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[发明专利]一种磁存储器的制造方法-CN202210366451.1在审
发明人：郑枝源;彭泰彦;杨宇新;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种磁存储器的制造方法，对磁隧穿结叠层进行刻蚀至金属层，对自由层和固定层的侧壁以及金属层进行氧化或氮化，得到保护层，对保护层和氧化层的侧壁进行刻蚀，以去除氧化层侧壁的污染物。在刻蚀去除氧化层侧壁的污染物时，利用保护层保护自由层和固定层的侧壁，自由层和固定层的刻蚀残渣不会附着在氧化层上，同时也能刻蚀去除氧化层侧壁的污染物，并且金属层被保护层覆盖，会首先刻蚀保护层，对金属层的刻蚀量较低，避免在刻蚀去除氧化层侧壁的污染物时，对金属层的较大损伤甚至刻穿金属层的情况，既能够实现刻蚀去除氧化层侧壁的污染物，提高器件的性能和良率，又能够避免金属层被过度刻蚀，进一步提高器件的良率。
一种磁存储器制造方法

[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202310844653.7有效
发明人：徐陈明;屠小龙;张跃;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，所述制备方法包括：提供一半导体基底；在半导体基底表面形成第一膜层结构；在第一膜层结构背离半导体基底的一侧形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层背离第一膜层结构的一侧形成第二膜层结构；在第二膜层结构上刻蚀形成第一凹槽，以露出刻蚀阻挡层；基于第一凹槽，刻蚀所述刻蚀阻挡层以及第一膜层结构形成第二凹槽，以露出半导体基底；基于第一凹槽和第二凹槽，刻蚀半导体基底，在半导体基底的表面内形成第三凹槽，以在半导体基底表面内形成浅沟槽隔离结构。在该制备方法中，在第一膜层结构的表面形成刻蚀阻挡层，且刻蚀阻挡层与刻蚀气体反应速度较低，以使得形成的浅沟槽隔离结构的沟槽底部的平坦度提高。
一种沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202310851839.5有效
发明人：杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一基板，基板具有第一表面；在第一表面形成牺牲结构，牺牲结构包括两个相对设置的侧壁以及顶部；对牺牲结构的表面进行改性处理，形成改性层，改性层包括位于牺牲结构侧壁的侧壁部分以及位于牺牲结构顶部的顶部部分；去除顶部部分，以在改性层形成开口，开口露出侧壁部分之间的剩余牺牲结构；基于开口去除剩余牺牲结构，保留侧壁部分作为鳍型结构。改性层的形成以及改性层和牺牲结构的刻蚀都可以采用反应离子束刻蚀设备，不仅降低了工艺复杂度和制作成本，而且刻蚀精度高，可以在基板上形成厚度较小的鳍型结构，还能够避免不同鳍型结构之间的刻蚀不完全问题。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法-CN202111669411.6在审
发明人：郑枝源;蒋中原;李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法。一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法包括以下步骤：离子束刻蚀晶圆工艺结束后，采用反应离子束在预定的离子能量、离子束流和气体存在下刻蚀离子束刻蚀腔后抽真空。本发明采用反应离子束刻蚀离子束刻蚀腔，可以减少离子束刻蚀腔室内的颗粒数量，改善离子束刻蚀腔室内环境，提高离子束刻蚀稳定性和产品良率。
一种离子束刻蚀颗粒去除方法

[发明专利]一种同质斜齿光栅的制备方法和结构-CN202111643837.4在审
发明人：李梓涵;杨宇新;蒋中原;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种同质斜齿光栅的制备方法和结构，发射第一等离子束以第一能量和第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀基体得到粗刻斜齿光栅，第一能量大于或等于第一能量阈值且小于或等于第二能量阈值，将粗刻斜齿光栅、基体和掩膜版旋转180°，发射第二等离子束以第二能量和第二角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻斜齿光栅得到最终斜齿光栅，第二能量大于或等于第三能量阈值且小于或等于第四能量阈值，第一能量阈值大于第四能量阈值。则先用较高能量的等离子束进行刻蚀，以快速刻蚀出粗刻斜齿光栅，再通过增加低功率反向刻蚀的步骤，修饰粗刻斜齿光栅的内壁，使得光栅的底部更加的平直、对称，同时减少在掩膜较窄的地方的粒子散射，改善侧壁形貌。
一种同质光栅制备方法结构

[实用新型]一种金属刻蚀中陶瓷介质窗匀温装置、金属刻蚀系统-CN202220514523.8有效
发明人：周赛赛;桑康;马兵;陈兆超;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属刻蚀中陶瓷介质窗匀温装置，匀温装置包括散热装置、聚流道、引流道和紧固件；散热装置安装在屏蔽罩内，用于产生冷却介质；聚流道竖直安装在屏蔽罩正下方，其沿延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部与散热装置装置，第二端部与引流道连接，聚流道和引流道共同构成冷却介质的传输通道；引流道平铺在铜螺旋管和陶瓷介质窗之间，且铜螺旋管和陶瓷介质窗通过紧固件固定连接。本实用新型能够将散热装置产生的冷却介质引至陶瓷介质窗中心后再逐渐向四周扩散，达到了良好的匀温效果；并且整体结构简单，经过测试有效地延长了MTBC。
一种金属刻蚀陶瓷介质窗匀温装置系统

[发明专利]一种异质斜齿光栅的制备方法和结构-CN202111495781.2在审
发明人：王鸿超;蒋中原;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质斜齿光栅的制备方法和结构，该方法包括：采用等离子束发射器发射第一等离子束以第一能量和第一束流以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀基体得到粗刻斜齿光栅，采用等离子束发射器发射第二等离子束以第二能量和第二束流以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻斜齿光栅得到最终斜齿光栅。即先用较高能量和束流的等离子束进行刻蚀，以快速刻蚀出粗刻斜齿光栅，再用较低能量和束流的等离子束进行刻蚀，修饰光栅底部两侧，从而可以得到平直的底部，得到最终斜齿光栅，避免了过刻蚀或刻蚀量不够的问题，从而提高了产品的良率。
一种异质斜齿光栅制备方法结构

[发明专利]闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法-CN202111425778.3在审
发明人：蒋中原;王鸿超;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开一种闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法，该加工方法包括下述步骤：采用适配于与待加工闪耀光栅的掩膜，通入刻蚀气体后，以与光栅基体法线之间具有夹角的离子束进行刻蚀，刻蚀过程中所述光栅基体具有自转。应用本方案，基于光栅基体的自转，使得距离离子源最远的部位与最近的部位具有接近的刻蚀速率，有效改善均匀性；另外，增加自转后可以将未被掩模遮挡区域减小，利于反闪耀面转折的消除。整体上，能够有效提升产品良率。
闪耀光栅加工方法

[发明专利]一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法-CN202111404887.7在审
发明人：郑枝源;杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;李雪冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法，使用离子束刻蚀的工艺菜单进行清洗，设置施加在第一层栅网的正电压、正电流和施加在第二层栅网上的负电压，使等离子体通过第一层栅网，且不形成具有方向性离子束，利用等离子体之间的排斥碰撞作用，对栅网的沾污进行清洗。本发明中的清洗方法不用通过开腔等其他物理操作，直接以离子束刻蚀腔的工艺菜单的方式在不开腔的情况下达到清洗IBE grid的目的，且清洗效果好，清洗前后工艺参数稳定。
一种离子束刻蚀腔内栅网沾污清洗方法

[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法-CN201910897145.9有效
发明人： 彭泰彦;杨心怡;王辰戎;陈玉树;黃建中;林函廷;谢志宏;丁致远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路和形成集成电路的方法。一种形成集成电路的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)堆叠层；在MTJ堆叠层上方沉积导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层上方沉积导电硬掩模；以及图案化导电硬掩模以形成蚀刻掩模。图案化被导电蚀刻停止层停止。方法还包括：使用蚀刻掩模来蚀刻导电蚀刻停止层以定义图案；以及蚀刻MTJ堆叠层以形成MTJ堆叠。
集成电路形成方法

[发明专利]一种闪耀光栅的制造方法-CN202111228702.1在审
发明人：王耀;李佳鹤;蒋中原;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种闪耀光栅的制造方法，首先提供制造闪耀光栅的衬底，并在衬底上覆盖图案化的掩膜，之后利用第一刻蚀速率，以图案化的掩膜为掩蔽，刻蚀衬底，在衬底上会形成垂直于所述衬底所在平面的断面，而后利用第二刻蚀速率，继续刻蚀衬底，降低断面的高度，其中第一刻蚀速率是第二刻蚀速率的N倍，也就是说，本申请实施例提供的闪耀光栅的制造方法，首先利用较高的刻蚀速率刻蚀衬底，得到闪耀光栅的大致结构，该结构中包括断面，而后利用较低的刻蚀速率继续刻蚀衬底，以修复由第一刻蚀速率形成的断面，最终形成结构参数较好的闪耀光栅。
一种闪耀光栅制造方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀设备-CN202111227060.3在审
发明人：韩大健;李娜;彭泰彦;车东晨;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体刻蚀设备，其工艺腔室中包括电极底座、电极和内衬；该内衬的筒形侧部覆于所述工艺腔室的内侧壁面，且两者之间设置有绝缘套筒，该内衬的环形底部可与电极底座相接；环形底部的下表面具有内衬安装部，电极底座的上表面相应设置有可与内衬安装部适配的第一底座安装部和第二底座安装部，并配置为：内衬安装部与第一底座安装部适配时，环形底部的下表面与电极底座的上表面贴合；内衬安装部与第二底座安装部适配时，环形底部的下表面位于电极底座的上表面之间具有预定间距，且环形底部与电极之间设置有可拆卸连接的电性连接件。应用本方案，在确保晶圆刻蚀的均匀一致性及刻蚀速率的基础上，能够获得良好的清洗效果。
一种等离子体刻蚀设备

[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法-CN201811393096.7有效
发明人：魏惠娴;林仲德;蔡瀚霆;彭泰彦;戴品仁;李乾铭;赖昇志;温伟志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了由半导体器件形成的磁性隧道结单元的MRAM器件及其形成方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁性随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底部电极、磁性隧道结(MTJ)堆叠件和顶部电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，由此暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，由此暴露顶部电极。在与顶部电极接触的开口中形成导电层。
磁性随机存取存储器及其制造方法

[实用新型]一种新型聚焦环、晶圆托盘以及刻蚀设备-CN202223538971.0有效
发明人：徐陈明;张跃;车东晨;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型聚焦环、晶圆托盘以及刻蚀设备，所述聚焦环布置于晶圆的外侧，且相对所述晶圆的缺口处突起形成有能够部分或完全填充晶圆缺口的凸点。通过本实用新型的公开，通过聚焦环上的凸点与晶圆缺口的完美拟合，保证晶圆刻蚀速度的稳定，解决了晶圆刻蚀均匀性的问题。
一种新型聚焦托盘以及刻蚀设备

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202110925686.5在审
发明人：马兵;彭泰彦;车东晨;叶联;陈兆超;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀方法，该方法包括：提供一晶圆，晶圆第一侧表面具有光刻胶层；将晶圆置于刻蚀腔体内，刻蚀腔体具有偏压电源，用于输出偏压信号；在刻蚀腔体中形成等离子体；调节偏压电源的功率，通过偏压电源输出的偏压信号带动等离子体运动，对光刻胶层进行刻蚀。由于利用等离子体进行刻蚀时，偏压电源功率不同时，偏压信号带动等离子体沿平行于晶圆第一侧表面的刻蚀速率与垂直于晶圆第一侧表面的刻蚀速率之间的比值不同，从而可以通过调节偏压电源的功率，控制等离子体对光刻胶层的刻蚀，能够有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌，进而使得所述刻蚀方法有助于将光刻胶层刻蚀为特定形貌。
一种刻蚀方法

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