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[发明专利]自旋霍尔效应磁性设备、方法及应用-CN201280050731.6有效
发明人：罗伯特·A·比尔曼;刘鲁乔;丹尼尔·C·拉尔夫;白奇峰 -专利权人：康奈尔大学
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：ST-MRAM结构、用于制造该ST-MRAM结构的方法以及用于操作源自ST-MRAM结构的ST-MRAM装置的方法均采用了自旋霍尔效应基层，该自旋霍尔效应基层与磁性自由层接触，并在磁性自由层内产生磁矩切换由此在自旋霍尔效应基层内产生横向切换电流这使得ST-MRAM装置使用经过磁阻堆叠的独立的感测电流和感测电压，其中磁阻堆叠包括固定层、非磁性间隔层和与自旋霍尔效应基层接触的磁性自由层。
自旋霍尔效应磁性设备方法应用

[发明专利]垂直SOT MRAM-CN201980076994.6在审
发明人： G·米哈伊洛维奇;M·格罗比斯 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM存储器单元，该MRAM存储器单元包括SHE层、具有垂直各向异性的磁位层和奥斯特层。该磁位层具有可切换的磁化方向以便存储数据。使用自旋霍尔效应将数据写入该MRAM存储器单元，使得在该SHE层中生成的自旋电流在该磁位层上施加转矩，同时该奥斯特层提供热量和奥斯特场以实现确定性切换。使用反常霍尔效应以及在所述奥斯特层处感测电压来从该MRAM存储器单元读取数据。
垂直 sot mram

[发明专利]二位磁阻随机存取存储器单元-CN202180076101.5在审
发明人： K·约詹德拉;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括第一重金属层和耦合到第一重金属层的第一磁隧道结(MTJ)。第一MTJ具有第一面积。MRAM单元还包括第二MTJ。MRAM单元还包括耦合到第二MTJ的第二重金属层。
磁阻随机存取存储器单元

[发明专利]一种准多口MRAM芯片及其读写方法-CN201611038037.9有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种准多口MRAM芯片，包括多个阵列，准多口MRAM芯片同时收到读写N个地址的N条指令，N个地址属于不同的阵列N条指令同时操作，或者N个地址属于同一阵列的同一行N条指令同时操作，其中N大于或等于本发明提供的准多口MRAM芯片及其读写方法，利用MRAM芯片中不同阵列可以同时进行读写，在实际使用中大部分时间里能在一个读写周期里同时进行多处读写，如果不能做到，则依次进行读写。
读写多口芯片指令读写周期多个阵列

[发明专利]一种基于STT-MRAM加速固态存储器件启动的方法-CN201810754942.7有效
发明人：蔡晓晰;李炜;丁钢波;杨杰;曹学成;徐庶 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于STT‑MRAM加速固态存储器件启动的方法，利用STT‑MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，在STT‑MRAM中存储被压缩后的LBA映射HASH表，从而在上电过程中，若接到主机的读写命令，则利用HASH key值在STT‑MRAM中搜索被压缩后的LBA映射HASH表，根据搜索结果处理收到的主机读写命令。
一种基于 stt mram 加速固态存储器件启动方法

[发明专利]一种磁性随机存储器参考信号的产生方法-CN200410081514.0无效
发明人：张万里;彭斌;张祖刚;张文旭;蒋洪川;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器MRAM参考信号的产生方法，它是通过外加电流产生磁场，该磁场改变存储单元两磁性层磁化方向的夹角来获得中间态，将该中间态的电阻作为参考信号，并利用MRAM中信息存储单元的电阻值与存储单元中两磁性层磁化方向的夹角存在确定的变化规律，来实现MRAM中存储单元信息的读取。利用本发明的方法可以实现MRAM中存储信息的快速读取，它具有高速读取且不降低存储密度的优点。
一种磁性随机存储器参考信号产生方法

[发明专利]具有垂直写线的磁阻式随机存储器-CN03820242.5无效
发明人：克雷格·S·拉格 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-05-22 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：形成一种磁阻式随机存储器(MRAM)设备(10)，其具有在凹坑中的固定磁层(28)、自由磁层(32)以及在它们之间的第一电介质层(30)。还在该凹坑中形成金属栓(36)和可选的第二电介质层(34)。在该MRAM单元中的字线是用来写和读该MRAM设备的晶体管的栅电极。要写该设备，电流在大致垂直的方向上传播，因此仅影响一个MRAM单元，而不影响邻近的单元。从而改进了数据存储器。
具有垂直磁阻随机存储器

[发明专利]使用参考字线的高速缓存MRAM的读操作-CN201580051172.4有效
发明人： T·金;S·金;J·P·金;X·董 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：诸系统和方法涉及对与标签阵列耦合的磁阻式随机存取存储器(MRAM)的读操作，该方法包括：接收索引和标签；基于该索引，访问标签阵列中的n个存储器位置，以及对于所访问的n个存储器位置中的每一个存储器位置，将存储在其中的数据与所接收到的标签进行比较；基于该索引，激活MRAM中的虚设字线；在该虚设字线的激活之后，如果该比较指示n个存储器位置中的一个存储器位置匹配，则生成与n个存储器位置中的该一个存储器位置相关联的命中信号；响应于该虚设字线的激活，获得用于读取由该索引指定的MRAM的MRAM位单元的稳定参考电压；在由该索引指定的MRAM单元之中，读取具有与提供该命中信号的标签阵列中的n个存储器位置中的该一个存储器位置对应的存储器位置的MRAM单元。
使用参考高速缓存 mram 操作

[发明专利]基于STT-MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置-CN202010391874.X有效
发明人：王佑;侯正义;张德明;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的一种基于STT‑MRAM的可重构物理不可克隆函数的生成方法及装置，基于两个译码器，一个STT‑MRAM存储阵列，两个多路选择器，以及一个传感放大电路；其中所述译码器与STT‑MRAM存储阵列相连，STT‑MRAM分为两部分，每部分接一个多路选择器。译码器根据输入激励对STT‑MRAM存储阵列中对应每部分的磁性隧道结MTJ位元进行寻址，寻址选定的MTJ位元通过所述两个多路选择器与传感放大电路相连，两两比较所选MTJ位元的电阻值大小，传感放大电路的输出即为该通过对STT‑MRAM存储阵列中的部分磁性隧道结MTJ位元写入不同的初始状态实现可重构PUF。
基于 stt mram 可重构物理不可克隆函数生成方法装置

[发明专利]包括源极线电压产生器的磁阻存储器设备-CN201310218479.1有效
发明人：金惠珍;姜相圭;孙东贤;金东珉;李圭灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁随机存取存储器MRAM包括自旋转移扭矩磁随机存取存储器（STT‑MRAM）单元的存储单元阵列、以及公共连接到多个STT‑MRAM单元的源极线。
包括源极线电压产生器磁阻存储器设备

[发明专利]一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置-CN201710805331.6在审
发明人：简红;蒋信 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从MRAM芯片中任意选择一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
芯片物理不可克隆函数参考位元磁性隧道结逻辑状态图电阻位元初始化模块比较模块记录比较生成模块选择模块成正比预设

[发明专利]保护MRAM数据的装置-CN202110376437.5在审
发明人：刘欢;戴强 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种保护MRAM数据的装置，包括：环境监测模块，包括至少一个MTJ监测子模块和至少一个与所述MTJ监测子模块电连接的监测电路，所述监测电路用于依据所述MTJ监测子模块的状态产生对应的时钟周期和使能信号；重写模块，与所述环境监测模块通信连接，所述重写模块用于依据所述使能信号和所述时钟周期对所述MRAM数据进行重写刷新。本发明能够实时的监测环境，并依据环境状态，对MRAM数据进行特定周期的刷新重写，从而确保MRAM单元中存储数据的正确性。
保护 mram 数据装置

[发明专利]存储器装置、集成电路及制造存储器装置的方法-CN201811190214.4有效
发明人：陈升照;萧清泰;蔡正原;匡训冲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所述存储器装置包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元、侧壁间隙壁以及上部内连线。磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元设置在衬底上。MRAM单元包括设置在下部电极与上部电极之间的磁性隧道结(MTJ)。侧壁间隙壁沿MRAM单元的相对侧壁排列。上部内连线沿从侧壁间隙壁的第一外边缘连续延伸到侧壁间隙壁的第二外边缘的界面与上部电极的上表面直接接触。
存储器装置集成电路制造方法

[发明专利]降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构-CN200510079133.3无效
发明人：菲利普·L.·特洛尔劳德;戴维·W.·亚伯拉罕;约翰·K.·德布洛斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种用于对磁随机访问存储器(MRAM)器件确定期望各向异性轴角度的方法，所述方法包括选择各向异性轴角度的多个最初值，对每个所选最初值，确定MRAM器件至少一个铁磁层的最小厚度。最小厚度对应MRAM器件内单个单元的预定激励能量。对于每个所选值，还确定出在MRAM器件的字线方向和位线方向上的最小施加磁场值，以便保持所述预定激励能量。
降低功耗 mram 器件各向异性选择方法结构

[发明专利]一种SOT-MRAM存储单元、存储阵列、存储器及操作方法-CN202210200790.2在审
发明人：邢国忠;刘龙;赵雪峰;王迪;林淮;张昊;王紫崴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种SOT‑MRAM存储单元，包括：底电极；磁隧道结层，位于底电极上；轨道霍尔效应层，位于磁隧道结层上；第一晶体管，其漏极与轨道霍尔效应层连接；以及第二晶体管，其漏极与底电极连接。本公开还提供了一种SOT‑MRAM存储器、操作方法、SOT‑MRAM存储阵列。
一种 sot mram 存储单元阵列存储器操作方法