“mram”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1078个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用磁性退火的参考单元的MRAM感测-CN201280037699.8有效
发明人：哈里·M·拉奥;朱晓春 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于使用磁性退火的参考单元来读取/感测存储于磁阻式随机存取存储器MRAM单元中的数据的系统和方法。MRAM包含参考电路(570)，所述参考电路包括至少一个磁性存储单元(506)，其中所述MRAM中的每一磁性存储单元被编程到相同状态。
使用磁性退火参考单元 mram 感测

[发明专利]磁性随机内存(MRAM)胞元之参考-CN02804072.4有效
发明人： H·霍恩格施米德 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-01-24 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明系为用于一MRAM数组之一参考电路(132)，其包含与逻辑”0”参考MRAM胞元MR_0a及MR_0b并联耦合之逻辑”1”参考MRAM胞元MR_1a
磁性随机内存 mram 参考

[发明专利]一种MRAM存储器件及写状态检测方法-CN201910056720.2有效
发明人：叶力;戴瑾;夏文斌 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM存储器件，包括若干MRAM存储单元，还包括写状态检测单元；所述MRAM存储单元包括两个磁性隧道结和分别耦合到两个磁性隧道结元件的两个场效应管；两个磁性隧道结的顶端依次连接列选择开关两个磁性隧道结底端耦合的场效应管连接到方向选择开关、源线，从而形成两路写电路；且一路写电路的位线端为写入端，一路写电路的源线端接地；另一路写电路的位线端接地，另一路写电路的源线端为写入端；写状态检测单元包括比较器；用于对所述MRAM本发明在2T2M基础上增加了写状态检测电路，而且不需要额外设置参考电阻，MRAM存储器件的写入状态功耗大幅度降低。
一种 mram 存储器件状态检测方法

[实用新型]一种立体封装MRAM存储器-CN201220515592.7有效
发明人：颜军;黄小虎 -专利权人：珠海欧比特控制工程股份有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种立体封装MRAM存储器，包括多个MRAM芯片，还包括从下至上进行堆叠的多个印刷电路板，所述多个印刷电路板包括一引脚印刷电路板及位于所述引脚印刷电路板上方的至少两块置放印刷电路板，引脚印刷电路板上设有用于对外连接的引脚，多个MRAM芯片设于置放印刷电路板上但不全设于同一置放印刷电路板上；多个印刷电路板经灌封、切割后在周边上露出印刷电路线，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述多个印刷电路板上露出的印刷电路线进行关联连接以形成：多个MRAM芯片并联连接，引脚作为立体封装MRAM存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
一种立体封装 mram 存储器

[发明专利]一种STT-MRAM存储单元-CN201410306563.3在审
发明人：胡少坚;王全;陈寿面;任铮;郭奥 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种STT-MRAM存储单元，将STT-MRAM存储单元的晶体管设计为具有独立双栅的FinFET形式，Fin两侧的二个栅极分别与Fin的源、漏区构成一个MOS器件，二个MOS器件共享源、漏区，二个栅极互为背栅，可分别控制Fin开启或关闭导电沟道，本发明利用具有独立双栅的FinFET器件的栅控特性，在一个FinFET器件里面构成两个MOS结构，实现STT-MRAM存储单元所需要的较小读电流和较大的写电流，可有效提高STT-MRAM的读写稳定性，并使器件的尺寸在相同的驱动电流条件下得到了进一步缩小。
一种 stt mram 存储单元

[发明专利]一种基于STT-MRAM构建的存储器-CN201510930878.X在审
发明人：徐庶;蒋信;李辉辉;左正笏;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于STT-MRAM构建的存储器，由STT-MRAM单独构建，也可以由STT-MRAM混合其他非易失性子存储器(如RRAM,PCM或FLASH Memory)一同构建。采用混合方式构建的存储器中，STT-MRAM作为其他非易失性子存储器的前端高速缓存，负责通过DDR接口与CPU直接通信，同时，通过内部控制器与其他非易失性子存储器相连，负责缓存需要写入其他非易失性子存储器的数据
一种基于 stt mram 构建存储器

[发明专利]具有堆叠中选择器的顶部钉扎SOT‑MRAM结构-CN201610921767.7在审
发明人： P.M.布拉干萨;L.万 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠中选择器的顶部固定式自旋‑轨道转矩磁阻随机存取存储器(SOT‑MRAM)结构。本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM单元和芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括存储器单元阵列，其具有多个第一引线、多个第二引线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括MTJ和选择器元件。这些SOT‑MRAM单元消除了使大电流通过MTJ的阻挡层的需求，选择性元件消除了通常在不扰乱相邻存储器单元的情况下选择单个存储器单元所需的大晶体管。
具有堆叠选择器顶部 sot mram 结构

[发明专利]一种MRAM芯片的阵列结构-CN201711237712.5在审
发明人：戴瑾;王践识 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM芯片的阵列结构，包括有源区、字线、源极线、MTJ和位线。有源区和字线跨越的栅极区域组成NMOS管；字线跨越有源区，并将有源区分割成源极区和漏极区；MTJ的底部与漏极区相连，顶部与位线相连，位线与字线垂直；共用同一条字线的同一行中多个MRAM的记忆单元中相邻的两个单元的源极区扩展依次连接形成源极线本发明利用有源区制成源极线，使得MRAM存储单元变小，有效地提高了MRAM存储芯片的密度。
字线源区源极线位线阵列结构漏极区源极区芯片存储芯片记忆单元依次连接栅极区域有效地变小成源极区垂直分割

[发明专利]一种卫星用计算机应急系统及其方法-CN202010881730.2在审
发明人：兰超;孙立超;栾晓娜 -专利权人：山东航天电子技术研究所
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开一种卫星用计算机应急系统及其方法，所述应急系统包括CPU主控模块以及与CPU主控模块相连的遥控FPGA模块、MRAM模块、SRAM模块和FLASH模块，遥控FPGA模块内存储引导程序，MRAMSRAM模块为应用程序运行的实体；正常工作时，通过遥控FPGA模块实现CPU主控模块的启动引导，CPU主控模块运行后将FLASH模块中存储的应用程序搬移至SRAM模块中，应急工作时，CPU主控模块运行后将MRAM本方案系统进入应急模式后，可以依靠MRAM中的应用程序，无需地面干预，保证卫星计算机功能的正常运行，卫星系统的容错能力得到有效提升，具有更高实际应用价值。
一种卫星用计应急系统及其方法

[发明专利]自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造-CN201980092229.3在审
发明人： S·阿拉基 -专利权人：芯成半导体(开曼)有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁存储器件(300)，包括在沿着第一方向延伸的第一导线(102)和沿着第二方向延伸的第二导线(314)的网格交叉处的自旋轨道扭矩磁随机存取存储器(SOT‑MRAM)器件(104)和写入电路，所述写入电路包括第一晶体管(116)和第二晶体管(118)，第一晶体管被耦合到每个对应第一导线以在第一方向上沿着第一导线施加第一写入电流(120)，第二晶体管(118)用于选择单独的SOT‑MRAM器件并沿着垂直于单独的SOT‑MRAM器件的层的轴线向单独的SOT‑MRAM器件施加第二写入电流(122)。
自旋轨道扭矩磁存储器阵列及其制造

[发明专利]一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺-CN202010995271.0在审
发明人：杨宇新;李佳鹤;刘鹏;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺，采用了反应离子刻蚀与等离子束刻蚀相结合的方法。本发明可以调整MRAM结构底部的陡直度，达成MTJ层侧壁均无金属沉积的刻蚀结果，可以提高MRAM结的TMR，进而提高MRAM器件的性能。
一种 mram 隧道底部陡直控制工艺

[发明专利]MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法-CN202210806839.9在审
发明人：庄学理;李元仁;江典蔚;史毅骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及确定其外部磁场和影响的方法。MRAM器件包括主磁隧道结(MTJ)阵列和参考MTJ阵列，主磁隧道结(MTJ)阵列包括被配置为储存存储器数据的多个存储器单元，参考MTJ阵列包括具有MTJ结构的多个参考单元。MRAM器件还包括与主MTJ阵列和参考MTJ阵列可操作地相关联的控制器。控制器被配置为接收与外部磁场强度相关的参考MTJ阵列的总电阻，基于接收到的参考MTJ阵列的总电阻和预定阈值确定外部磁场是否致命，并且如果确定MRAM器件周围的外部磁场是致命的，则提供指示储存在主MTJ阵列中的存储器数据不可信的通知
mram 器件确定外部磁场影响方法

[发明专利]一种基于MRAM的一次性可编程存储器-CN202210332881.1在审
发明人：王跃锦;何世坤;于志猛;郑泽杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MRAM的一次性可编程存储器，涉及半导体制造领域，该基于MRAM的一次性可编程存储器包括存储单元、参考单元及比较电路，其中存储单元中包括第一磁性隧道结，并且存储单元中的第一金属柱的等效电阻远小于所述第一磁性隧道结为平行态时的等效电阻，所以存储单元的等效电阻主要由第一磁性隧道结的状态决定，本发明中的存储单元的存储原理和结构与MRAM一致，因此可以利用相同的生产工艺生产MRAM、一次性可编程存储单元及一次性可编程存储器，降低了生产成本
一种基于 mram 一次性可编程存储器

[发明专利]一种准双口MRAM芯片及其读写方法-CN201610990918.4有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明一种准双口MRAM芯片，包括多个阵列，准双口MRAM芯片同时收到读写第一地址的第一指令与读写第二地址的第二指令，第一地址与第二地址属于不同的阵列，或者第一地址与第二地址属于同一阵列的同一行，第一指令与第二指令同时操作本发明还提供一种准双口MRAM芯片的读写方法。本发明提供的准双口MRAM芯片及其读写方法，能够在实际使用中大部分时间里都能在一个读写周期里同时进行两处读写，如果不能做到，则分两个周期进行读写。
读写双口芯片指令读写周期多个阵列

[发明专利]用于磁性存储单元的硬件安全装置-CN200380107144.7有效
发明人： K·－M·H·伦斯森;A·J·M·德尼斯森;N·拉姆伯特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种例如MRAM元件(10，11)之类的磁性元件的特殊结构作为包含磁性存储单元的IC的安全装置(30)。反向的极化方向表明正常情况，对准的极化方向表明MRAM阵列已经被暴露于外磁场。采用这种方法可以检测是否在试图采用非法方式擦除或改变存储在MRAM中的数据。当检测到磁场暴露时，所述IC可以擦除所有的MRAM数据，或者可以复位自身或阻止其起作用。
用于磁性存储单元硬件安全装置