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[发明专利]一种改进光刻胶粘结性的结构及其方法-CN201910446347.1有效
发明人：徐杨;金子贵昭;王贤超 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进光刻胶粘结性的结构，包括：衬底；形成在衬底上的光刻胶固定结构，所述光刻胶固定结构具有特定尺寸的第一开口，所述第一开口从光刻胶固定结构的顶部延伸到衬底顶部；以及形成在衬底和光刻胶固定结构顶部的光刻胶层，所述光刻胶层填充所述第一开口并至少部分地覆盖所述第一开口两侧的光刻胶固定结构顶面。
一种改进光刻胶粘结构及其方法

[发明专利]图像传感器单元-CN201910986798.4有效
发明人：黄晓橹;张盛鑫;魏代龙;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器单元，包括基板；感光元件，所述感光元件形成于所述基板中并且响应于入射光生成电荷；浮动扩散区，所述浮动扩散区用于接收并存储来自所述感光元件的电荷；以及转移晶体管，所述转移晶体管被配置为能够将保留在所述感光元件中的电荷转移到所述浮动扩散区以在之后用于形成图像。所述转移晶体管包括形成于基板上的栅极介质层以及形成于栅极介质层上的栅极电极层，所述栅极介质层进一步包括隧道氧化物层、形成于隧道氧化物层上的电荷存储层、形成于电荷存储层上的阻挡氧化物层。
图像传感器单元

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710243114.2有效
发明人：砂村润;金子贵昭;林喜宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供了一种用于顶栅结构中栅极电极和沟道之间的电隔离的配线层内有源元件(部件)。一种半导体装置，包括第一配线层、第二配线层和半导体元件。所述第一配线层具有第一层间绝缘层和嵌入所述第一层间绝缘层的第一配线。所述第二配线层具有第二层间绝缘层和嵌入所述第二层间绝缘层的第二配线。所述半导体元件至少设置在所述第二配线层中。所述半导体元件包括：设置在所述第二配线层中的半导体层、设置成与所述半导体层接触的栅极绝缘膜、通过所述栅极绝缘膜设置在与所述半导体层相对的侧上的栅极电极、以及设置在所述半导体层的侧面上的第一侧壁膜。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]堆叠式半导体装置及其制造方法-CN201811343698.1有效
发明人：管斌;金子贵昭;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。提供有一种堆叠式半导体装置，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的第二衬底；外接通孔，在垂直于所述第二衬底的上表面的第一方向上延伸穿透所述第二衬底并暴露外接焊盘，所述外接焊盘位于所述第一绝缘层或所述第二绝缘层中；以及保护环，形成在所述第二绝缘层中并且设置为以所述第一方向为轴心方向至少部分地围绕所述外接通孔的侧壁，但不从所述外接通孔的侧壁露出。
堆叠半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置-CN201810086093.2有效
发明人：穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置。提供有一种晶片堆叠结构，包括：第一晶片，包括：具有金属垫盘结构的第一衬底和第一绝缘层及其中的导电层，第一绝缘层具有露出第一晶片中的导电层的部分的一个或多个开口；第二晶片，包括：第二衬底，第二绝缘层及其中的导电层以及包括与第二晶片中的导电层电连接的一个或多个导电凸块的接合部，导电凸块被配置为与露出的第一晶片中的导电层的部分键合；第三晶片，通过接合层与第一晶片接合，包括：第三衬底和第三绝缘层及其中的导电层；以及穿透第三晶片和接合层直至金属垫盘的TSV，该TSV穿透第三晶片中的导电层并与之电连接，从而提供金属垫盘和第三晶片中的导电层之间的电连接。
晶片堆叠结构及其制造方法以及图像装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810874046.4有效
发明人：管斌;金子贵昭;陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：提供堆叠结构，包括：第一晶片，包括第一衬底、第一绝缘层、第一电连接件；第二晶片，包括第二衬底、第二绝缘层、第二电连接件，并且第一晶片接合到第二晶片；形成硅通孔TSV的第一部分，其与第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分重叠，穿过第一衬底并暴露出第一绝缘层；形成绝缘膜，其至少覆盖TSV的第一部分的侧表面和底表面；形成保留在TSV的第一部分的侧表面上的第一导电阻挡膜；形成暴露第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分的TSV的第二部分；形成填充TSV的第一部分和第二部分的导电插塞，以将第一电连接件和所述第二电连接件互连。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810543233.4有效
发明人：张东亮;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括：提供第一晶片，包括：第一电连接件和第二电连接件、第一电介质层和第二电介质层、第二电介质层中的第一开口以及至少覆盖第二电介质层并填充第一开口的第三电介质层；将第二晶片接合到第一晶片；形成第一硅通孔TSV和第二TSV，第一TSV与第一电连接件的至少一部分重叠，穿过第二晶片和第三电介质层，并暴露出第二电介质层的一部分的表面，第二TSV与第一开口的至少一部分重叠，穿过第二晶片、第三电介质层及其下方的由第一开口暴露的第一电介质层，并暴露出第二电连接件的至少一部分的表面；形成分别填充第一TSV和第二TSV的第一导电插塞和第二导电插塞。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法-CN201810061247.2有效
发明人：穆钰平;陈世杰;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及堆叠式图像传感器、像素管芯及其制造方法。一实施例提供了堆叠式图像传感器，包括：逻辑衬底及其上方的第一金属连线层；第一金属连线层上的第一电介质层；第一电介质层上的第二金属连线层，具有第一金属件和第二金属件；第二金属连线层上的像素衬底，具有像素区域和外围区域；焊盘开口，穿通像素衬底而到达第一金属件，使第一金属件的一部分暴露于外部以作为焊盘；以及穿通硅通孔，穿通像素衬底和第一金属件的另一部分而到达第一金属互连层的一个金属件，穿通硅通孔中填充有接触件，其使第一金属件电连接到该一个金属件，第一金属件位于外围区域对应区域，第二金属件位于像素区域对应区域且在平面图中覆盖所有像素单元。
金属件金属连线层衬底穿通堆叠式图像传感器像素电介质层外围区域像素区域硅通孔像素管金属互连层焊盘开口像素单元电连接接触件焊盘填充制造暴露外部覆盖

[发明专利]基板制造方法和基板接合方法-CN201910654371.4在审
发明人：王东;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种基板的制造方法，包括：提供半导体基板，半导体基板包括第一绝缘层和第二绝缘层以及设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的中间层；在半导体基板中形成开口，开口至少穿过第二绝缘层和中间层并延伸到第一绝缘层中；在半导体基板上形成金属层，金属层至少填充开口；进行第一平坦化处理，以去除金属层的一部分，直至使得中间层露出；去除中间层；以及进行第二平坦化处理，以使得剩余的金属层的顶表面基本与剩余的第一绝缘层的顶表面基本齐平。所述基板可以是晶片。
绝缘层半导体基板金属层中间层平坦化处理顶表面基板去除开口基板接合基板制造基本齐平填充开口晶片穿过延伸制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910297356.9在审
发明人：太田笃;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置，其包括：其中包含通过前端制程形成的结构的衬底、设置在衬底上并且包括金属互连结构的布线层以及设置在布线层上的金属键合层，其中金属键合层包括：形成在布线层上的介电层；穿过介电层向下延伸直到金属互连结构的表面的多个通孔，多个通孔中填充有金属；以及形成在介电层中的彼此平行并且分别通过多个通孔中的相应通孔的上部的多个沟槽，多个沟槽中填充有所述金属，其中，填充在多个沟槽和多个通孔内的金属形成电耦接至金属互连结构的多个金属线。
通孔金属互连结构半导体装置布线层介电层填充金属键合层衬底金属彼此平行金属形成向下延伸金属线电耦制程制造穿过

[发明专利]堆叠式TSV结构及其制造方法-CN201811328173.0在审
发明人：马敬;钟伟明;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及堆叠式TSV结构及其制造方法。一实施例提供了堆叠式TSV结构，包括：逻辑区，在所述逻辑区中形成有第一金属连线层；位于逻辑区上的像素区，在所述像素区中形成有第二金属连线层；以及穿通硅通孔，所述穿通硅通孔包括从所述第一金属连线层向上穿通所述逻辑区到达所述第二金属连线层的第一通孔，其中所述穿通硅通孔中填充形成有接触件，所述接触件接触所述第一金属连线层和所述第二金属连线层，从而使得所述第一金属连线层电连接到所述第二金属连线层。
金属连线层逻辑区穿通堆叠式硅通孔接触件像素区电连接填充通孔制造

[发明专利]图像传感器及制造图像传感器的方法-CN201811342765.8在审
发明人：崔晓彤;钟伟明;金子贵昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的光电二极管，所述光电二极管包括：具有第一导电类型的电荷收集区；以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的钉扎表面层，所述钉扎表面层位于所述电荷收集区之上，其中，所述钉扎表面层的至少部分由所述半导体衬底中的第二导电类型的载流子聚集而形成。本公开还涉及一种制造图像传感器的方法。本公开能够减小图像传感器的暗电流。
图像传感器表面层钉扎第一导电类型电荷收集区光电二极管导电类型衬底半导体载流子聚集暗电流减小制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811355988.8在审
发明人：崔晓彤;金子贵昭;钟伟明;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括第一晶片和第二晶片。第一晶片包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在第一衬底的第一表面之上的第一布线层；在第一衬底的第二表面上的第一键合材料层；以及从第一衬底的第一表面延伸穿过第一衬底和第一键合材料层的第一晶片互连件。第二晶片包括：第二衬底；在第二衬底之上的第二布线层；在第二布线层之上的第二键合材料层；以及从第二布线层延伸穿过第二键合材料层的第二晶片互连件，第二晶片互连件在第二布线层中与第一晶片互连件对应的位置处。第一和第二晶片通过第一和第二键合材料层键合在一起，并且第一和第二晶片通过第一和第二晶片互连件彼此电连接。
晶片衬底键合材料层布线层互连件第一表面半导体装置第二表面延伸穿过电连接位置处键合制造

[发明专利]图像传感器及制造图像传感器的方法-CN201811328089.9在审
发明人：崔晓彤;钟伟明;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器，包括：形成在半导体衬底中的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构从其外层部分到内层部分依次包括沿所述半导体衬底的厚度方向延伸的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层、以及半导体材料层，使得从所述半导体衬底经所述沟槽隔离结构外层部分到内层部分形成半导体‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑半导体的结构。本公开还涉及一种制造图像传感器的方法。本公开能够减小图像传感器的暗电流。
图像传感器半导体沟槽隔离结构衬底氧化物层氧化物内层半导体材料层氮化物层暗电流氮化物减小制造延伸

[发明专利]半导体制备方法-CN201811060771.4在审
发明人：崔晓彤;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体制备方法，包括如下步骤：步骤S1：提供具有介电层的衬底，在介电层上形成开口；步骤S2：在介电层上沉积第一金属膜层，第一金属膜层的金属填满开口；步骤S3：在第一金属膜层上沉积第二金属膜层，该第二金属膜层的材料的吉布斯自由能变，低于第一金属膜层的材料的吉布斯自由能变；步骤S4：进行退火处理；步骤S5：去除第二金属膜层以及介电层上的第一金属膜层。在退火工艺中，氧离子优先朝向第二金属膜层运动，氧离子与第二金属膜层发生反应并保留在第二金属膜层，在后续将第二金属膜层去除时，一并将氧离子去除，提高金属互联结构的导电性，有利于增强所形成半导体器件的稳定性、可靠性。
金属膜层介电层氧离子去除吉布斯自由能半导体制备沉积开口半导体技术领域金属互联结构半导体器件导电性金属填满退火处理退火工艺衬底保留

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