效
发明人：北村阳介;大石周;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及测试装置、测试装置的制造方法以及测试方法。在一个实施例中，本公开涉及测试装置，该测试装置可以包括：衬底，包含第一表面和第二表面；像素传感器阵列，布置在所述衬底内且对通过所述衬底的第一表面入射的光敏感；不透光的遮蔽层，布置在所述衬底的第一表面上方并且覆盖所述像素传感器阵列中的一部分像素传感器内的光电元件。
测试装置制造方法以及

[发明专利]图像传感器及用于形成图像传感器的方法-CN201711004542.6有效
发明人：龙海凤;李天慧;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及图像传感器及用于形成图像传感器的方法，其中一种图像传感器包括：衬底，所述衬底中形成有光电二极管；以及聚光部，所述聚光部位于所述衬底上，其中，所述聚光部具有斜面，且所述聚光部被构造为：使得要进入所述光电二极管的周围区域的光从所述斜面进入所述聚光部，并将所述光向所述光电二极管的方向折射。本公开涉及的图像传感器及用于形成图像传感器的方法，使得更多的光进入衬底中的光电二极管的区域，从而改善图像传感器的光敏感度。
图像传感器用于形成方法

[发明专利]堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法-CN201810061247.2有效
发明人：穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法。一实施例提供了堆叠式图像传感器，包括：逻辑衬底及其上方的第一金属连线层；第一金属连线层上的第一电介质层；第一电介质层上的第二金属连线层，具有第一金属件和第二金属件；第二金属连线层上的像素衬底，具有像素区域和外围区域；焊盘开口，穿通像素衬底而到达第一金属件，使第一金属件的一部分暴露于外部以作为焊盘；以及穿通硅通孔，穿通像素衬底和第一金属件的另一部分而到达第一金属互连层的一个金属件，穿通硅通孔中填充有接触件，其使第一金属件电连接到该一个金属件，第一金属件位于外围区域对应区域，第二金属件位于像素区域对应区域且在平面图中覆盖所有像素单元。
金属件金属连线层衬底穿通堆叠式图像传感器像素电介质层外围区域像素区域硅通孔像素管金属互连层焊盘开口像素单元电连接接触件焊盘填充制造暴露外部覆盖

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710950906.3有效
发明人：穆钰平;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。其中一个实施例提供了一种半导体装置，其包括：衬底，具有相邻的第一区域和第二区域，其中衬底在第一区域中形成有第一沟槽结构部件，在第二区域中形成有第二沟槽结构部件，以及在第一区域和第二区域之间的边界处形成有伪沟槽结构部件；其中，第一沟槽结构部件在衬底中的深度小于第二沟槽结构部件在衬底中的深度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910902196.6在审
发明人：刘胜娜;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造方法包括：提供衬底；在衬底的第一面中形成深沟槽；利用中间材料填充深沟槽，以形成中间扩散部，其中中间材料具有掺杂剂，掺杂剂的掺杂类型与衬底的掺杂类型相同；以及使掺杂剂离子扩散到深沟槽的侧壁中，形成掺杂层。
深沟槽衬底掺杂类型中间材料掺杂剂半导体装置掺杂剂离子扩散掺杂层侧壁填充制造

[发明专利]封装护膜以及半导体器件的封装方法-CN201910754598.6在审
发明人： 黄晓橹;张瑞鸿;张松 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种封装护膜以及半导体器件的封装方法，所述封装护膜包括：堆叠的第一子膜以及第二子膜，所述第一子膜的背面与所述第二子膜的正面相对且互相粘贴；其中，所述第一子膜的正面具有粘性；所述第一子膜具有多个中空的孔洞。本发明方案可以在剥离封装护膜时，降低芯片的表面材料层被剥离或发生破损的可能性。
子膜封装护膜半导体器件剥离孔洞表面材料层中空的堆叠粘贴背面破损芯片

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201910716338.X在审
发明人：佟璐;富田隆治;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个感光器件；位于所述半导体衬底内的隔离结构；以及位于所述半导体衬底上的多个滤光层，所述多个滤光层与所述多个感光器件在位置上一一对应并包括至少一对彼此相邻且具有相同颜色的滤光层，其中，所述隔离结构仅存在于彼此相邻且具有不同颜色的滤光层所对应的感光器件之间。在本申请的图像传感器及其制造方法中，相同颜色的滤光层所对应的感光器件之间不设置DTI结构，因此同色光之间不存在串扰，能够达到良好的光利用率，同时DTI结构的数量的减少也带来了暗电流的减少。
滤光层图像传感器感光器件衬底半导体隔离结构制造光利用率暗电流同色光串扰申请

[发明专利]堆叠式图像传感器及其形成方法-CN201910607772.4在审
发明人：管斌;马康;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种堆叠式图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一面和第二面，所述第一晶圆内形成有第一金属互连结构和感光元件；在所述第一晶圆的第一面形成第一沟槽；形成第一焊垫，所述第一焊垫的第一端与所述第一金属互连结构电连接，第二端暴露于所述第一沟槽底部；在所述第一沟槽内壁以及所述第一晶圆的第一面上形成第二介质层；刻蚀所述第一沟槽底部的第二介质层至暴露所述第一焊垫的第二端；在所述第一焊垫的第二端以及所述第二介质层上形成滤光片隔离层。所述方法增大图像传感器的像素区域的面积，提高了图像传感器放电的灵敏度。
晶圆焊垫介质层堆叠式图像传感器金属互连结构图像传感器感光元件沟槽内壁像素区域第二面第一端电连接隔离层灵敏度滤光片暴露放电刻蚀面形申请

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910511067.4在审
发明人：张东亮;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，图像传感器包括：衬底，所述衬底包括黑白像素区和彩色像素区，所述衬底具有相对的第一面和第二面；位于所述衬底黑白像素区内的第一感光层；位于所述衬底彩色像素区内的第二感光层；位于所述衬底彩色像素区第二面表面的第二滤光层，所述第二滤光层通过单色光；位于所述衬底黑白像素区第二面表面的多个第一滤光层，所述第一滤光层的材料为透明材料，所述第一滤光层内掺杂有感光剂，当进入第一滤光层的入射光的光通量大于预设值时，所述感光剂变色使得第一滤光层形成为第三滤光层，第三滤光层通过单色光，当进入第一滤光层的入射光的光通量小于或等于预设值时，第一滤光层通过自然光。所述半导体器件的性能得到提高。
滤光层衬底半导体器件彩色像素黑白像素第二面单色光感光层感光剂光通量入射光预设图像传感器自然光透明材料变色掺杂

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910511109.4在审
发明人：方欣欣;夏春秋;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有衬底掺杂区；在所述衬底掺杂区内形成底层掺杂区，所述底层掺杂区的掺杂类型与所述衬底掺杂区的掺杂类型相反；在所述半导体衬底的表面形成外延层；在所述外延层内形成第一顶层掺杂区和第二顶层掺杂区，所述第一顶层掺杂区与所述底层掺杂区一一对应且掺杂类型相同，所述第二顶层掺杂区环绕所述第一顶层掺杂区且掺杂类型相反。本发明方案可以形成更好的掺杂分布，提高掺杂离子的均匀性，减少对设备的限制，以及降低生产成本。
掺杂区衬底顶层掺杂类型半导体图像传感器外延层表面形成掺杂分布掺杂离子对设备均匀性掺杂环绕

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910362387.8在审
发明人：翟仁杰;内藤逹也;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一像素区、第二像素区以及位于第一像素区和第二像素区之间的隔离区；在所述衬底第一像素区内形成第一光电掺杂区；在所述衬底第二像素区内形成多个相互分立的第二光电掺杂区；在所述衬底隔离区内形成凹槽；在所述凹槽底部表面和侧壁表面形成导电层；在所述衬底第一像素区表面形成遮挡层。所述方法提高了图像传感器的性能。
衬底像素区图像传感器掺杂区像素凹槽底部表面表面形成侧壁表面导电层隔离区遮挡层分立隔离

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN201910362497.4在审
发明人：管斌;张东亮;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。背照式图像传感器包括：晶片堆叠，包括：第一晶片，包括第一衬底和在第一衬底之上的第一布线层，第一衬底包括像素区域和像素区域周围的外围区域；第二晶片，包括第二衬底和在第二衬底之上的第二布线层；以及位于第一晶片的第一布线层和第二晶片的第二布线层之间的接合层；多个穿透孔，在第一衬底的外围区域中延伸穿过第一晶片和接合层到达第二晶片；在多个穿透孔中的第一金属材料；在多个穿透孔中的至少一个穿透孔中的第一金属材料上的接触孔；以及在第一衬底的像素区域之上的凹陷区域，其形成像素区域的窗口；在至少一个穿透孔的接触孔以及像素区域的窗口之上的第二金属材料层。
衬底晶片像素区域穿透孔布线层背照式图像传感器金属材料外围区域接触孔接合层金属材料层凹陷区域晶片堆叠延伸穿过制造

[发明专利]光电装置及其制造方法-CN201910361360.7在审
发明人：陈峰;陈世杰;晁阳;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本公开涉及一种光电装置及其制造方法。光电装置包括：衬底，所述衬底中形成有光电器件；抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述光电器件，所述抗反射层的厚度为沉积形成的预设厚度；第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述光电器件上方的抗反射层。
抗反射层光电器件光电装置钝化层衬底预设沉积覆盖制造