专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]土木工程施工用标定地钎-CN202023297815.0有效
  • 张天娇 - 张天娇
  • 2020-12-31 - 2021-07-16 - G01C15/08
  • 土木工程施工用标定地钎,包括锚杆、底板、紧固杆、连接板、调节杆、穿透杆、弹簧、锤击板,所述锚杆中部连接连接板,连接板具有连接,锚杆与连接相适应,锚杆连接连接,所述连接板连接调节杆,连接板具有调节杆,调节杆与调节杆相适应,调节杆连接调节杆,调节杆一端具有拧动板,拧动板连接连接板,连接板具有适应槽,拧动板与适应槽相适应,拧动板连接适应槽,调节杆另一端连接穿透杆,穿透杆具有滑道,调节杆具有滑块,滑块与滑道相适应,滑块连接滑道,滑块在滑道上滑动,滑块连接弹簧一端,弹簧另一端连接穿透杆,穿透杆连接底板,底板具有穿透穿透杆与穿透相适应,穿透杆连接穿透穿透杆穿过底板连接地面。
  • 土木工程施工标定
  • [发明专利]缝合方法和装置-CN02813427.3无效
  • A·詹姆斯;A·汤姆森 - A·詹姆斯;A·汤姆森
  • 2002-07-04 - 2004-11-03 - A61B17/04
  • 用于缝合的方法和装置公开了一种缝合方法,包括穿透被缝合物,将固定器穿过穿透,通过穿透中的固定器定位细线的第一末端,在距离第一个穿透一定间隔的位置上穿透被缝合物,将第二个固定器穿过第二个穿透,由第二个固定器通过第二个穿透把线系敷在被缝合物上,根据需要重复该程序直至最后一个穿透,在该穿透处,将最后一个固定器穿过穿透,并且通过在那里的最后一个固定器定位细线的第二个末端。
  • 缝合方法装置
  • [实用新型]锁固机构-CN200420066322.8无效
  • 林学成;彭荣晃;张志成;蔡嘉福;沈祯道 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2004-06-17 - 2005-08-24 - H05K7/14
  • 为提供一种结构简单、拆组方便、使用寿命长的构架连接结构,提出本实用新型,它包括具有第一穿透的第一元件、位于第一元件之下并具有第二穿透的第二元件、导引座及固定销;第一、二元件上的第一、二穿透位于同一直线上;第一元件第一穿透上方设有与第一穿透同轴心并供导引座转动且上下移动设置的导引;导引座具有与第一穿透位于同一直线上并供固定销穿设的第三穿透;固定销穿设于第三穿透、导引、第一穿透及第二穿透
  • 机构
  • [发明专利]芯片及其制作方法-CN201510174058.2有效
  • 方三军;陈思安;朱瑜杰;徐萍 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2015-04-13 - 2018-10-23 - H01L23/48
  • 其中该芯片包括:衬底;中间功能区,设置在衬底上,其上设有中间穿透硅通,中间穿透硅通的内壁上形成有阻挡层,且中间穿透硅通中设置有导电层;边缘功能区,设置在衬底上,其上设有边缘穿透硅通,边缘穿透硅通的内壁上形成有阻挡层,其中,该芯片还包括设置于边缘穿透硅通内的介质层。该介质层能避免边缘穿透硅通的内壁直接裸露,从而避免缘穿透硅通内壁上的阻挡层因外部应力等发生开裂,甚至剥落,进而避免了由于阻挡层剥落造成的颗粒状缺陷以及芯片良率的降低,使得芯片的稳定性得到提高。
  • 芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种穿透硅通背部连接端的制备方法-CN201110113880.X有效
  • 宋崇申;于大全 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-05-04 - 2011-10-05 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种穿透硅通背部连接端的制备方法,包括:从半导体衬底背面减薄该半导体衬底,使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通从该半导体衬底背面露出;化学机械抛光所述半导体衬底背面,使所述穿透硅通背部表面低于所述半导体衬底背部表面;在所述穿透硅通背部表面形成辅助金属层,所述辅助金属层与填充所述穿透硅通的主金属在穿透硅通背部表面形成金属叠层结构;刻蚀所述半导体衬底背面,使所述金属叠层结构凸出于所述半导体衬底背部表面,形成穿透硅通的背部连接端本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应,以免掩模、低温制备的方式,在穿透硅通背部表面叠加辅助金属层,提高了使用穿透硅通实现多层微电子芯片堆叠集成的可实施性和成品率。
  • 一种穿透硅通孔背部连接制备方法
  • [实用新型]薄膜发热结构-CN200520001390.0无效
  • 高立平 - 高立平
  • 2005-01-24 - 2006-03-15 - H05B3/26
  • 本实用新型公开了一种薄膜发热结构,包括陶瓷基体,在陶瓷基体上设有若干穿透,在所述穿透的端面上涂覆有一层电致发热膜,所述电致发热膜与电源连接,所述的穿透可以为多排,各排之间平行布置,所述的穿透内壁也可以涂敷有所述的电致发热膜,所述的穿透横界面可以为六角形、四方形、或者圆形。本实用新型由于在陶瓷基体上设有若干穿透,在穿透的断面上涂敷有一层电致发热膜,该电致发热膜与电源连接,这样电致发热膜在接通电源后发热,从而传递给陶瓷基体,使整个发热结构发热,这种发热方式简单,而且发热源直接位于穿透的断面
  • 薄膜发热结构
  • [实用新型]一种用于支架粒子装填囊的放射粒子装载器-CN202221792525.X有效
  • 石高峰;于春生;尹华清 - 苏州融晟医疗科技有限公司
  • 2022-07-12 - 2023-01-06 - A61M36/12
  • 本实用新型提供了一种用于支架粒子装填囊的放射粒子装载器,该装载器包括装载推杆组件、装载器本体、装载针、用于容纳放射粒子的粒子仓本体以及粒子仓推杆组件;粒子仓本体与装载器本体可拆卸地连接,装载器本体内部设置有台阶,台阶底部开设有用于推送放射粒子的第一穿透,装载针安装于装载器本体远端且与第一穿透同轴贯通;粒子仓本体开设有第二穿透以及与第二穿透垂直连通的粒子容纳腔;当粒子仓本体与装载器本体连接时,第一穿透与第二穿透同轴贯通;粒子仓推杆组件安装于粒子仓本体近端,用于将放射粒子加载至第二穿透;装载推杆组件安装于装载器本体近端,用于将第二穿透内的放射粒子推送至外部的支架粒子装填囊。
  • 一种用于支架粒子装填放射装载
  • [实用新型]继电器的端子非穿透式固定结构-CN201420023473.9有效
  • 石松礼;船山直也;冯旭强;游平 - 旺荣电子(深圳)有限公司
  • 2014-01-15 - 2014-07-09 - H01H50/14
  • 本实用新型公开了一种继电器的端子非穿透式固定结构,该结构包括基座、骨架、第一基座端子、第二基座端子、第一线圈端子和第二线圈端子;基座上设有多个第一非穿透式固定和多个第二非穿透式固定,第一基座端子上设有多个与第一非穿透式固定相适配的第一卡头,第二基座端子上设有多个与第二非穿透式固定相适配的第二卡头;骨架上设有第三非穿透式固定和第四非穿透式固定,第一线圈端子上设有与第三非穿透式固定相适配的第三卡头,第二线圈端子上设有与第四非穿透式固定相适配的第四卡头
  • 继电器端子穿透固定结构

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