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[发明专利]一种基于氮掺杂石墨化的碳化硅上氮化物异质结及其制备方法-CN202211184007.4在审
发明人：宁静;张希鹏;王东;张进成;武海迪;陈丹妮;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮掺杂石墨化的碳化硅上氮化物异质结及其制备方法，涉及半导体技术领域，该异质结包括从下至上依次设置的单晶碳化硅衬底、石墨烯缓冲层、氮化铝成核层、氮化镓氮化铝超晶格沟道层、氮化铝插入层、掺磷氮化铝势垒层以及氮化镓帽层，本发明对碳化硅上外延的石墨烯进行氮掺杂处理后直接生长氮化铝和氮化镓，大大提高了材料成核密度，并减少了材料缺陷密度，从而实现了沟道层二维电子气高迁移率的目的，此优势可用于制作高性能HEMT器件。
一种基于掺杂石墨碳化硅氮化物异质结及其制备方法

[发明专利]抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法-CN202110361565.2有效
发明人：常晶晶;林珍华;王璐;郭雨佳;苏杰;张苗;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照光伏储能一体化装置及其制备方法，主要解决现有技术光电转换效率低、成本高、长期稳定性及抗辐照能力差的问题。其包括钙钛矿太阳能电池模组、稳压器、充放电管理组件、储能电池和金属卤化物封装盒。稳压器连接在太阳能电池模组与充放电管理组件之间，充放电管理组件与储能电池双向连接；稳压器、充放电管理组件和储能电池的外部装有金属卤化物封装盒，以防辐照危害；组成太阳能电池模组的每个钙钛矿太阳能电池均包括透明导电衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、金属电极和双层封装结构。本发明具有轻便、成本低、效率高、抗辐照性能好、能全时段全天候长期稳定储能供电的优点，可用于人造卫星、太空探测器和宇宙飞船。
辐照光伏储能一体化装置及其制备方法

[发明专利]低欧姆接触电阻的氧化镓基功率晶体管的制作方法及器件-CN202210985212.4在审
发明人：马晓华;何云龙;陆小力;郑雪峰;李园;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种低欧姆接触的氧化镓功率晶体管的制作方法及器件，采用外延设备在Fe掺杂的β‑Ga2O3衬底上方生长一层β‑Ga2O3UID层，然后在UID层上方生长一层轻掺杂的沟道层，之后通过外延设备生长一层Si掺杂的GaN层；由于GaN的自发极化效应以及掺杂相对容易，因此很容易获得重掺杂的GaN层，本发明通过对GaN层在高温下的氧气氛围退火从而形成重掺的Ga2O3帽层，缩小了二者之间的晶格失配，作为欧姆接触层，然后通过在其上沉积Ti/Au金属叠层形成良好的欧姆接触，从而降低器件的导通电阻，之后完成栅极制作并引出电极以形成低欧姆接触的氧化镓功率晶体管。
欧姆接触电阻氧化功率晶体管制作方法器件

[发明专利]基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法-CN201911097995.7有效
发明人：张进成;宋秀峰;赵胜雷;朱丹;张苇杭;张雅超;刘爽;刘俊伟;李仲扬;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm，宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有凹槽型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。
基于凹槽保护环结构 algan gan 肖特基势垒二极管制作方法

[发明专利]一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法-CN202110984091.7有效
发明人：马晓华;芦浩;杨凌;侯斌;邓龙格;陈炽;武玫;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；GaN外延层，形成于衬底层上；源电极，形成于GaN外延层上；漏电极，形成于GaN外延层上；第一钝化层，形成于GaN外延层上；第二钝化层，形成于第一钝化层上，以和第一钝化层构成复合钝化层；第三钝化层，形成于源电极、漏电极与复合钝化层之间；T型栅电极，形成于GaN外延层上，贯穿于复合钝化层，且T型栅电极的横向部分位于第二钝化层上。本发明的方案，以T型栅电极为硬质掩膜，通过横向分区钝化，即可提高栅下钝化效果，亦可降低非栅区寄生电容，显著提高器件频率特性，降低高频下的电流崩塌；同时，通过栅金属作为硬质掩膜的分区钝化方式，工艺简单。
一种 gan 寄生钝化器件及其制备方法

[发明专利]一种可重构高迁移率场效应晶体管及其制备方法-CN202211174936.7在审
发明人：刘欢;于飞;刘艳;韩根全;玉虓;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种可重构高迁移率场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括衬底，沟道，栅极绝缘介质层和栅极金属电极；沟道两侧分别为源区和漏区，其中衬底和沟道采用高迁移率沟道材料；源区的远离沟道的一侧依次设有源极可移动离子薄膜层和源极掺杂电极；漏区的远离沟道的一侧依次设有漏极可移动离子薄膜层和漏极掺杂电极；源极可移动离子薄膜层和漏极可移动离子薄膜层内部含有带正电荷的氧空位；源极掺杂电极和漏极掺杂电极施加极性相同的脉冲电压，通过极性的变换，使场效应晶体管具有N沟道和P沟道可重构特性。本发明提升了晶体管性能，降低了工作电压，实现了N沟道和P沟道晶体管可重构功能；同时节省器件资源和面积，提高了集成度。
一种可重构高迁移率场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法-CN202211143842.3在审
发明人：赵胜雷;艾月;张进成;刘爽;宋秀峰;黄永;陈兴;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种多沟道横向超结肖特基势垒二极管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的超结结构、第一功能层和第二功能层；超结结构由偶数个交替堆叠的p型缓冲层和n型缓冲层构成，p型缓冲层相对于n型缓冲层靠近衬底；第一功能层包括叠设的第一沟道层和第一势垒层，第二功能层包括叠设的第二沟道层和第二势垒层；位于第二功能层上的阴极，且阴极与第二势垒层形成欧姆接触；位于第二功能层远离阴极的一端的阳极，且阳极的下表面延伸至第一沟道层内部，并与第一沟道层形成肖特基接触。本申请实施例能够解决现有的横向肖特基势垒二极管容易发生雪崩效应使得器件发生提前击穿的问题。
一种沟道横向肖特基势垒二极管及其制备方法

[发明专利]基于MZI阵列和FP-SA的光脉冲神经网络实现装置-CN202210944919.0在审
发明人：项水英;赵思婷;宋紫薇;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了基于MZI阵列和FP‑SA的光脉冲神经网络实现装置，包括：光编码模块包括N个突触前神经元；光响应输出模块包括N个突触后神经元；神经元均为FP‑SA，N≥1；光突触模块包括顺次级联的第一MZI子网络、MZI阵列及第二MZI子网络，形成一个具有N输入、N输出的MZI网络；第一MZI子网络和第二MZI子网络均包括N(N‑1)/2个呈预设架构排布的MZI，MZI阵列包括N个并行排布的MZI；光突触模块中各MZI的相位参数是通过对一N×N的权重矩阵进行奇异值分解、以及基于分解得到的酉矩阵做相关求解处理得到的。权重矩阵根据光脉冲神经网络任务设置并经预训练得到，用于实现光编码模块及光响应输出模块之间的权重传递。
基于 mzi 阵列 fp sa 脉冲神经网络实现装置

[发明专利]一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法-CN202210976926.9在审
发明人：任泽阳;丁森川;张金风;苏凯;马源辰;王晗雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法，包括：选择含裂纹单晶金刚石衬底，其表面有裂纹且晶面角度相近；对所述含裂纹单晶金刚石衬底的表面进行清洗；对清洗后的含裂纹单晶金刚石衬底进行刻蚀，以去除表面的非金刚石相；对刻蚀后的含裂纹单晶金刚石衬底进行退火处理，以消除其表面的部分残余应力；在退火后的含裂纹单晶金刚石衬底的表面周期性生长多层金刚石缓冲层组，每层金刚石缓冲层组均包括不同生长条件下生长的四层单晶金刚石；在所述金刚石缓冲层上进行无裂纹单晶金刚石同质外延生长，形成无裂纹的单晶金刚石材料。本发明的方法为同质外延单晶金刚石降低了成本，同时提高了外延金刚石的质量和成品率。
一种抑制金刚石衬底裂纹外延扩散方法

[发明专利]金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法-CN202211060654.4在审
发明人：张春福;巴延双;朱卫东;习鹤;陈大正;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属电极保护层的激光刻蚀钙钛矿探测器阵列及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；金属电极，位于衬底的一侧，且阵列排布；金属走线，位于衬底的一侧，与金属电极位于同层，且金属电极通过金属走线电连接；保护层，位于金属电极和金属走线背离衬底的一侧；在采用激光刻蚀过程中，保护层用于保护金属电极和金属走线；光吸收层，位于保护层背离衬底的一侧。本申请可实现在激光刻蚀的过程中对金属电极和金属走线进行保护，拓宽了激光刻蚀阵列的工艺窗口，提高了光电探测器阵列的探测精度。
金属电极保护层激光刻蚀钙钛矿探测器阵列制备方法

[发明专利]一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法-CN202211134280.6在审
发明人：马晓华;何云龙;陆小力;郑雪峰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法，该功率晶体管包括：β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂层、p型NiOx缓冲层、n型β‑Ga2O3沟道层、p型NiOx帽层、源电极、漏电极和栅电极，其中，β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂层、p型NiOx缓冲层、n型β‑Ga2O3沟道层依次层叠；源电极位于n型β‑Ga2O3沟道层的一端，漏电极位于n型β‑Ga2O3沟道层的另一端；p型NiOx帽层位于n型β‑Ga2O3沟道层上，且位于源电极和漏电极之间；栅电极位于p型NiOx帽层上。该功率晶体管中p型NiOx缓冲层与上层的n型β‑Ga2O3沟道层之间形成pn结，可以阻止β‑Ga2O3非故意掺杂层中的杂质离子渗入沟道层，减小了渗入沟道层中的杂质离子的补偿作用，提升了沟道层电子迁移率，同时提升了沟道层中的电子浓度，提升了器件电流密度。
一种增强氧化功率晶体管制作方法

[发明专利]横向同质异质结二极管器件及其制备方法-CN202210946884.4在审
发明人：宁静;张弛;张进成;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向同质异质结二极管器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：衬底；第一介质衬底层和第二介质衬底层，位于同层，且位于衬底的一侧；第一介质衬底层和第二介质衬底层相互接触；二维半导体材料层，位于第一介质衬底层和第二介质衬底层背离衬底的一侧；沿垂直于衬底的方向，二维半导体材料层的正投影至少部分与第一介质衬底层的正投影交叠，至少部分与第二介质衬底层的正投影交叠；第一欧姆电极和第二欧姆电极，位于同层，且位于二维半导体材料层背离衬底的一侧；第一欧姆电极和第二欧姆电极间隔排布。本申请能够简化二极管器件的制备，降低制备成本。
横向同质异质结二极管器件及其制备方法

[发明专利]基于铁电畴极化调控二维电子气浓度的方法及其器件-CN202210963625.2在审
发明人：马晓华;陆小力;郑雪峰;丛哲哲;何云龙;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电畴极化调控二维电子气浓度的方法，包括：获取包括衬底、GaN沟道层以及AlGaN势垒层的外延片；采用湿法腐蚀工艺对AlGaN势垒层进行减薄；在AlGaN势垒层表面制备欧姆电极；将PZT材料转移到欧姆电极之间的AlGaN势垒层上，以形成PZT铁电层；通过PFM导电探针在PZT铁电层上施加电压写入极化畴，以使PZT铁电层的极化方向变得有序，从而产生与AlGaN势垒层相同的极化方向，实现沟道内的二维电子气浓度增大。本发明提供的方法在不影响器件性能的情况下提升了沟道内的二维电子气，且该方法不仅操作简单，而且可以灵活改变极化畴的大小。
基于铁电畴极化调控二维电子浓度方法及其器件

[发明专利]一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管及其制备方法-CN202210971243.4在审
发明人：陆小力;马晓华;何云龙;郑雪峰;郝跃;李园 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管，包括：由下至上依次设置的阴极金属电极、衬底层和漂移层；所述漂移层上设置有多个P型SOG介质结构，所述P型SOG介质结构表面和多个所述P型SOG介质结构的间隔之间具有阳极金属电极。本发明还提供一种基于SOG的氧化镓场终端功率二极管的制备方法。本发明通过B掺杂的SOG形成P型SOG介质结构作为场终端，可以调制器件沟道内电场分布，降低阳极金属电极边缘电场峰值，以提升器件击穿电压，能够大幅降低阳极金属电极的反向泄漏电流。此外，P型SOG介质结构为物理旋涂SOG的方式形成P型介质，避免了设备沉积时辉光引入的损伤，制备过程简单易实现，有效降低了制造成本。
一种基于 sog 氧化终端功率二极管及其制备方法

[发明专利]一种横向同质异质结存储器器件及制备方法-CN202210944952.3在审
发明人：宁静;张弛;张进成;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向同质异质结存储器器件及制备方法，存储器器件包括：衬底栅层、第一介质层、第二介质层、二维半导体沟道层和欧姆电极，其中，第一介质层和第二介质层均位于衬底栅层上，且第一介质层和第二介质层相接触；二维半导体沟道层位于第一介质层和第二介质层上；欧姆电极位于二维半导体沟道层的两端。该存储器器件通过复合介质层对二维半导体沟道层进行介质调控和静电栅调控，使得同质材料中形成横向异质结，形成的横向异质结截面处于第一介质层和第二介质层的交界处，且形成的横向异质结界面只有一条线，减少了界面处的缺陷，并且由于是采用同种材料形成的异质结，所以不存在不同材料间的晶格失配问题，提高了存储器电学性能。
一种横向同质结存器件制备方法