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[发明专利]一种钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010388820.8有效
发明人：罗伟;李雁鸿;任辉彩;庞茂印;曹原;胡臻玉 -专利权人：中节能万润股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛矿太阳能电池及其制备方法，属于光伏新能源领域。本发明的钛矿太阳能电池包括自下而上依次层叠的玻璃衬底、前电极、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、缓冲层、金属背电极层、背电极保护层；所述背电极保护层为掺杂硼的氧化锌透明导电膜或掺杂硼的氧化铟透明导电膜。背电极保护层为环境稳定性高的掺杂硼的氧化锌或氧化铟导电膜，在金属背电极的表面增加一层掺杂硼的氧化锌、氧化铟氧化物保护层，既能保护金属电极不被氧化、硫化腐蚀，同时也能进一步隔绝钙钛矿层接触水、氧以及腐蚀性物质，从而提高钙钛矿太阳能电池的环境稳定性。且背电极保护层为透明状态，可提高电池的透光性，使其更适合在玻璃幕墙等建筑上应用。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]低光谱响应线性相关系数的多层带隙结构光谱探测器-CN202310998009.5在审
发明人：李青;刘世林;朱卓娅;赵志伟;张晓兵;吴忠;陈静;雷威 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种低光谱响应线性相关系数的多层带隙结构光谱探测器。解决现有光谱探测器存在不同偏置电压下探测器光谱响应曲线的线性相关Pearson系数较高的问题。该器件包括金属电极和多层能量带隙结构半导体材料吸收层，其中半导体材料吸收层能量带隙覆盖紫外到近红外范围。在p‑i‑n半导体结中设置若干不同能量带隙的半导体层，通过这些不同能量带隙半导体层调节不同波长入射光的吸收区域，并利用偏置电压控制不同区域光生载流子的传输和复合，进而改变探测器的光谱响应特性。本发明构筑的多层带隙结构的p‑i‑n结光谱探测器，能够使Pearson相关系数显著降低，无需光学元件滤光，通过软件算法，即可实现窄带多光谱重构。
光谱响应线性相关系数多层结构探测器

[发明专利]一种有机无机杂化钙钛矿铁电半导体耦合光伏器件及其制备方法-CN202310707652.8在审
发明人：李聪;柴亚东;刘岭 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：一种有机无机杂化钙钛矿铁电半导体耦合光伏器件及其制备方法，光伏器件为n‑i‑p结构或p‑i‑n结构，所述的n‑i‑p结构具体为：导电玻璃电极‑‑电子传输层‑‑钙钛矿薄膜‑‑空穴传输层‑‑热蒸镀金属电极，p‑i‑n结构具体为：导电玻璃电极‑‑空穴传输层‑‑钙钛矿薄膜‑‑电子传输层‑‑热蒸镀金属电极；制备方法为：制备导电玻璃电极‑‑电子传输层，制备导电玻璃电极‑‑电子传输层‑‑钙钛矿薄膜，制备导电玻璃电极‑‑电子传输层‑‑钙钛矿薄膜‑‑空穴传输层，制备导电玻璃电极‑‑电子传输层‑‑钙钛矿薄膜‑‑空穴传输层‑‑热蒸镀金属电极；本发明具有兼顾高开路电压、高光电流密度、电流密度大、简单可控、成本低廉、适用范围广和容易实现的特点。
一种有机无机杂化钙钛矿铁电半导体耦合器件及其制备方法

[实用新型]一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池-CN202321385014.0有效
发明人：郭杏元;曹永盛 -专利权人：光芯薄膜（深圳）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池。本申请公开了一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池，包括n‑i‑p正式结构或者p‑i‑n反式结构，n‑i‑p正式结构包括透明基材，在透明基材上依次设置有透明导电膜层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、电极层，在所述透明基材的另一面设置有减反射薄膜层。本申请制备得到的钙钛矿太阳能电池，增加入射到钙钛矿层的透光率，从而提高钙钛矿太阳能电池光电转化效率。
一种光电转化效率钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种脒基低维度钙钛矿辐射探测器及其制备方法-CN202310770062.X在审
发明人：赵奎;马闯;高黎黎;李昊瑾;杨廷欢;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种脒基低维度钙钛矿辐射探测器及其制备方法，属于探测器技术领域，是一种以脒基大尺寸阳离子为A位阳离子的新型辐射探测器材料。该探测器中的单晶为为ABX4，其中，A为大尺寸有机分子4‑甲脒基吡啶，B为Pb2+，X为Cl，Br，或I；4‑甲脒基吡啶具有比胺基更丰富的氢键供体，相比与同类型的胺基阳离子具体更低的酸性和极性。同时由于尺寸空间效应，相比于同类型的胺基具有更低的旋转自由度。因此，在形成钙钛矿材料时，相比于胺基钙钛矿材料，本发明中的单晶具有更高的湿热稳定性。所制备的单晶辐射探测器表现出更低的离子迁移现象以及更高的器件操作稳定性。
一种脒基低维度钙钛矿辐射探测器及其制备方法

[发明专利]一种制备钙钛矿太阳能电池的方法-CN202310878835.6在审
发明人：夏锐;朱俊;张学玲;陈达明;杨广涛;陈奕峰;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及制备钙钛矿太阳能电池的方法，该方法包括：S1.提供包含钙钛矿活性表面层的钙钛矿太阳能电池基材；S2.在真空条件下，通过热蒸发法在待沉积基材的钙钛矿活性表面层上沉积二氧化锡层；S3.在所述二氧化锡层上形成上电极层。利用本发明的方法制备本发明的太阳能电池，能够大幅节约器件成本，使制备得到的钙钛矿太阳能电池省去常用的C60电子传输层，使用二氧化锡层同时起到电子传输和缓冲保护钙钛矿层作用，这样不但避免使用热稳定性较差的材料，提高太阳能电池的稳定性，而且由于太阳能电池层数的减少，在减少制造成本的同时，提高了太阳能电池光利用率。
一种制备钙钛矿太阳能电池方法

[发明专利]一种高质量CsPbBr3-CN202210152508.8在审
发明人：陈大正;张春福;何逸冰;朱卫东;张泽雨林;许育;习鹤;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池及其制备方法，所述电池自下而上依次包括：透明电极层、第一传输层、雾化沉积的CsPbBr3钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层。本发明通过雾气化学沉积法生长的CsPbBr3钙钛矿薄膜，能够减少CsPbBr3薄膜的缺陷，提高薄膜结晶度，减少电荷复合，能够提升CsPbBr3钙钛矿薄膜太阳电池的光电转换效率。
一种质量 cspbbr base sub

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置-CN202310943482.3在审
发明人：张志郢;请求不公布姓名;周紫春;洪婉茹;郭永胜;欧阳楚英 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置。该太阳能电池包括沿第一方向依次排列的第一电极层、空穴传输层、第一吸光层、互联层、第二吸光层、电子传输层和第二电极层；其中，互联层包括SnOx层，SnOx层包括至少三种SnOx材料，且沿第一方向，x从2梯度减小至1。本申请实施例的技术方案中，太阳能电池的性能有所提升。
太阳能电池及其制备方法组件装置

[发明专利]一种基于钙钛矿叠层的自驱动辐射探测器-CN202310658535.7在审
发明人：牛晓滨;王阳培华;朱星宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于辐射探测领域，具体涉及一种基于钙钛矿叠层的自驱动辐射探测器。主旨在于实现银铋基机无机杂化双钙钛矿既起到电子提取的效果，同时可隔绝空气中的氧气与水分，极高的提高了器件使用寿命的目的，主要方案包括从底层依次为衬底层、第一电极、空穴传输层、X射线吸收层、电子传输层、第二电极，绝缘保护层；第一电极全覆盖衬底层，空穴传输层、X射线吸收层、电子传输层、第二电极依次设置后与第一电极的三个边缘不重叠，一个边缘重叠覆盖，绝缘保护层覆盖在第二电极上，同时覆盖在第一电极上的三个边缘不重叠区域，其特征在于，所述X射线吸收层为铅基有机无机杂化钙钛矿与银铋基有机无机杂化双钙钛矿的叠层。
一种基于钙钛矿叠层驱动辐射探测器

[发明专利]一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法-CN202111526590.8有效
发明人：李国强;陈嘉颖;何小斌;林静 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池，包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极；所述钙钛矿层包括MaSn0.5Pb0.5I3、MASnI3、CsSnI2Br中一种以上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有抗辐照性、高转换效率、带隙可调、开启电压高的优点，并且具有宽的吸收光谱。而且本发明中钙钛矿在GaAs与石墨烯之间形成的电子势垒，有利于减少载流子复合，从而提高短路电流及转换效率，同时有利于降低制作成本。
一种钙钛矿 gaas 单结杂化太阳能电池及其制备方法

[发明专利]包括SAM的太阳能电池、太阳能电池组件和光伏系统-CN202310609600.7在审
发明人：吴涛;宗贝贝;王宏涛;王皓正;牛闯;邱开富;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，尤其涉及一种包括SAM的太阳能电池、一种光伏组件和一种光伏系统。所述太阳能电池包括：基底层；生长在所述基底层上的透明导电层；设置在所述透明导电层上的光吸收层；设置在所述透明导电层和所述光吸收层之间的第一SAM，所述第一SAM由具有通式(I)的化合物制成；和设置在所述光吸收层上的金属电极；所述通式(I)如下，得益于第一SAM由具有通式(I)的化合物制成，第一SAM具有良好的空穴传输能力、自铺展和锚定能力，可广泛应用于修饰太阳能电池的透明导电层和光吸收层，以有效提升各层界面处的电荷传输并钝化各层表面的空位缺陷。
包括 sam 太阳能电池组件系统

[实用新型]一种用于叠层太阳电池的高稳定性钙钛矿膜结构-CN202320348494.7有效
发明人：朱卫东 -专利权人：苏州芬尼根光伏科技有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于叠层太阳电池的高稳定性钙钛矿膜结构，包括：晶硅层，介孔层，钙钛矿膜层，缓冲层，其特征在于：晶硅层，介孔层钙钛矿膜层以及缓冲层依次层叠，钙钛矿膜层在其幅面上按厚度规律分布，钙钛矿膜层包括高位区块以及低位区块，高位区块与低位区块间隔设置，且二者幅面过度平滑；介孔层成与钙钛矿膜层对应的波浪结构，二者紧密贴合；介孔层厚度小于高位区块厚度且大于所述低位区块厚度，本实用新型通过将钙钛矿膜层进行结构改型，使其幅面上间隔划分高位区块以及低位区别，且构成波浪线与一侧介孔层贴合，并且将介孔层厚度进行限定，从而兼顾二者附着稳定性以及钙钛矿膜层的覆盖率。
一种用于太阳电池稳定性钙钛矿膜结构

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310519305.2有效
发明人：尚子雅 -专利权人：长江三峡集团实业发展（北京）有限公司;中国长江三峡集团有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明提供的钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿活性层制备时使用含2‑氨甲基吡嗪的溶液作为反溶剂。与现有均使用单一溶剂如甲苯、氯苯、乙酸乙酯等作为反溶剂的方法相比，本发明具有以下有益的技术效果：一方面，2‑氨甲基吡嗪的加入能在钙钛矿结晶过程中通过形成中间相延缓结晶，提高成膜质量，从根本上减少缺陷；另一方面，这样的处理工艺能使2‑氨甲基吡嗪在结晶过程中渗透到钙钛矿晶界处，分子中的氨基和吡嗪官能团能对晶界处的缺陷起到钝化作用，降低缺陷态密度，减少非辐射能量损失，从而提高钙钛矿太阳能电池器件的光电转换效率和稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310638927.7在审
发明人：郭杏元;曹永盛 -专利权人：光芯薄膜（深圳）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本申请公开了一种高光电转化效率的钙钛矿太阳能电池，包括n‑i‑p正式结构或者p‑i‑n反式结构，n‑i‑p正式结构包括透明基材，在透明基材上依次设置有透明导电膜层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、电极层；在透明基材另一面设置有减反射膜层以及在透明导电膜层与电子传输层之间或透明导电膜与空穴传输层之间、或者所述光学匹配膜层设置在电子传输层或空穴传输层之上设置有光学匹配膜层设置。本申请制备得到的钙钛矿太阳能电池，增加入射到钙钛矿层的透光率，从而提高钙钛矿太阳能电池光电转化效率。
一种光电转化效率钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种双功能无铅钙钛矿光电器件及其制备方法-CN202310522457.8在审
发明人：赵宏亮;李腾腾;李继涛;张雅婷 -专利权人：天津商业大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K30/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，涉及一种双功能无铅钙钛矿光电器件及其制备方法，用以克服传统含铅钙钛矿光电器件高毒性、功能单一、集成度低的缺点，同时克服无铅钙钛矿性能较差的问题。所述光电器件从下至上依次为：ITO玻璃基板、PEDOT:PSS层、CsBi3I10钙钛矿活性材料/PCBM异质结层、金属电极层；其中从PEDOT:PSS层开始，三个层的厚度分别为30～50nm、400～500nm、80～100nm，金属电极层中金属为Au或Ag，所述PCBM渗透进CsBi3I10钙钛矿活性材料中形成相互渗透的异质结。该器件具备在同一工作单元上实现高响应度和高响应速度随施加偏压切换的特点。
一种功能无铅钙钛矿光电器件及其制备方法

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