“穆钰平”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果32个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]掩膜版监测装置及监测方法-CN201911021596.2有效
发明人：赵晗;穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N21/94 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版监测装置及监测方法，用于在掩模版运输过程中监测异物掉落在所述掩模版表面上的时间及位置，所述掩模版监测装置包括：一光发射装置，设置在所述掩膜版的一侧，所述光发射装置能够发射一平行所述掩膜版表面的检测光；一光接收装置，设置在所述掩膜版的另一侧，并与所述光发射装置相对，所述光接收装置能够接收所述检测光，当有异物掉落在所述掩模版表面，所述异物位于所述光发射装置与所述光接收装置之间的光路上，所述异物对应区域的全部或者部分所述检测光被遮挡，使得该区域的所述光路被全部或部分断开，所述光接收装置能够记录所述光路被全部或部分断开的特征信息。
掩膜版监测装置方法

[发明专利]保护膜组件、光掩膜版、光刻机及由其制作的产品-CN202210119351.9在审
发明人： 穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种保护膜组件、光掩膜版、光刻机及由其制作的产品，保护膜组件适用于光掩膜版，包括保护膜和用于支撑保护膜的支撑架，支撑架包括：第一架体，第一架体设置于光掩膜版的基底上；第二架体，第二架体上安装有保护膜；其中，第一架体和第二架体可拆卸地连接。本发明的保护膜组件解决了现有技术中的光掩膜版上的保护膜不便于拆装的问题。
保护膜组件光掩膜版光刻制作产品

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110588022.4有效
发明人：陈赫;肖亮;伍术;黄磊;穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：堆叠的第一绝缘层、源极层和堆叠结构，源极层位于第一绝缘层和堆叠结构之间，堆叠结构包括交替堆叠的导电层和层间绝缘层；若干穿过堆叠结构的沟道结构；连接层，位于第一绝缘层背离堆叠结构的一侧，并具有凸出部，凸出部穿过第一绝缘层与源极层电连接；若干接地结构，位于源极层背向堆叠结构的一侧，接地结构穿过第一绝缘层，且两端分别与源极层、连接层电连接；至少部分接地结构在最邻近源极层的导电层上的投影与导电层重叠。本发明的接地结构可以按需设置以增强排出源极层上电荷的能力，可以降低电荷击穿源极层的风险，提高了三维存储器的良率。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]一种掩膜板-CN201811502566.9有效
发明人： 穆钰平;姜鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本申请提供一种掩膜板，包括衬底和位于衬底表面的掩膜板本体，掩膜板本体包括图案部分和静电保护结构，所述图案部分用于在晶圆上形成图形，也即曝光形成芯片的区域，而静电保护结构围绕图案部分设置，静电保护结构不仅包括围绕图案部分的封闭结构，还包括相对于封闭结构凸出的多个尖端凸起。由于在静电保护结构的封闭结构上设置了多个尖端凸起，基于尖端放电原理，在封闭结构上设置多个尖端凸起，能够提高封闭结构的放电能力，从而对位于封闭结构内部的图案部分进行保护，避免因静电释放，造成形成芯片部分的图案部分被损坏，而使得晶圆上铺出的图形受到影响，进而导致晶圆良率下降的问题。
一种掩膜板

[发明专利]三维存储器及其制备方法、电子设备-CN202010068208.2有效
发明人： 穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供了三维存储器及其制备方法、电子设备。其中，三维存储器包括基体与电介质层。基体具有第一区与第二区，第一区连接第二区。电介质层设于基体的一侧，电介质层包括连接件与散热件，连接件连接基体。散热件包括第一散热部与第二散热部，第一散热部连接至少部分第二散热部，且第一散热部相较于第二散热部靠近基体设置。通过使第一散热部连接至少部分第二散热部，这样第二散热部在进行键合时会吸收大量热量，而当部分第二散热部吸收的热量过大时，可通过第一散热部将热量传导给其余的第二散热部，从而使第二散热部的热量分布均匀。本申请提供的三维存储器可有效防止在键合时局部热量过于集中，降低三维存储器的稳定性与使用寿命。
三维存储器及其制备方法电子设备

[发明专利]一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法-CN202010353120.5有效
发明人： 穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体层；对半导体层刻蚀形成多个器件结构，器件结构包括有效器件及位于有效器件外围的多个测量标记，相邻两个器件结构各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套；根据相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量。相邻两个器件结构中各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套，进而，能够通过获取相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量，达到监测半导体层中有效器件之间偏移矢量的目的，能够为后续工艺制作提供当前半导体层中器件偏移数据支持。
一种器件偏移监测方法半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种光罩防护结构、光罩基板的包装方法、光刻方法-CN202110032583.6在审
发明人： 穆钰平;姜鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光罩防护结构、光罩基板的包装方法、光刻方法，光罩护膜框的一端固定连接在光罩基板上，另一端连接第一保护膜和第二保护膜，第二保护膜位于第一保护膜远离光罩基板的一侧，第一保护膜为光罩功能膜；第一保护膜在光罩基板的正投影覆盖光罩基板上的掩膜图形，第二保护膜在光罩基板上的正投影覆盖第一保护膜，第一保护膜和第二保护膜在垂直于光罩基板的方向上的距离大于或等于预设值。在光罩功能膜上覆盖第二保护膜，第二保护膜保护光罩功能膜，避免颗粒掉落至光罩功能膜上，且由于光罩功能膜和第二保护膜之间具有一定的间隔，在去除第二保护膜时不会对光罩功能膜造成损伤，保证光罩功能膜能够有效保护掩膜图形，提高工艺质量。
一种防护结构光罩基板包装方法光刻

[发明专利]具有静电放电保护的光掩模-CN201980000184.2有效
发明人：姜鹏;穆钰平;方红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模，所述光掩模包括衬底、所述衬底上的电路图案、所述衬底上的静电放电(ESD)环以及所述衬底上的ESD线。所述ESD结构围绕所述电路图案。所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的边缘部分包括至少一个梳状结构。
具有静电放电保护光掩模

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710802689.3有效
发明人：柯天麒;穆钰平;姜鹏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，具有其中形成用于感测辐射的辐射传感器的感测区以及不用于感测辐射的非感测区，衬底具有第一导电类型；中间层，形成在衬底之上，中间层形成有开口，开口在非感测区延伸到衬底；导电层，包括水平部分以及一个或多个垂直部分，水平部分形成在中间层之上，一个或多个垂直部分形成在开口内并延伸到衬底；以及在衬底中形成的一个或多个掺杂区，掺杂区与导电层的对应的垂直部分相邻和/或与衬底和中间层的界面相邻，掺杂区掺杂有第一导电类型的掺杂剂。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置-CN201810086093.2有效
发明人： 穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置。提供有一种晶片堆叠结构，包括：第一晶片，包括：具有金属垫盘结构的第一衬底和第一绝缘层及其中的导电层，第一绝缘层具有露出第一晶片中的导电层的部分的一个或多个开口；第二晶片，包括：第二衬底，第二绝缘层及其中的导电层以及包括与第二晶片中的导电层电连接的一个或多个导电凸块的接合部，导电凸块被配置为与露出的第一晶片中的导电层的部分键合；第三晶片，通过接合层与第一晶片接合，包括：第三衬底和第三绝缘层及其中的导电层；以及穿透第三晶片和接合层直至金属垫盘的TSV，该TSV穿透第三晶片中的导电层并与之电连接，从而提供金属垫盘和第三晶片中的导电层之间的电连接。
晶片堆叠结构及其制造方法以及图像装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710873793.1有效
发明人：武海亮;陈世杰;穆钰平;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，包括辐射感测单元，所述衬底具有接收入射辐射的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；以及第一绝缘层，位于所述衬底的第二表面之上，所述第一绝缘层包括与辐射感测单元对应的侧面开口，在俯视图中所述侧面开口位于所述辐射感测单元的至少一侧；以及阻挡件，位于所述侧面开口中，所述阻挡件包括辐射吸收材料或者辐射反射材料。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法-CN201810061247.2有效
发明人： 穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法。一实施例提供了堆叠式图像传感器，包括：逻辑衬底及其上方的第一金属连线层；第一金属连线层上的第一电介质层；第一电介质层上的第二金属连线层，具有第一金属件和第二金属件；第二金属连线层上的像素衬底，具有像素区域和外围区域；焊盘开口，穿通像素衬底而到达第一金属件，使第一金属件的一部分暴露于外部以作为焊盘；以及穿通硅通孔，穿通像素衬底和第一金属件的另一部分而到达第一金属互连层的一个金属件，穿通硅通孔中填充有接触件，其使第一金属件电连接到该一个金属件，第一金属件位于外围区域对应区域，第二金属件位于像素区域对应区域且在平面图中覆盖所有像素单元。
金属件金属连线层衬底穿通堆叠式图像传感器像素电介质层外围区域像素区域硅通孔像素管金属互连层焊盘开口像素单元电连接接触件焊盘填充制造暴露外部覆盖

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710950906.3有效
发明人： 穆钰平;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。其中一个实施例提供了一种半导体装置，其包括：衬底，具有相邻的第一区域和第二区域，其中衬底在第一区域中形成有第一沟槽结构部件，在第二区域中形成有第二沟槽结构部件，以及在第一区域和第二区域之间的边界处形成有伪沟槽结构部件；其中，第一沟槽结构部件在衬底中的深度小于第二沟槽结构部件在衬底中的深度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811455354.X在审
发明人： 穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及形成方法，该半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；位于第二区域的沟槽；位于沟槽内的隔离结构，隔离结构包括：位于沟槽表面的绝缘层以及位于绝缘层背离沟槽一侧的信号阻挡层，信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；从而利用金属层对半导体结构中相邻第一区域中间深度较浅的区域进行信号隔离，提高相邻第一区域中间深度较浅的区域的信号隔离效果，进而缓解半导体器件中不同区域的信号串扰现象，并利用第一氧化物层对相邻第一区域中间深度较深区域进行信号隔离，解决现有工艺无法实现深度较深区域的金属沉积的问题。
第一区域半导体器件半导体结构信号隔离绝缘层信号阻挡层第二区域隔离结构氧化物层金属层深区域沟槽表面金属沉积信号串扰背离缓解

[发明专利]形成穿通硅通孔结构的方法及形成图像传感器的方法-CN201810017018.0在审
发明人：王月;陈世杰;穆钰平;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种形成穿通硅通孔结构的方法，包括：从第一管芯的上表面进行第一刻蚀处理以形成第一凹槽，所述第一凹槽穿过所述第一管芯中的半导体衬底，其中，所述第一管芯的下表面与第二管芯连接在一起；从所述第一凹槽的底部进行第二刻蚀处理以形成与所述第一凹槽连通的第二凹槽，所述第二凹槽穿过所述第一管芯中的第一互连金属中形成的缺口；对所述第一凹槽和所述第二凹槽一起进行第三刻蚀处理以加深所述第一凹槽和所述第二凹槽，从而使得所述第一凹槽的底部到达所述第一互连金属，并使得所述第二凹槽的底部到达所述第二管芯中的第二互连金属。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够简化工艺流程。
管芯互连金属图像传感器第二管硅通孔穿通刻蚀穿过凹槽连通工艺流程上表面下表面衬底半导体加深

1
2
3
下一页»
尾页
共 32 条