[实用新型]基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块有效
申请号: | 201822219818.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209434170U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 孙炎权;崔卫兵;蒋卫娟 | 申请(专利权)人: | 天水华天电子集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙周强 |
地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 散热 半导体模块 智能功率 封装 温度检测元件 本实用新型 封装结构 散热效果 散热面 功率开关元件 检测灵敏度 产品功率 功率要求 功率元件 开关元件 控制元件 驱动元件 小型表面 高功率 客户端 排布 贴装 应用 | ||
1.基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块包括引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件、塑封壳、外部引线;所述控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件都粘接于引线框架上。
2.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述驱动元件包括集成低压驱动元件、集成高压驱动元件或者集成高低压驱动元件;所述功率开关元件包括高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件。
3.根据权利要求2所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述高压侧功率开关元件、低压侧功率开关元件分别位于引线框架两侧;所述温度检测元件位于高压侧功率开关元件一侧。
4.根据权利要求2所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述高压侧功率开关元件为1~10个;所述低压侧功率开关元件为1~10个。
5.根据权利要求2所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:当驱动元件为集成高低压驱动元件时,所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块还包括配线元件;所述配线元件粘接于引线框架上。
6.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述塑封壳为全包封塑封壳或者半包封塑封壳;所述引线框架的散热面位于塑封壳内部上端。
7.根据权利要求6所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:当塑封壳为半包封塑封壳时,所述散热智能功率半导体模块还包括散热基板,所述散热基板与引线框架的散热面粘接连接;当塑封壳为全包封塑封壳时,所述引线框架为凸型结构,所述凸型结构的开口朝着塑封壳内部下端。
8.根据权利要求7所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所有元件都位于凸型结构的开口上表面。
9.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述塑封壳的整体长度不大于22毫米、宽度不大于11毫米、厚度不大于2毫米。
10.根据权利要求1所述基于微小级别SSOP封装的散热智能功率半导体模块,其特征在于:所述控制元件、驱动元件、功率开关元件依次连接;所述温度检测元件与控制元件连接;所述引线框架、控制元件、驱动元件、功率开关元件、温度检测元件位于塑封壳内部;所述外部引线位于塑封壳外部。
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- 本发明涉及半导体器件及其选择性加热,提供了一种或多种半导体器件、阵列布置及其形成方法。该半导体器件包括离子感测器件和接近离子感测器件的加热元件。离子感测器件具有有源区域,其包括源极、漏极、和位于源极和漏极之间的沟道。离子感测器件也具有位于沟道上方的离子感测膜,以及位于离子感测膜上方的离子感测区域。响应于通过接近离子感测器件的热传感器所感测的温度,选择性地激活加热元件以改变离子感测区域的温度,从而促进半导体器件的期望操作,诸如用作生物传感器。多个半导体器件可以形成于阵列内。
- 电子元件和电子装置-201410350451.8
- 门池祐太;株根秀树;山本敏久 - 株式会社电装
- 2014-07-22 - 2018-09-07 - H01L23/34
- 本发明提供一种表面安装在基底(2)上的电子元件(301),其具有腿部(41),该腿部(41)沿着背侧电极(36)的外围部分从电子元件(301)的背表面(33)朝向热沉(6)突出。因此,如果基底(2)翘曲,则突出的腿部(41)抵接热沉(6)的热接收表面(63),因此保留了背侧电极(36)与热沉(6)之间的绝缘间隙(Δs)。结果,防止了短路。
- 专利分类