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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于关于数据传送的单通熵检测的装置和方法-CN201610447015.1有效
发明人： A.纳拉西姆哈;A.辛格海;V.卡拉姆切蒂 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提出一种用于内嵌压缩和删除重复的装置和方法。本发明的实施例包括存储器单元以及耦合到所述存储器单元的处理器。所述处理器被配置为：从数据流接收数据子集；以及选择与所述数据子集对应的基准数据块，其中，所述基准数据块存储在所述存储器单元中驻留的存储器缓冲器中。所述处理器还被配置为：对关于所述数据子集所计算的第一散列值与关于所述基准数据块所计算的第二散列值进行比较，其中，所述第一散列值和所述第二散列值存储在分离的散列表中；以及通过响应于所述分离的散列表之一中的所述第一散列值与所述第二散列值之间的检测到的匹配而修改与所述数据子集对应的头数据来生成所述数据子集的压缩式表述。
用于关于数据传送单通熵检测装置方法

[发明专利]控制高速缓存行的时效减少对存储器的回写-CN201610930811.0有效
发明人： M.卡姆鲁扎曼 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F12/0806 文献下载
摘要：本文公开了一种用于减少对存储器的回写的方法和装置。该方法包括确定进入较低级高速缓存的读/写请求是否是包含修改数据的高速缓存行，以及响应于确定该读/写请求不是包含修改数据的高速缓存行，操纵高速缓存行的时效信息以减少对存储器的回写。
控制高速缓存时效减少存储器

[发明专利]气密密封的层压膜封装的硬盘驱动器-CN201710014866.1有效
发明人：须藤公彦;竹市一毅;早川贵子;大信祐太 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：气密密封的硬盘驱动器(HDD)利用层压膜外壳气密密封其内的HDD。层压膜外壳可由气密密封在HDD周围的热密封剂层、抑制气体从层压膜外壳内逃逸的阻挡层以及保护热密封剂和阻挡层的膜表面保护层构成。实施例可包括热密封剂层、阻挡层以及膜表面保护层，热密封剂层包括诸如聚丙烯的热塑性聚合物，阻挡层包括诸如铝的金属，膜表面保护层包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯的热塑性聚合物。
气密密封层压封装硬盘驱动器

[发明专利]用于在分布式缓存存储器中自适应分区的系统和方法-CN201611001934.2有效
发明人： P.A.米斯拉;D.P.诺埃 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：提供了用于对分区成缓存切片的分布式缓存执行自适应分区的方法和系统。基于路由表，将分布式缓存的切片分配到集群的不同的计算机节点。在预定的时间段之后，可以基于访问统计将缓存切片重新分配到集群的其它计算机节点，并且提供新的路由表，其对应于对集群的计算机节点的缓存切片的重新分配。
用于分布式缓存存储器自适应分区系统方法

[发明专利]使用层压膜密封的硬盘驱动器的气密密封-CN201611131366.8有效
发明人：须藤公彦;早川贵子;荒井优一;大信祐太 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11B25/04 文献下载
摘要：一种气密密封的硬盘驱动器(HDD)采用层压膜密封，以密封HDD盖到基部的接口、或者电柔性线缆组件与HDD外壳基部的接口、或者电馈通连接体与HDD外壳基部的接口。层压膜密封可由热密封剂层、阻挡层以及膜表面保护层构造，热密封剂层气密联接到基部并与之形成密封，或者与基部的表面和柔性线缆的表面接合，或者与基部的表面和连接体的表面接合，阻挡层抑制气体从HDD内部逸散，并且膜表面保护层保护热密封剂层和阻挡层。实施例可以包含：包括热塑性聚合物(比如聚丙烯)的热密封剂层，包括金属(比如铝)的阻挡层，以及包括热塑性聚合物(比如聚对苯二甲酸乙二醇酯)的膜表面保护层。
使用层压密封硬盘驱动器气密

[发明专利]用于闪存装置的操作参数-CN201610804633.7有效
发明人： M.S.罗思伯格 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于管理闪存存储系统的机器实现的方法包括：确定该闪存存储系统中的多个闪存装置的每一个的预测寿命值，其中所述多个闪存装置的至少一个的预测寿命值高于所述多个闪存装置的至少另一个的预测寿命值。该方法还包括基于所述多个闪存装置的相应预测寿命值，来确定所述多个闪存装置的每一个的操作参数。该方法还包括基于确定的操作参数来配置所述多个闪存装置。
用于闪存装置操作参数

[发明专利]用于科学计算的存储处理器阵列-CN201611001935.7有效
发明人： A.德;K.K.冈南 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本文公开的实施例包括互联网络，其配置为提供存储处理单元之间的数据通信。当存储处理单元配置为在局部进行科学计算时，所公开的互联网络可以是特别有效的。所公开的互联网络可实现存储处理单元之间的局部的、高吞吐量、低延迟的数据通信，而不使主机系统过载。
用于科学计算存储处理器阵列

[发明专利]使用外部铁磁偏置膜的压控磁各向异性切换装置-CN201610826624.8有效
发明人： J·A·凯坦 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开的方面提供磁致电阻随机存取存储器(MRAM)装置及其制造方法。该MRAM装置一般包含：基板，设置在基板上的至少一个磁隧道结(MTJ)堆叠体，其中MTJ堆叠体包含在具有固定磁化的第一铁磁层与具有不固定磁化的第二铁磁层之间的隧道势垒层，以及设置为与第二铁磁层相邻的磁体。
使用外部偏置压控磁各向异性切换装置

[发明专利]改进闪速存储器清除的方法和系统-CN201610720989.2有效
发明人： D.P.诺埃 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了用于改进闪速存储器清除的技术。在一些实施例中，所述技术可以被实现为改进闪速存储器清除的方法，该方法包括：接收向闪速存储器写入的请求；向闪速存储器写入与该请求相关联的数据；标识指向与该请求的写入区域相对应的区域位图的指针；将与该请求相对应的区域位图的位标记为脏；以及使用指针管理组件来更新指向区域位图的指针以包含脏块计数。
改进存储器清除方法系统

[发明专利]磁性存储器及与互补金属氧化物半导体驱动电路集成方法-CN201610901766.6有效
发明人： Z·Z·班迪克;J·R·奇尔德里斯;L·M·弗兰卡-内托;J·A·凯廷;N·L·罗伯逊 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供了一种与互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器，以及一种与固态驱动器(SSD)中使用的互补金属氧化物半导体(CMOS)驱动电路集成的磁性存储器的实施方法。提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，并且在CMOS晶片的顶部上形成磁性存储器，提供有效的磁性存储器芯片。
磁性存储器互补金属氧化物半导体驱动电路集成方法

[发明专利]电镀的电部件、其制造方法及电系统-CN201610826808.4有效
发明人： C·R·邦霍特;J·利勒 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开总体上涉及一种用于存储器件的电部件的结构、系统以及制造方法。例如，在蚀刻停止层上沉积导电材料和绝缘材料层的交替的层，以构造垂直堆叠体，穿过蚀刻沟槽穿过垂直堆叠体，以暴露蚀刻停止层，基于所需的电性能，使用电镀材料电镀导电层，以及形成导电层中的每一个的电镀材料之间的连接。
电镀部件制造方法系统

[发明专利]用于改进储存日志的方法和系统-CN201610721545.0有效
发明人： D.P.诺埃;P.A.米斯拉 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G06F16/172 文献下载
摘要：公开了一种用于改进储存日志的技术。在一些实施例中，该技术可被实现为一种用于改进储存日志的方法，包括：向日志记录闪存中的储存区的第一大块中的有效块的计数；接收向该闪存写入第二大块的请求；使用控制器确定该第一大块中的有效块的计数是否低于指定阈值；并且在该第一大块中的有效块的数目低于指定阈值的情况下，向该闪存中的储存区的第一大块的位置写入第二大块。
用于改进储存日志方法系统

[发明专利]磁性数据存储系统及其形成方法-CN201610428918.5有效
发明人：卞晓平;戴青;A.C.拉姆;B.C.斯蒂普 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：一种系统，根据一个实施例，包括近场换能器；在该近场换能器的面向介质侧上的粘附层，该粘附层包括镍和铬；以及在该粘附层的面向介质侧上的保护层。在附加的实施例中描述了其它系统和方法。
耦合粘附近场换能器

[发明专利]低渗透性电馈通-CN201610833211.2有效
发明人： T.R.阿尔布雷克特;D.阿明-沙希德;V.阿亚诺尔-威蒂凯特;平野敏树 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：一种低渗透性电馈通，包含层压结构，所述层压结构具有夹在相邻的绝缘体层之间的导体层，所述绝缘体层被夹在相邻的扩散控制层之间，在这种情况下，层压结构提供相对窄且长、高深宽比的扩散通道，以抑制气体从密封的装置内泄漏到外部环境。电馈通可以包含下部电连接垫和上部电连接垫，两者被设置在馈通的不同区域内，但仍通过设置在密封区域中的第一通孔、导体层，以及设置在外部环境区域中的第二通孔电连接。
渗透性电馈通

[发明专利]增强的磁性存储器元及其实施方法-CN201610901768.5有效
发明人： Z·Z·班迪克;J·R·奇尔德里斯;L·M·弗兰卡-内托;J·A·凯廷;N·L·罗伯逊 -专利权人： HGST荷兰公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种磁性存储器元和实施用于固态驱动器(SSD)的磁性存储器元的方法。磁性存储器元包括第一导体M1和第二导体M2，以及使用未图案化可编程磁性介质的可编程区域。导体M1、导体M2中的至少一个由磁性材料形成，并且导体M2比导体M1更导电。提供电流的导向用于编程磁性存储器元。
增强磁性存储器及其实施方法

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