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[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]一种集成CMOS器件结构及制作方法-CN202310766136.2在审
发明人：祝杰杰;马晓华;张博文;雷毅敏;魏宇翔;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成CMOS器件结构及制作方法，该结构包括：第一器件、第二器件、电学隔离层、第一连接金属和第二连接金属；电学隔离层覆盖第一器件的源极、漏极和栅极的表面；第二器件倒装键合在电学隔离层上；第一连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的栅极和第二器件的栅极连接；第二连接金属贯穿电学隔离层以将第一器件的漏极和第二器件的漏极连接；第一器件的源极从第一器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极、漏极和栅极均从第二器件的衬底侧通过金属电极引出；第二器件的源极用于连接电源端，栅极用于作为输入端，漏极用于作为输出端。本发明实现了在单一衬底上同时具有高的电子和空穴运动速度，同时节省了芯片面积。
一种集成 cmos 器件结构制作方法

[发明专利]对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管及制作方法-CN202310465347.2在审
发明人：薛军帅;袁金渊;李泽辉;吴冠霖;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管，主要解决现有无极化氮化镓共振隧穿二极管可靠性和一致性差、峰值谷值电流比低的问题。其自下而上包括衬底、发射极欧姆接触层、底部共振隧穿二极管、并联层、顶部共振隧穿二极管、集电极欧姆接触层和集电极，并联层上设有栅极，发射极欧姆接触层上设有发射极。底部和顶部共振隧穿二极管通过外延生长实现，集电极和发射极互联，与栅极形成并联结构。栅极偏压为正时，底部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而顶部共振隧穿二极管截止；栅极偏压为负时，顶部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而底部共振隧穿二极管截止。本发明的微分负阻特性对称，性能一致性高，可用于高速数字电路。
对称微分特性氮化物共振二极管制作方法

[发明专利]一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法-CN202310680801.6在审
发明人：周久人;刘宁;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容Cacc代表存储信息，向所述顶电极施加写入或擦除的脉冲电压，通过所述脉冲电压的幅值调控半导层的耗尽层电容和铁电介质层的极化状态，即调控半导体层中与铁电介质层中的极化电荷相互响应的光生非平衡载流子的数量，或多数载流子的数量，从而改变Cacc的状态，实现多值存储。
一种电容存储器存储光电协同操作方法

[发明专利]一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310501530.3在审
发明人：常晶晶;师小鸥;魏葳;林珍华;袁海东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层、Al1‑yScyN帽层、源极、漏极和栅极，衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层依次层叠，15％≤x≤25％；Al1‑yScyN帽层、源极和漏极均位于Al1‑xScxN势垒层上，Al1‑yScyN帽层位于源极和漏极之间，y＞30％；源极和漏极相互分离且对称分布；栅极位于源极和漏极之间。该器件两种不同Sc掺杂浓度的AlScN薄膜在界面处晶格匹配度较好，既可通过压电极化特性使异质结处产生更高浓度的2DEG，增加HEMT器件的漏极电流，又能通过铁电极化对HEMT进行非易失性调控，使阈值电压从负值变为正值，实现增强型HEMT器件，同时减小了漏极电流崩塌，显著提升了器件的电学性能。
一种基于 alscn 增强 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法-CN202110859939.3有效
发明人：许晟瑞;吴前龙;贠博祥;陶鸿昌;许文强;范晓萌;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
基于纳米图形插入 aln 紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种高质量CsPbBr3-CN202210152508.8在审
发明人：陈大正;张春福;何逸冰;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种质量 cspbbr base sub

[发明专利]一种表面平整的CsPbBr3-CN202210153474.4在审
发明人：陈大正;何逸冰;张春福;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面平整的CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、表面平整的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够降低CsPbBr3表面缺陷，提高表面平整度，从而改善第二传输层的形貌，减少CsPbBr3钙钛矿和传输层间的电子空穴复合，提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种表面平整 cspbbr base sub

[发明专利]基于DFB-SA激光器的单片集成光子脉冲神经元实现方法-CN202310387711.8在审
发明人：项水英;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于DFB‑SA的单片集成光子脉冲神经元实现方法，包括：对DFB‑SA激光器进行功率测试，以确定DFB‑SA激光器的工作电压和偏置电流范围；对DFB‑SA激光器进行光谱测试，以确定DFB‑SA激光器的自身波长范围；根据DFB‑SA激光器的自身波长范围确定需注入的光信号波长范围；基于确定的偏置电流范围向DFB‑SA激光器的增益区施加偏置电流，同时基于确定的工作电压向DFB‑SA激光器的SA区施加反向偏置电压，并在上述条件下，按照确定的注入光信号波长范围向DFB‑SA激光器注入光信号，观察DFB‑SA激光器的输出光谱，以确定与待处理目标对应的注入光信号波形，从而实现光子脉冲神经元的功能。该方法实现方式简单，降低了系统复杂度和功耗，且具有较高的输出功率。
基于 dfb sa 激光器单片集成光子脉冲神经元实现方法

[发明专利]基于蓝宝石衬底的金刚石基GaN异质结晶圆制备方法-CN202310356720.0在审
发明人：苏凯;王晗雪;张金风;任泽阳;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的金刚石基GaN异质结晶圆制备方法，包括：在第一蓝宝石衬底上生长第一成核层、GaN缓冲层、GaN/AlGaN异质结层以及介质保护层得到蓝宝石衬底GaN外延片；在第二蓝宝石衬底上生长第二成核层得到临时载片；将外延片与临时载片进行晶圆键合得到第一键合片；激光剥离第一蓝宝石衬底同时去除第一成核层；将剥离第一蓝宝石衬底后的第一键合片与金刚石衬底进行晶圆键合得到第二键合片；激光剥离第二蓝宝石衬底，同时去除第二成核层；去除第一键合层，然后去除介质保护层，得到制备完成的金刚石基GaN异质结晶圆。本发明能够制备出大尺寸、高效率、低成本以及高性能的金刚石基GaN异质结晶圆。
基于蓝宝石衬底金刚石 gan 结晶制备方法

[发明专利]基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及制备方法-CN202110815527.X有效
发明人：许晟瑞;贠博祥;吴前龙;陶鸿昌;许文强;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
基于 si 纳米浓度发光二极管制备方法

[发明专利]一种GaAs基P沟道增强型CMOS器件及其制备方法-CN202310390161.5在审
发明人：许晟瑞;杨赫;卢灏;许钪;刘旭;徐爽;张涛;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基P沟道增强型CMOS器件，包括：GaAs缓冲层叠加在衬底上；未掺杂GaAs层叠加在GaAs缓冲层上；未掺杂GaN层叠加在未掺杂GaAs层上位于隔离区的一侧；AlGaN势垒层叠加在未掺杂GaN层上；p‑GaN层叠加在AlGaN势垒层的中间；第一源电极和第一漏电极分别位于p‑GaN层的两侧；第一栅电极叠加在p‑GaN层上；n‑GaAs层位于隔离区的另一侧；n‑GaAs层有两个P掺杂区；第二源电极和第二漏电极分别叠加在两个P掺杂区上；栅介质层位于两个P掺杂区之间且叠加在n‑GaAs层上；第二栅电极，叠加在栅介质层之上。本发明极大地提升了载流子浓度，改善了器件性能。
一种 gaas 沟道增强 cmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法-CN202310566279.9有效
发明人：周久人;孙温馨;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极，公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层，顶电极沿着竖直方向依次设置，MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间；公用底电极、MPB氧化铪基介电层以及一个顶电极构成一个MPB氧化铪基电容，多个MPB氧化铪基电容垂直堆叠。本发明针对集成电路产业的海量信息存算需求，以及“1T‑1C”DRAM随特征尺寸持续缩放的存储窗口和电荷信号密度，提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，通过多态相边界材料的超高介电特性，显著提升DRAM电荷信号密度并支撑多值存储及存算融合DRAM应用，以满足后摩尔时代集成电路对于信息密度与功能的升级需求。
一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法

[发明专利]一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202111124189.1有效
发明人：张鹏;王凯;马晓华;郝跃;李萌迪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半垂直GaN基逆导型IGBT器件及其制备方法，该器件包括：衬底，依次设置在衬底上的缓冲层、场截止层、n‑漂移区及p型GaN层；其中，p型GaN层两侧各设有一深沟槽结构，深沟槽结构起始于p型GaN层上表面，向下延伸至场截止层上表面，以将p型GaN层划分成两侧的p+集电区和中间的p基区，从而形成U型半垂直结构；p基区上方设有n+GaN层，作为器件的n+发射区；n+GaN层中间设有沟槽栅结构；p+集电区内靠近深沟槽结构一侧分别设有一n+短路集电极区，p+集电区和n+发射区上方分别淀积有金属电极。本发明提供的器件克服了采用传统IGBT结构制作垂直GaN基逆导型IGBT器件时，内层p‑GaN无法激活的问题，并将集电极从背部转移到正面，使逆导型IGBT的制造工艺变得简单。
一种垂直 gan 基逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种ε-Ga2-CN202110633967.3有效
发明人：张涛;冯倩;张雅超;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ε‑Ga2O3薄膜的制备方法及ε‑Ga2O3薄膜，该方法包括：对β‑Ga2O3衬底进行清洗；对清洗后的β‑Ga2O3衬底进行退火处理；在β‑Ga2O3衬底上生长β/ε‑Ga2O3缓冲层；其中，β/ε‑Ga2O3缓冲层为β‑Ga2O3与ε‑Ga2O3的混合晶相薄膜；在β/ε‑Ga2O3缓冲层上生长ε‑Ga2O3层，以得到ε‑Ga2O3薄膜。本发明在ε‑Ga2O3薄膜的生长过程中，通过合理调整生长温度，在衬底与外延薄膜之间形成一层β/ε‑Ga2O3缓冲层，该缓冲层既连接了β‑Ga2O3衬底，又连接了ε‑Ga2O3薄膜，实现了从β‑Ga2O3衬底到ε‑Ga2O3薄膜的连续过渡，减小了晶格失配以及外延薄膜中的位错密度，提高了表面平整度，进而提升了ε‑Ga2O3薄膜的质量。
一种 ga base sub