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[发明专利]砷化硼共振隧穿二极管及其制作方法-CN202310226845.1在审
发明人：薛军帅;吴冠霖;李泽辉;袁金渊;孙文博;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化硼共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管能带结构不对称、无双向对称微分负阻特性、峰值电流及峰谷电流比低的问题。该器件包括衬底、外延层、发射极欧姆接触层、第一隔离层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、第二隔离层、集电极欧姆接触层和集电极；发射极欧姆接触层上设置环形发射极。其中，第一和第二势垒层采用厚度相同的砷化硼材料，发射极与集电极欧姆接触区采用组分与厚度均相同的n型硼镓铟砷材料，第一和第二隔离层及量子阱层采用组分相同的硼镓铟砷材料，衬底采用高热导率砷化硼单晶。本发明器件无自发极化效应并有双向对称微分负阻效应，峰值电流与峰谷电流比高，可用于太赫兹波源和数字逻辑电路。
砷化硼共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种抑制自热效应的氮化镓器件及其制备方法-CN202310280147.X在审
发明人：曹艳荣;吕航航;马毛旦;王志恒;张新祥;陈川;吴琳姗;许晟瑞;吕玲;郑雪峰;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制自热效应的氮化镓器件，包括：金刚石衬底、石墨烯层、氮化镓缓冲层、P型氮化镓层、铝镓氮势垒层、钝化层、金刚石散热层、漏极、栅极和源极；金刚石衬底、石墨烯层和氮化镓缓冲层由下至上依次设置；漏极和源极分别位于氮化镓缓冲层上；铝镓氮势垒层位于漏极和源极之间；钝化层位于铝镓氮势垒层的表面；栅极下端穿过钝化层与铝镓氮势垒层接触；P型氮化镓层位于氮化镓缓冲层内部；金刚石散热层位于钝化层的表面。本发明还提供一种抑制自热效应的氮化镓器件的制备方法，本发明从提高器件散热能力和调制栅漏电场两个维度来抑制器件的自热效应，因此可较大程度的降低器件温度、抑制自热效应、改善器件因升温而造成的性能退化。
一种抑制热效应氮化器件及其制备方法

[发明专利]一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门及其制备方法-CN202310310895.8在审
发明人：刘艳;周久人;郑思颖;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种可重构铁电单晶体管存内布尔逻辑门，包括脉冲输入端电极、铁电介质层、直流输入端电极、介质层、源端电极、漏端电极、超薄沟道层、二氧化硅层和硅衬底；超薄沟道层的高低阻态代表了单晶体管的布尔逻辑输出；脉冲输入端电极和直流输入端电极分别调控沟道中的串联电阻；铁电介质层的极化状态存储了脉冲输入端的信息，从而在脉冲结束后持续调控串联电阻阻态。本发明利用铁电介质层非易失存储特性，以脉冲信号和直流信号分别调控超薄沟道层中的串联电阻，通过沟道层的高低阻态表征单晶体管的布尔逻辑输出，从而使单个晶体管具有逻辑计算功能和信息存储功能，且该存内布尔逻辑门能够在“或非”和“与”中切换，具有可重构的多功能优势。
一种可重构铁电单晶体管布尔逻辑及其制备方法

[发明专利]一种改善晶格失配的硼铝氮/金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法-CN202310027177.X在审
发明人：张金风;杨智清;苏凯;何琦;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶格失配的硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结结构的制备方法，包括以下步骤：获取111面单晶硅衬底；在111面单晶硅衬底上外延生长单晶氮化硼过渡层；在单晶氮化硼过渡层表面生长金刚石外延层；对金刚石外延层表面进行氮终端处理，形成氮终端表面；在氮终端表面上外延生长具有施主杂质掺杂的Al面极性纤维锌矿结构的单晶硼铝氮，形成硼铝氮外延层，以形成硼铝氮/氮终端金刚石二维电子气异质结。本发明的制备方法突破了高质量金刚石衬底的尺寸限制，有效缓解了金刚石上硼铝氮在外延过程中的晶格畸变，减少形成的异质结界面处的表面态与悬挂键，提高了金刚石异质结的质量。
一种改善晶格失配硼铝氮金刚石二维电子气异质结结构及其制备方法

[发明专利]可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管及制备方法-CN202310072475.0在审
发明人：任泽阳;马源辰;张金风;苏凯;祝子辉;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调沟道宽度的金刚石可变阈值场效应晶体管，包括N型金刚石衬底、P‑型金刚石外延层、P+型金刚石外延层、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极以及背电极，其中，P‑型金刚石外延层设置在N型金刚石衬底上表面；在P‑型金刚石外延层上表面左右两侧分别设置P+型金刚石外延层，源电极和漏电极分别设置在左右两侧的P+型金刚石外延层上，P+型金刚石外延层分别与其上方的源电极和漏电极形成欧姆接触；栅介质层设置在P‑型金刚石外延层未被P+型金刚石外延层覆盖的上表面，栅电极设置在栅介质层的上表面；背电极设置在N型金刚石衬底下表面。本发明的金刚石场效应管具有高热导率、高抗辐照性、耗尽型与增强型灵活的可选择性等优势。
可调沟道宽度金刚石可变阈值场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法-CN202310427884.8在审
发明人：高香香;白皓宇;常晶晶;林珍华;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/30 文献下载
摘要：本发明属薄膜晶体管器件掺杂技术领域，具体涉及一种SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂方法。本发明采用自组装的方式通过两种物质之间的相互作用力组装SWCNTs薄膜用于制备晶体管器件阵列，通过超强吸电子能力双三氟甲烷磺酰亚胺(TFSI)P型掺杂剂处理SWCNTs薄膜，能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件阈值电压，大幅提升SWCNTs薄膜晶体管器件的载流子迁移率和最大开态电流。本发明的有益效果在于，通过改变TFSI处理SWCNTs薄膜的温度和对器件进行退火处理能够调控SWCNTs薄膜晶体管器件的P型掺杂，在高性能SWCNTs薄膜晶体管器件领域具有广阔的应用前景。
一种 swcnts 薄膜晶体管器件掺杂方法

[发明专利]一种基于光脉冲神经网络的基因分析方法及装置-CN202211087065.5在审
发明人：项水英;蒋树庆;傅晨涛;张雅慧;郭星星;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G16B40/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于光脉冲神经网络的基因分析方法及装置，通过光学器件VCSEL‑SA模拟光脉冲神经元，使得信号以光脉冲的形式在光脉冲神经网络中传递从而构建VCSEL‑SA光脉冲神经网络，之后根据子数据集与VCSEL‑SA光脉冲神经网络一一对应的关系，利用子数据集对应的输入样本对VCSEL‑SA光脉冲神经网络进行迭代训练，得到训练好的多个VCSEL‑SA光脉冲神经网络；由于光脉冲神经元可以处理纳秒甚至皮秒级的信息，处理速度快，计算效率高，且由于使用投票原则在多个预测分类中确定样本结果，可以提高对当前HIV蛋白酶样本进行预测分类的效率以及准确性，将预测分类结果提供给医生参考辅助，减轻医生的工作负担。
一种基于脉冲神经网络基因分析方法装置

[发明专利]一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管制备方法-CN202110870270.8有效
发明人：郑雪峰;洪悦华;何云龙;张方;张翔宇;陆小力;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种低开启电压的氧化镓肖特基二极管的制备方法，主要解决现有方法制作的氧化镓肖特基二极管的开启电压高的问题，其实现方案为：对氧化镓衬底进行清洗；对清洗后的氧化镓衬底表面进行表面修复的预处理，采用氢化物气相外延技术HVPE在预处理后的氧化镓衬底正面进行生长氧化镓外延层；采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属，并对其进行欧姆退火；对氧化镓外延层进行笑气电感耦合等离子体处理，并采用光刻形成阳极图案；根据阳极图案采用电子束蒸发沉积肖特基阳极金属，完成器件制作。本发明降低了肖特基二极管的开启电压；提高了漂移层的电子迁移率，从而减小了导通电阻，可用于大功率、高电压、高频整流。
一种开启电压氧化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]基于电调谐的纳米梁腔光滤波器-CN202211736447.6在审
发明人：姚丹阳;谢含;刘艳;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开一种基于电可调的纳米梁腔滤波器,主要解决现有可调谐光滤波器体积大、损耗大、功耗大、调制速度慢的问题。其采用由衬底(1)、包层(2)、波导(3)、电调制耦合区域(4)组成的垂直结构,该电调制耦合区域包括谐振腔(41)、顶电极(42)、底电极(43),该谐振腔(41)包括三层纳米梁腔结构,其上设有大小不同的纳米阵列通孔，且第二纳米梁腔采用铪锆氧或铝钪氮材料；该包层设为上下两层，且上包层材料为二氧化硅或空气；该底电极位于第一层纳米梁腔之上的两端；该顶电极位于第三层纳米梁腔之上的两端。本发明大幅度降低光滤波器的体积和功耗，加快了调制速度，提高了滤波器的集成度，可用于片上光互联及空间光通信。
基于调谐纳米梁腔光滤波器

[发明专利]一种交叉阵列的光子突触权重矩阵装置及其权重调整方法-CN202310248817.X在审
发明人：项水英;高爽;宋紫薇;韩亚楠;谷碧玲;张钰娜;郭星星;张雅慧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明提供一种基于交叉阵列的光子突触权重矩阵装置及光电信号权重调整方法，该网络包括：可调谐光源和电光调制器，用于获取至少两路光电信号，所述两路光电信号包括：第一光电信号和第二光电信号；与所述可调谐光源和电光调制器连接的光子突触交叉阵列，用于分别对所述两路光电信号的脉冲强度进行调整，获得调整后的光电输出信号。通过将光子突触交叉阵列对两路光电信号的脉冲强度进行调整，提高了人工智能神经网络的数据处理的速度。
一种交叉阵列光子突触权重矩阵装置及其调整方法

[发明专利]一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法-CN202211611093.2在审
发明人：苏凯;米天和;张金风;王唯;任泽阳;王东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高压低漏电的金刚石核探测器及其制备方法，金刚石核探测器包括：金刚石、第一绝缘介质层、第一欧姆接触电极、第二绝缘介质层和第二欧姆接触电极，第一欧姆接触电极位于金刚石的第一表面上，第一绝缘介质层包围第一欧姆接触电极，且第一欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第一绝缘介质层以形成场板结构；第二欧姆接触电极位于金刚石的第二表面上，第二绝缘介质层包围第二欧姆接触电极，且第二欧姆接触电极的边缘向两侧延伸并覆盖部分第二绝缘介质层以形成场板结构。本发明实施例通过在器件表面非电极区域插入绝缘介质层并形成电极场板结构，提高了探测器的工作耐压，降低了器件的漏电。
一种压低漏电金刚石探测器及其制备方法

[发明专利]单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法-CN202310218005.0在审
发明人：毛维;谢渊源;杨翠;赵天龙;王树龙;郑雪峰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成的逆导型氮化镓纵向功率器件及其制作方法，主要解决了现有的氮化镓基功率器件双向导通特性差，其电路成本高，性能差的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层和源极，该沟道层的两侧设有P型GaN层，P型GaN层上方依次设有第一N型GaN层、第二N型GaN层和栅极，P型GaN层下方漂移层内部设有m层第一渐变P型GaN层，漂移层2的上方中央等间距设有n块P型调制岛，每块P型调制岛下方漂移层内部设有m层第二渐变P型GaN层，调制岛结构与结型场效应管结构交替排列。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其关断状态下泄漏电流小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。
单片集成逆导型氮化纵向功率器件及其制作方法

[发明专利]一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法-CN202310151872.7在审
发明人：张苇杭;文钰;张进成;冯欣;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。其包括：衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、n‑‑InGaN漂移层、Mg离子注入区域、阴极、钝化层和阳极。其中在n‑‑GaN漂移层上外延n‑‑InGaN漂移层；在Mg离子高温激活工艺中，靠近表面的In从InGaN材料中析出，使得Mg进入In的晶格格点，降低Mg的激活能，在远离表面的InGaN材料中，Mg在InGaN中的激活能低于GaN材料，故Mg在InGaN中具有更高的激活效率，催化n‑‑InGaN转为p‑(In)GaN。本发明可以显著提高GaN基JBS二极管中Mg离子注入p型掺杂的激活效率，提升GaN基JBS二极管的反向耐压，降低导通损耗，可广泛应用于高频开关和整流系统中。
一种基于离子注入 gan jbs 二极管及其制备方法

[发明专利]复合渐变层氮化镓功率晶体管-CN202310218004.6在审
发明人：毛维;谢渊源;杨翠;张涛;杜鸣;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合渐变层氮化镓功率晶体管及其制作方法，主要解决现有的功率开关器件双向导通特性差，导致其所用系统的成本高，功率效率低的问题。其自下而上包括：漏极、衬底层、漂移层、沟道层、N+型层和源极，该沟道层的两侧的漂移层内设有第一渐变层，其间距小于沟道层宽度，且其上部设有栅极，漂移层上部中央设有调制岛极，调制岛极下方的漂移层内设有等间隔的n块第二渐变层，该第一渐变层由第一渐变P型层和第一渐变N型层组成，第二渐变层由第二渐变P型层和第二渐变N型层组成。本发明降低了反向导通开启压降、增大了导通电流，其阻断时泄漏电小耐压高，具有良好的双向导通特性，可作为功率开关器件。
复合渐变氮化功率晶体管

[发明专利]基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法-CN202310219302.7在审
发明人：武玫;孙浩伦;马晓华;王平;杨凌;侯斌;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法，包括：在AlGaN/GaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层；采用循环刻蚀技术在源极区域、漏极区域和台面隔离区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形；在源电极图形内制备源电极，在漏电极图形内制备漏电极；刻蚀台面隔离图形内的AlGaN势垒层和部分GaN缓冲层，形成台面隔离；采用循环刻蚀技术在栅极区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成栅电极图形；在栅电极图形内制备栅电极。该方法消除了微掩膜以及金刚石毛刺，得到了平滑的表面。
基于循环刻蚀技术多晶金刚石薄膜 gan hemt 集成制备方法