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[发明专利]双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法-CN201210133934.3有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种双层SOI混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法。本发明中PMOSFET采用(110)表面晶向硅层，NMOSFET采用(100)表面晶向硅层。在低温剥离技术中，随着氢气的压力增大，裂缝更倾向于沿(100)晶向生长，因此沿(100)晶向更容易进行硅层剥离，方便了层转移工艺实现。
双层 soi 混合向后栅型反型模式 sinwfet 制备方法

[发明专利]一种制作半导体内建应力纳米线的方法-CN201210136041.4有效
发明人： 黄晓橹;葛洪涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制作内建应力纳米线的方法、制作半导体器件的方法、以及所述方法制作的NWFET半导体器件，本发明所述方法采用后栅工艺（Gate-last），在进行栅极区域刻蚀时，NWFET区域侧面已有SiO2层保护，这时栅极区域的NW受到的反向应力方向是水平方向的，从而有效解决了美国专利US2011/0104860A1中出现的问题，即避免了半导体纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了半导体纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题。
一种制作半导体应力纳米方法

[发明专利]提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构-CN201210169809.8有效
发明人：刘格致;黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种提高载流子迁移率的CMOS器件的制作方法及器件结构，包括：提供包含NMOS有源区、PMOS有源区和周边区域的衬底；在所述衬底的周边区域形成多个浅沟槽隔离结构；刻蚀临近所述NMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成拉应力凹槽；在所述拉应力凹槽内填充拉应力材料；刻蚀临近所述PMOS有源区的浅沟槽隔离结构之间的衬底以形成压应力凹槽；以及在所述压应力凹槽内填充压应力材料。本发明制作方法不会对器件形状造成破坏而且避免了制作工艺对器件性能的干扰，并且制造工艺要求低，也有利于器件尺寸的持续缩小，同时提高了载流子迁移率从而改善器件性能。
提高载流子迁移率 cmos 器件制作方法结构

[发明专利]一种双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS制备方法-CN201210133931.X有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS制备方法。形成上下两层MOSFET的沟道区是具有不同表面晶向的硅纳米线，其中下层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有压应力的PMOSFET，上层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有张应力的NMOSFET。
一种双层隔离混合应变纳米 cmos 制备方法

[发明专利]SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法-CN201210133935.8有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的制备方法。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET为NMOSFET，第二半导体纳米线MOSFET为PMOSFET的结构设计，有效减小PMOSFET的接触孔电阻以提高PMOSFET性能。
soi 双层隔离混合向后栅型反型模式 sinwfet 制备方法

[发明专利]应变硅纳米线NMOSFET的制备方法-CN201210136028.9有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，包括形成硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；沉淀绝缘介质层，并填充顶层硅下方的空洞层；磨平绝缘介质层，使得源漏衬垫上方的绝缘介质层厚度为20~200nm；刻蚀栅极区域的绝缘介质层，直至露出埋氧层；刻蚀源漏衬垫区并保留底部的部分顶层硅；在源漏衬垫区域生长碳硅层，同时进行源漏区域原位掺杂；进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。本发明有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力；避免了半导体纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题；不需要栅极侧墙工艺，简化了工艺流程。
应变纳米 nmosfet 制备方法

[发明专利]应变硅纳米线NMOSFET的制备方法-CN201210135991.5有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，包括提供SOI硅片，包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅；形成硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；沉淀无定形碳，并填充顶层硅下方的空洞层；进行栅氧工艺制备栅氧层，并沉积栅极材料；沉积绝缘介质材料，并填充顶层硅下方的空洞层，刻蚀形成栅极侧墙；刻蚀源漏极区域的顶层硅，在源漏极生长碳硅层，同时进行源楼区域原位掺杂；进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。本发明增大了N-SiNWFET中硅纳米线源漏方向的张应力，从而有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力。
应变纳米 nmosfet 制备方法

[发明专利]混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET-CN201210136030.6有效
发明人： 黄晓橹;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的一种双层隔离的混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，第一MOSFET为NMOSFET，第二MOSFET为PMOSFET，第一MOSFET的沟道材料为表面晶向为（100）的硅纳米线，第一MOSFET的沟道方向为<110>，第二MOSFET的沟道材料为表面晶向为（110）的硅纳米线，第二MOSFET的沟道方向为<110>。本发明双层MOSFET完全独立进行工艺调试；与常规MOSFET工作模式兼容，有利于电路设计；具有较高的器件集成密度；上层器件制备采用低温技术以及激光退火，可以有效避免影响下层器件性能。
混合模式半导体纳米 mosfet

[发明专利]双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET-CN201210135966.7有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供的双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET的第一源极衬垫和第一漏极衬垫、第二源极衬垫和第二漏极衬垫为锗硅层，所述第一源极区和第一漏极区生长碳硅层，所述第二源极区和第二漏极区生长锗硅层。本发明的由于采用湿法刻蚀SiGe层，可以很好地控制硅纳米线区域下方的空洞层制作工艺。本发明增大NMOSFET载流子电子的迁移率和PMOSFET载流子空穴的迁移率，增大了CMOS的电流驱动能力；第一MOSFET和第二MOSFET可以完全独立进行工艺调试。
双层隔离混合应变纳米 mosfet

[发明专利]一种制作内建应力硅纳米线、以及制作半导体的方法-CN201210133929.2有效
发明人： 黄晓橹;金秋敏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种内建应力硅纳米线的制作方法，采用后栅工艺（Gate-last），在进行栅极区域刻蚀时，SiNWFET区域侧面已有无定形碳层保护，这时栅极区域的SiNW受到的反向应力方向是水平方向的，避免了硅纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了硅纳米线中间部位可能发生的发生错位，甚至断裂问题。由于源漏PAD上表面高于SiNW，可以实现源漏和栅极上表面在同一平面，从而不需要栅极侧墙工艺，简化了工艺流程。
一种制作应力纳米以及半导体方法

[发明专利]制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法-CN201210133956.X有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种制备SOI上双层隔离混合晶向后栅型反型模式SiNWFET的方法。本发明采用第一半导体纳米线MOSFET为NMOSFET，第二半导体纳米线MOSFET为PMOSFET的结构设计，有效减小PMOSFET的接触孔电阻以提高PMOSFET性能。
制备 soi 双层隔离混合向后栅型反型模式 sinwfet 方法

[发明专利]应变硅纳米线NMOSFET的制备方法-CN201210135999.1有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供的一种应变硅纳米线NMOSFET的制备方法，包括提供SOI硅片，包括硅衬底、硅衬底上的埋氧层和埋氧层上的顶层硅；形成硅纳米线场效应晶体管区域，并在顶层硅和埋氧层之间形成空洞层，在空洞层上方的顶层硅上制备出硅纳米线；沉淀无定形碳，并填充顶层硅下方的空洞层；进行栅氧工艺制备栅氧层，并沉积栅极材料；沉积绝缘介质材料，并填充顶层硅下方的空洞层，刻蚀形成栅极侧墙；在源漏极区域进行源漏杂质离子和碳离子注入及退火工艺；进行金属硅合金工艺，及接触孔工艺，将源、漏、栅极引出。本发明增大了N-SiNWFET中硅纳米线源漏方向的张应力，从而有效增大N-SiNWFET的电流驱动能力。
应变纳米 nmosfet 制备方法

[发明专利]双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET-CN201210135949.3有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET，包括依次形成在半导体衬底上的第一MOSFET、隔离介质层和第二MOSFET，所述第一MOSFET和第二MOSFET的第一源极衬垫和第一漏极衬垫、第二源极衬垫和第二漏极衬垫为锗硅层，所述第一源极区和第一漏极区生长锗硅层，所述第二源极区和第二漏极区生长碳硅层。本发明的由于采用湿法刻蚀SiGe层，可以很好地控制硅纳米线区域下方的空洞层制作工艺。本发明增大NMOSFET载流子电子的迁移率和PMOSFET载流子空穴的迁移率，增大了CMOS的电流驱动能力；第一MOSFET和第二MOSFET可以完全独立进行工艺调试。
双层隔离混合应变纳米 mosfet

[发明专利]一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法-CN201210135970.3有效
发明人： 黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种制备双层隔离混合晶向应变硅纳米线CMOS方法。形成上下两层MOSFET的沟道区是具有不同表面晶向的硅纳米线，其中下层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有张应力的NMOSFET，上层MOSFET为SiNW中沿源漏方向具有压应力的PMOSFET。
一种制备双层隔离混合应变纳米 cmos 方法

[发明专利]一种制作内建应力硅纳米线的方法-CN201210135986.4有效
发明人： 黄晓橹;顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种内建应力硅纳米线的制作方法，采用后栅工艺（Gate-last），在进行栅极区域刻蚀时，SiNWFET区域侧面已有SiO2层保护，这时栅极区域的SiNW受到的反向应力方向是水平方向的，避免了硅纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了硅纳米线中间部位可能发生的错位，甚至断裂问题。由于源漏PAD上表面高于SiNW，可以实现源漏和栅极上表面在同一平面，从而不需要栅极侧墙工艺，简化了工艺流程。
一种制作应力纳米方法