“郝跃”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1292个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于脉冲编码可学习SNN的目标跟踪方法及电子设备-CN202211084460.8在审
发明人：项水英;张涛;蒋树庆;张雅慧;郭星星;施跃春;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于脉冲编码可学习SNN的目标跟踪方法，包括：将视频分解为多帧图像，并将第一帧图像变换到第一尺度，以及将其他帧图像变换到第二尺度，得到视频帧序列；基于脉冲神经网络模型对视频帧序列进行目标跟踪；该模型是对SiamFC++网络进行改造得到的，改造方式为将SiamFC++网络中的backbone替换为一前端网络；该前端网络包括两个分支，每个分支均包括脉冲编码模块、脉冲特征提取模块以及求点火率模块，脉冲编码模块用于将图像编码为由二进制数组成的五维编码向量；脉冲特征提取模块用于从五维编码向量中提取脉冲特征；求点火率模块用于从脉冲特征中去除时间维度t。本发明利用SNN实现了目标跟踪。
基于脉冲编码学习 snn 目标跟踪方法电子设备

[发明专利]混合集成型光子脉冲神经网络装置及数字图像分类方法-CN202210815918.6在审
发明人：项水英;赵思婷;宋紫薇;郭星星;张雅慧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06V10/44 文献下载
摘要：本发明公开了混合集成型光子脉冲神经网络装置，包括：光编码模块包括N个突触前神经元；光响应输出模块包括N个突触后神经元；神经元均为VCSEL‑SA，N≥1；光突触模块包括顺次级联的第一MZI子网络、MZI阵列以及第二MZI子网络，形成一个具有N输入、N输出的MZI网络；第一MZI子网络和第二MZI子网络均包括N(N‑1)/2个呈Reck架构排布的MZI，MZI阵列包括N个并行排布的MZI；光突触模块中各MZI的相位参数，是通过对一N×N的权重矩阵进行奇异值分解、以及基于分解得到的酉矩阵构建包含三角函数的方程组并求解方程组得到的。
混合集成光子脉冲神经网络装置数字图像分类方法

[发明专利]碳纳米管互联的钙钛矿/GaAs两端机械叠层太阳电池-CN202210780757.1在审
发明人：朱卫东;韩天娇;张春福;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管互联的钙钛矿/GaAs两端机械叠层太阳电池及其制备方法，该机械叠层太阳电池包括GaAs底电池、碳纳米管互联层以及钙钛矿顶电池；其中，所述碳纳米管互联层通过机械堆叠的键合方式实现钙钛矿顶电池和GaAs底电池的电学互联与光学耦合，以形成机械叠层太阳电池。本发明采用机械堆叠的键和方式，利用碳纳米管互联层实现钙钛矿顶电池和GaAs底电池的电学互联与光学耦合，避免了在GaAs电池上进行额外的工艺，极大地减少了对于GaAs电池的效率损伤，为提高叠层电池效率提供了理想途径；此外，本发明采用碳纳米管作为互联层，使得GaAs电池与钙钛矿太阳电池键合得更加紧密，削弱了由于GaAs电池表面的微米级起伏造成的电流损失。
纳米管互联钙钛矿 gaas 两端机械太阳电池

[发明专利]基于深度脉冲神经网络的单目标短程跟踪方法及装置-CN202210808419.4在审
发明人：项水英;蒋树庆;刘晓松;郭星星;张雅慧;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于深度脉冲神经网络的单目标短程跟踪方法及装置，通过从监控设备获取监控图像集；对监控图像集进行预处理，并将预处理后的监控图像集输入至初始化后的深度脉冲神经网络中，然而脉冲神经元函数是不可微的，无法直接对脉冲神经网络进行训练，因此在反向传播时引入可求导的softsign函数来代替脉冲神经元函数，对深度脉冲神经网络进行训练，利用训练好的深度脉冲神经网络进行目标跟踪。相比于现有技术，可以实现与原卷积神经网络相近的追踪效果，同时让网络呈现出事件驱动的计算方式，具有计算效率高，功耗低的优点，也为后续模型移植到人工智能芯片或者神经形态硬件等边缘设备提供了可行性。
基于深度脉冲神经网络目标短程跟踪方法装置

[发明专利]一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法-CN202211051196.8在审
发明人：郑雪峰;洪悦华;张超;张方;何云龙;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿双极场限环结构的氧化镓肖特基二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低的问题。其自下而上包括：阴极(1)、衬底(2)、外延层(3)和阳极(6)，所述衬底(2)和外延层(3)，均采用n型掺杂的氧化镓材料，该氧化镓外延层(3)上表面的阳极外部依次设有p型场限环(4)和n型场限环(5)，且n型场限环(5)位于p型场限环(4)的上部，两者采用不同的半导体材料，以与氧化镓外延层形成异质双极结构场限环。本发明相对现有的二极管极大的提高了器件的击穿电压性能，可用于高耐压大功率电力电子系统。
一种击穿双极场限环结构氧化镓肖特基二极管制备方法

[实用新型]一种真空镀膜装置-CN202222005579.3有效
发明人：张永胜;邓天泽;郝跃;李伟;梁得刚 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型属于真空镀膜技术领域，公开了一种真空镀膜装置。该真空镀膜装置包括真空镀膜室、前过渡室、后过渡室、放卷机构和收卷机构。真空镀膜室用于向待加工件镀膜；前过渡室和后过渡室分别设置于所述真空镀膜室的两侧，所述前过渡室和所述后过渡室均能与所述真空镀膜室连通，所述前过渡室和所述后过渡室均包括依次连通的多个过渡腔，多个所述过渡腔的真空度沿靠近所述真空镀膜室的方向逐渐升高；放卷机构和收卷机构均设置于所述真空镀膜室外，所述放卷机构用于提供所述待加工件，所述待加工件依次经过所述前过渡室、所述真空镀膜室和所述后过渡室后能够被所述收卷机构收卷，实现连续送卷镀膜，避免影响真空镀膜室内的真空度，生产效率高。
一种真空镀膜装置

[发明专利]ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法-CN202110335747.2有效
发明人：薛军帅;刘芳;张进成;郝跃;孙志鹏;李蓝星;姚佳佳;杨雪妍;张赫朋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和微分负阻效应不对称的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、GaN量子阱层、第二势垒层、隔离层、集电极欧姆接触层和集电极电极；这两个势垒层均采用Sc组分在15％‑20％之间、厚度为1‑3nm且Sc组分、厚度相同的ScAlN；隔离层采用厚度为2‑4nm的InN；集电极欧姆接触层采用n+InN。本发明器件峰值电流高、峰谷电流比大、能实现正反向对称微分负阻效应，且工作频率和输出功率高，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。
scaln gan 双势垒共振二极管及其制作方法

[发明专利]基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202211010681.0在审
发明人：许晟瑞;王雨佳;韩红波;刘旭;王若冰;胡琳琳;吴前龙;贠博祥;张涛;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底(1)、AlGaAs沟道层(2)、ScAlN势垒层(3)；该ScAlN势垒层的两端设有漏极(4)和源极(5)，中间设有栅极(6)，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层(7)。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlN/AlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。
基于 scaln algaas 异质结电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法-CN202210949606.4在审
发明人：苏杰;林珍华;胡银辉;常晶晶;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的氮化镓镍氮空位色心及其制备方法，主要解决现有技术中色心制备成本高、光学激发能高、应用受限的问题。方案包括：在氮化镓晶格中，利用镍原子取代一个镓原子和该镓原子最近邻的氮空位，原子排列呈现C3v对称，且C3v对称轴穿过镍原子和氮空位的中心，并与三个间距相等的镓原子所在平面相垂直；其制备方法是首先采用金属有机化学气相沉积法生长立方相氮化镓薄膜，然后对其进行离子注入，掺杂特定种类的镍离子并经高温退火修复晶格损伤后，通过电子辐照产生大量单个空位，随后再快速退火。本发明能够有效降低操作色心需要的光学激发能，减少色心制备成本，可广泛应用于测量、通信、仿真、高性能计算等领域。
一种新型氮化镓镍氮空位色心及其制备方法

[发明专利]一种使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin-HEMT器件及其制备方法-CN202210855120.4在审
发明人：马晓华;祝杰杰;周钰晰;郭静姝;刘思雨;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用强极化势垒材料的低栅漏电GaN Fin‑HEMT器件及其制备方法，本发明在栅下均保留钝化层结构，在顶栅下方对钝化层进行减薄处理，采用热氧化的方式进行氧化层的生成，通过采用TMAH溶液湿法处理的方式，可以使侧壁变得陡峭，保证了器件的栅控能力，跨导不会有明显变化，进一步减少栅漏电，提升器件可靠性，同时，降低了电子隧穿至后续生长的氧化层的概率，减弱电子在界面的散射，从而提高沟道电子迁移率，提高器件直流特性。
一种使用极化材料漏电 gan fin hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法-CN202211024320.1在审
发明人：刘志宏;赵雪利;许淑宁;何佳琦;邢伟川;侯松岩;张苇杭;周瑾;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明氮化镓HEMT的欧姆接触制备方法，该方法包括：在氮化镓HEMT晶圆上淀积不透明欧姆金属；进行退火，所述不透明欧姆金属与氮化镓HEMT晶圆表面的三族氮化物材料反应，三族氮化物材料中的氮缺失，产生大量氮空位，形成N型重掺杂；用酸洗的方法去除退火后的不透明欧姆金属；淀积透明欧姆接触材料，与具有大量氮空位、形成N型重掺杂的三族氮化物形成良好的欧姆接触。常规氮化镓HEMT制备方法中通过高温退火使金属电极与异质结形成欧姆接触，但是金属电极不透明；而采用透明材料作为电极时，通过高温退火无法与氮化镓HEMT结构形成良好的欧姆接触。本发明可解决该问题，且工艺简单、易于实现，性能良好，效果突出。
一种透明氮化 hemt 欧姆接触制备方法

[发明专利]改善终端边缘峰值电场的氧化镓肖特基二极管及制备方法-CN202211027807.5在审
发明人：郑雪峰;洪悦华;王鑫炀;张豪;何云龙;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善终端边缘峰值电场的氧化镓肖特基二极管及制备方法，主要解决现有同类器件终端边缘处电场分布不均匀，器件易被击穿的问题。其由下至上依次包括：阴极欧姆金属层(1)、重掺杂氧化镓衬底(2)、n型轻掺杂氧化镓外延层(3)、阳极肖特基金属(4)和p型氧化镍层(5)，该p型氧化镍层(5)沉积在阳极肖特基金属(4)的终端边缘外，且采用单环结构或双环结构，以与n型轻掺杂氧化镓外延层(3)形成耗尽区；该阳极肖特基金属的下半部分位于n型轻掺杂氧化镓外延层的内部或位于n型轻掺杂氧化镓外延层的表面。本发明具有改善终端边缘峰值电场，提高击穿电压的优点，可用于耐高压大功率电力电子系统。
改善终端边缘峰值电场氧化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法-CN202211032511.2在审
发明人：郑雪峰;何云龙;张超;洪悦华;张豪;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐压低导通电阻的鳍式氧化镓PN二极管及制备方法，主要解决现有同类器件击穿电压低、导通电阻大的问题。其自下而上包括：阴极(1)、氧化镓衬底(2)、n型氧化镓外延层(3)、半导体层(4)、阳极(5)，该氧化镓外延层上刻蚀多个沟槽形成鳍型结构(6)，该半导体层采用p型半导体材料，且完全沉积在鳍型结构的外部，使其与氧化镓外延层形成PN结二极管；该氧化镓衬底的001晶向与鳍型结构的朝向之间设有20°～60°的夹角，通过改变夹角，提高器件的击穿电压；该氧化镓外延层的掺杂载流子浓度为1015～1017cm‑3，掺杂离子为Si。本发明具有击穿电压高、导通电阻小的优点，可用于高耐压大功率电力电子系统。
耐压通电氧化 pn 二极管制备方法

[发明专利]一种基于多层掺杂Al1-x-CN202210958856.4在审
发明人：常晶晶;林珍华;薛怡馨;崔东升;王逸飞;苏杰;魏葳;郭兴;赵雪;胡赵胜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多层掺杂Al1‑xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的硅衬底层、TiN下电极层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N下缓冲层、Sc掺杂浓度为25％的Al0.75Sc0.25N铁电材料层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N上缓冲层、TiN上电极层；所述TiN下电极层与TiN上电极层厚度均为30纳米，Al0.875Sc0.125N缓冲层厚度均为10纳米，Al0.75Sc0.25N铁电材料层厚度为80纳米。本发明不仅有利于材料的高质量生长，同时提高了器件的耐压性，其工作时的稳定性与可靠性得以保障。可以进一步简化现有铁电存储器制作工艺，操作安全简单，生产成本得以降低。
一种基于多层掺杂 al base sub

[发明专利]一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法-CN202210716538.7在审
发明人：马金榜;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlPN成核层的低射频损耗硅基GaN薄膜及制备方法，硅基GaN薄膜包括：Si衬底、预铺铝、至少两层AlPN成核层和GaN外延层，其中，所述Si衬底、所述预铺铝层、所述至少两层AlPN成核层和所述GaN外延层依次层叠。本发明实施例在Si衬底上生长至少两层AlPN成核层，与Si衬底接触的AlPN成核层可以实现Si衬底与成核层之间的晶格完全匹配，而最上面一层的AlPN成核层可以实现成核层与GaN层之间的晶格匹配，降低了Si基GaN外延层由于晶格失配带来的位错，提高了Si基GaN的晶体质量；同时，AlPN成核层生长过程中P源的引入可进入衬底形成N型掺杂，进而降低Si基GaN由于P型掺杂带来的寄生沟道的浓度，进而降低射频损耗。
一种基于 alpn 成核射频损耗 gan 薄膜制备方法