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[发明专利]三维存储器及其操作方法-CN201710645400.1在审
发明人：陈江宏;蔡耀庭;洪文;廖祐楷 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器及其操作方法，包括：衬底、多条源极线、多个隔离结构、多条漏极线、多个位线、多个电荷存储结构以及多个导体层。源极线位于衬底上。隔离结构分别位于源极线之间，以电性隔离源极线。漏极线位于源极线上。漏极线与源极线的延伸方向不同。位线自源极线延伸至漏极线。电荷存储结构分别围绕位线。导体层分别覆盖沿各源极线排列的电荷存储结构的表面。
源极线漏极线电荷存储结构三维存储器隔离结构导体层衬底极线位线电性隔离个位延伸条源自源覆盖

[发明专利]显示装置-CN200710167069.3无效
发明人：李旼哲;罗东均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板、第一源极驱动器芯片和连接部分。显示面板包括多条源极线，源极线中的每条电连接到多个像素。第一源极驱动器芯片电连接到包括源极线中的第一源极线的第一组，以将具有第一极性的数据信号输出到第一源极线。连接部分将源极线中的第一源极线电连接到源极线中的最后源极线，以将具有第一极性的数据信号提供到最后源极线，而不需要用于驱动第(mk+1)源极线的另外的源极驱动器芯片。
显示装置

[发明专利]触控显示面板-CN201810589002.7有效
发明人：林容甫;张君维;黄书豪;苏松宇;黄杰铨;刘韵宜 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：像素阵列包括多个像素、多个栅极线及多个源极线。这些像素耦接这些栅极线及这些源极线。触控模块与像素阵列重叠配置。多工器电路耦接所有的这些源极线与源极驱动器之间，并且具有多个多工器。这些多工器分别耦接n条源极线，并且分别包括多个开关及旁路走线。这些开关分别耦接于n条源极线中的第1至第n‑1条源极线与源极驱动器之间。旁路走线耦接于n条源极线中的第n条源极线与源极驱动器之间。
显示面板

[发明专利]液晶显示面板及其修复方法-CN201610885263.4在审
发明人：蓝东鑫 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶显示面板及其修复方法，当其中一像素单元内的一条源极走线存在断线发生时，设定存在断线的源极走线定义为第一源极走线，该列像素的另一条源极走线定义为第二源极走线，该第一源极走线的断线下方与第二源极走线之间具有一条公共电极线，本发明修复方法为首先，将该公共电极线在第一源极走线的断线下方与第二源极走线之间处进行截断；然后，将此截断的公共电极线与该列像素两边的第一源极走线和第二源极走线以熔融短路。本发明将断线后的无信号的源极走线与相邻的源极走线藉由储存电容的公共电极线连接起来，液晶显示面板修复后断线消失改善液晶显示面板断线的不良率，本发明只要同一条源极走在线断开的位置只有一个均可以修复。
液晶显示面板及其修复方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及显示装置-CN201811473600.4有效
发明人：冯校亮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条栅极信号线；多条源极信号线；多条栅极走线，所述栅极走线包括位于第一平面内的第一栅极走线、位于第二平面内的第二栅极走线、连接所述第一栅极走线和第二栅极走线的第一栅极走线通孔、以及连接所述栅极信号线和所述第一栅极走线的第二栅极走线通孔；多条源极走线，所述源极走线包括位于第一平面内的第一源极走线、位于第二平面内的第二源极走线、连接所述第一源极走线和第二源极走线的第一源极走线通孔、以及连接所述源极信号线和所述第一源极走线的第二源极走线通孔。
薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]用于制造具有存储器单元的集成电路的方法-CN201710543004.8有效
发明人： L·罗;康愉劲;汪大祥;F·张;岑栢湛;李平辉;Z·张;陈元文;谢素云;P·K·梁 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种示范方法包括：图案化源极线光阻掩模以覆于衬底的源极线区上，同时暴露出漏极线区。该源极线区在第一及第二存储器单元之间，以及该漏极线区在该第二及第三存储器单元之间。源极线形成于该源极线区中。在形成覆于漏极线区上的漏极线电介质时，同时形成覆于该源极线上的源极线电介质。图案化漏极线光阻掩模以覆在活性区段中的该源极线上，同时暴露出在搭接区段中的该源极线，以及同时暴露出该漏极线区。移除在该漏极线区上面的该漏极线电介质，同时减少该源极线电介质在该搭接区段中的厚度。
用于制造具有存储器单元集成电路方法

[发明专利]用于判断与控制电子货架标签系统的预充电操作的执行的装置及方法-CN202011021097.6在审
发明人：徐光荣;许晋 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：一种用于驱动电子货架标签系统的显示模块的装置，包括源极驱动器以及预充电判断电路。源极驱动器耦接至多个源极线，用于将多个数据信号提供至源极线。预充电判断电路耦接至源极驱动器，用于根据即将在源极线产生的电压转变的数量判断源极线在第一源极线的休息期间的预充电操作是否是需要的。当即将在源极线产生的电压转变的数量超过预定临界值时，预充电判断电路判断源极线在第一源极线的休息期间的预充电操作是需要的。
用于判断控制电子货架标签系统充电操作执行装置方法

[发明专利]源极线布局与磁隧道结（MTJ）存储器位单元中的存取晶体管接触布置的解耦以促进减小的接触电阻-CN201680024281.1有效
发明人：朱小春;鲁宇;朴禅度;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了磁隧道结(MTJ)存储器位单元，其将源极线布局与存取晶体管节点尺寸解耦，以促进减小的接触电阻。在一个示例中，提供了MTJ存储器位单元(500B)，其包括源极板(508)，该源极板设置在用于存取晶体管(512)的源极节点(S)的源极接触件(502)上方并与该源极接触件接触。源极线(516)设置在源极板上方并与源极板接触以将源极线电连接到源极节点。源极板允许将源极线提供于比存取晶体管的源极接触件和漏极接触件更高的金属层级中，使得源极线不与源极接触件物理接触(即，解耦)。这允许源极线和漏极列之间的间距从源极节点和漏极节点的宽度被释放而不必增加接触电阻。
源极线布局隧道 mtj 存储器单元中的存取晶体管接触布置促进减小电阻

[发明专利]半导体器件，测试半导体器件的方法和形成半导体器件的方法-CN201710623101.8有效
发明人： M.科托罗贾;E.格里布尔;J.G.拉文;A.菲利波 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。
半导体器件测试方法形成

[发明专利]信号输出装置和显示装置-CN03136512.4无效
发明人：松田登;前田和宏 -专利权人：夏普公司
申请日： 2003-05-19 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明中，源极驱动器包括旁路开关，其将两条源极线彼此相连。输入到一根源极线的视频信号同时向其他源极线提供。这样，该源极驱动器2中，从视频信号线输入到一根源极线的视频信号能够间接地传输给其他源极线，因而比起源极线的数目，可以减少传输视频信号的图象线。因而，可使功耗显著降低。
信号输出装置显示装置

[发明专利]有源矩阵基板、显示面板以及它们的检查方法-CN201080003604.1有效
发明人：白水博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种有源矩阵基板，包括：多条栅极配线(11)，其配置在基板上；多条源极配线(12)，其配置在与多条栅极配线(11)垂直的方向上；栅极侧短路环(13)，其配置在基板的周缘区域，作为多条栅极配线(11)的短路目的地；源极侧短路环(14)，其配置在基板的周缘区域，作为多条源极配线(12)的短路目的地；栅极配线侧TFT(15)，其漏极与多条栅极配线(11)的一条连接、源极与栅极侧短路环(13)连接；以及源极配线侧TFT(16)，其漏极与多条源极配线(12)的一条连接、源极与源极侧短路环(14)连接；所有的栅极配线侧TFT(15)和所有的源极配线侧TFT(16)为耗尽型，所有的源极配线侧TFT(16)的栅电极与栅极侧短路环
有源矩阵显示面板以及它们检查方法

[发明专利]用于器件制造的改进布局-CN201710303374.4有效
发明人：史蒂文·托马斯·皮克 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该器件包括：半导体基板；多个源极线，其形成在半导体基板的表面上。多个源极线沿X方向和Y方向这两个方向布置。该器件还包括：多个栅极线，其布置在多个源极线中的在X方向上的源极线上方；源极接点线，其与多个源极线中的在Y方向上终止的源极线连接；栅极接点线，其与多个栅极线连接；以及漏极接点。
用于器件制造改进布局

[发明专利]分栅式存储器及其形成方法-CN201910210581.4有效
发明人：于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种分栅式存储器及其形成方法，所述分栅式存储器包括：衬底，在所述衬底上形成有源极区和漏极区，所述源极区上方形成与所述源极区接触导通的源极线；擦除栅，设置于所述源极线的上方；以及横向相邻地设置于所述源极区和漏极区之间的衬底之上的浮栅和字线，其中，所述浮栅靠近所述源极线，所述字线远离所述源极线；所述源极线、擦除栅、浮栅和字线两两之间均形成有绝缘层。本发明通过设置高于衬底上表面的源极线，使得浮栅与源极区在竖直方向上形成重叠区域，且由于源极线的高度可调，从而实现了在保证二者之间的耦合系数的同时，减小晶圆尺寸的目的。
分栅式存储器及其形成方法

[发明专利]一种EEPROM存储阵列结构及其制造方法-CN201310060636.0有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种EEPROM存储阵列结构，包括多个存储单元，存储单元包括N阱、漏极、源极、漏极浮栅、漏极控制栅、源极浮栅、源极控制栅和选择栅，N阱底部接阱端；按列方向交替排列的漏极选择线和源极选择线，每个漏极选择线和源极选择线分别将列方向的每个存储单元的漏极和源极连接，漏极选择线和源极选择线分别接漏信号和源信号；按行方向排列的字线选通信号线，每个字线选通信号线将行方向的每个存储单元的选择栅连接，字线选通信号线接字线选通信号；按行方向排列的控制栅线，每个控制栅线将行方向的每个存储单元的漏极控制栅和源极控制栅连接，控制栅线接控制栅信号，以实现在较低的各信号下不断反复编程和擦除动作而不损失阵列结构。
一种 eeprom 存储阵列结构及其制造方法

[发明专利]一种液晶显示面板及其修复方法-CN201510976587.4有效
发明人：刘文雄;王鸣昕 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，包括：数据线，其中该数据线包括位于显示区域外的前端源极配线部分和位于显示区域内的显示区域像素数据线部分；多条源极悬浮线，横跨在所述的源极配线的上方；配线修复线，与每一所述源极悬浮线部分重叠；以及第一像素修复线；其中，未进行修复时，所述的源极配线分别与源极悬浮线和配线修复线隔离，所述配线修复线与所述第一像素修复线隔离；进行修复时，所述的源极配线与某一源极悬浮线电连接，该源极悬浮线与所述配线修复线电连接；所述配线修复线与所述第一像素修复线电连接或不连接。通过本发明的方案，不仅可以解决数据线的前端源极配线部分的断线修复，还可以解决显示区域像素数据线部分的断线修复。
一种液晶显示面板及其修复方法

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