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[实用新型]存储芯片-CN202021565930.9有效
发明人：吴宏照;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：广州众诺电子技术有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种存储芯片及该存储芯片的通用方法，存储芯片包括基板及存储器，存储器安装于基板，基板包括适配板、通用板及地址位；地址位安装于适配板和/或通用板上；地址位包括二个及以上的接触端子，各个接触端子的状态特征分别包括第一状态和第二状态，根据接触端子的第一状态和第二状态组合方式确定存储芯片适用的设备。从而使得该存储芯片可以通用不同领域的设备。因此本实用新型的存储芯片及采用了该存储芯片通用方法的芯片的通用范围均较大，并且通过接触端子的状态对存储芯片的通用类别进行设定，进而提高存储芯片通信的稳定性。
存储芯片

[发明专利]存储芯片-CN202011360601.5在审
发明人：何世坤;周亚星;郑泽杰 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储芯片，包括：一次可编程区域，包括第一SOT单元、开关单元和数据读取单元，第一SOT单元的第一端与位线电连接，第一SOT单元的第二端与开关单元的第一端电连接，开关单元的第二端与源极线电连接，开关单元的第三端与字线电连接，第一SOT单元包括接触设置的第一MTJ和第一自旋轨道矩层；数据存储区域，包括第二SOT单元、读单元和写单元，读单元的第一端和写单元的第一端分别与源极线电连接，读单元的第二端与第二
存储芯片

[发明专利]存储芯片-CN202211204502.7在审
发明人：罗旖旎;宋思宪 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储芯片，该存储芯片包括非挥发性状态寄存器和控制电路，非挥发性状态寄存器包括多个寄存组，每个寄存组包括一标志寄存器和至少一个寄存器，控制电路与非挥发性状态寄存器连接，控制电路用于控制非挥发性状态寄存器的写入次数大于非挥发性状态寄存器的擦除次数
存储芯片

[发明专利]存储芯片-CN200910137126.2无效
发明人：深石宗生;本村真人;相本代志治;山品正胜 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2001-06-20 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：一种存储系统，具有存储控制器和多个存储器。多个存储器通过开关与总线的一端相连，该总线与存储控制器相连，其中多个存储器由开关控制。通过抑制总线上的反射和负载，可以获得更高的数据传输速度。
存储芯片

[实用新型]存储芯片-CN201920789182.3有效
发明人：彭学文;刘建立 -专利权人：全亿大科技(佛山)有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：一种存储芯片，所述存储芯片包括内存单元及外壳，所述内存单元为片状，所述外壳包括一个第一散热片、一个第二散热片以及至少两个导热层，两个所述导热层设置于所述内存单元相背的两个表面，所述第一散热片及所述第二散热片分别设置于所述导热层远离所述内存单元的两侧本实用新型的存储芯片具有较强的散热能力及较牢固的结构。
散热片内存单元导热层存储芯片第二卡合部第一卡合部边缘靠近本实用新型散热能力卡合相背粘结

[实用新型]存储芯片-CN202122035387.2有效
发明人：谈杰;俞冰;黎美 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种存储芯片。该存储芯片包括第一晶圆和第二晶圆；其中，第一晶圆包括第一衬底、第一金属层和连接第一金属层的第一连接孔；第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层和连接第二金属层的第二连接孔该存储芯片对准度较高，线宽、线距以及产品体积较小。
存储芯片

[发明专利]一种加强散热的存储芯片的封装结构及其制作方法-CN202210875700.X有效
发明人：华毅;陈仁升;张光明 -专利权人：太极半导体（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储芯片的封装结构，其包括：基板；逻辑芯片，所述逻辑芯片设置于所述基板之上；第一存储芯片，所述第一存储芯片设置于所述逻辑芯片之上；第二存储芯片，所述第二存储芯片设置于所述第一存储芯片之上；第三存储芯片，所述第三存储芯片设置于所述第二存储芯片之上；其中所述第二存储芯片的面积小于第一存储芯片，所述第三存储芯片的面积小于第二存储芯片的大小，所述第一、第二、第三存储芯片层叠呈阶梯状结构单元；在所述阶梯状结构单元之间还设置有导热模块本发明相比于现有技术，不但可实现多个存储芯片的堆叠，提高了存储密度的同时保证了良好的散热性能。
一种加强散热存储芯片封装结构及其制作方法

[发明专利]存储芯片堆叠封装及电子设备-CN202080094663.8在审
发明人：焦慧芳;赫然;栗炜;刘静遐;李檀 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本申请提供一种存储芯片堆叠封装及电子设备，能够避免因采用micro‑bump结合TSV或者采用RDL等技术造成制作成本高的问题。该存储芯片堆叠封装包括基板以及依次堆叠在基板上的多层存储芯片；多层存储芯片包括：位于第一层的第一、第二存储芯片，位于第二层的第三、第四存储芯片，以及位于第三层的第五存储芯片；基板在对应第一存储芯片和第二存储芯片的位置设置有第一、第二窗口；第一存储芯片和第二存储芯片与基板直接连接；第三存储芯片和第四存储芯片与基板的引线连接；第五存储芯片搭接在第三存储芯片和第四存储芯片上；第五存储芯片与基板引线连接。
存储芯片堆叠封装电子设备

[实用新型]一种芯片封装结构-CN202221976409.3有效
发明人：金若虚 -专利权人：力成科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装结构，包括结构主体以及成型于结构主体上的塑封料，结构主体基板、存储芯片组、闪存芯片组和控制芯片，存储芯片组包括第一存储芯片组和第二存储芯片组，第一存储芯片组和第二存储芯片组并排堆叠于基板上，且第一存储芯片组和第二存储芯片组之间具有隧道，闪存芯片组堆叠于第一存储芯片组和第二存储芯片组上的同一侧，控制芯片堆叠于第一存储芯片组或第二存储芯片组的另一侧。本实用新型在第一存储芯片组和第二存储芯片组上方一侧堆叠闪存芯片组，另一侧堆叠控制芯片，控制芯片和闪存芯片分别堆叠在存储芯片的上方，完全利用有限的封装空间，维持较小的封装尺寸，实现高密度封装。
一种芯片封装结构

[发明专利]存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法-CN201210553347.X在审
发明人：莫越章;张晓成;雷红章 -专利权人：上海市共进通信技术有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法，属于计算机技术领域。本发明的存储芯片编程器包括集成有多个不同类型的存储芯片控制器的中央处理模块，该中央处理模块通过各类型存储芯片的软件端口连接相应的存储芯片，从而实现对所述的存储芯片进行擦除、编程和读操作。利用本发明的存储芯片编程器的设置与对存储芯片进行编程控制的方法，在不需要了解存储芯片内部算法的情况下，存储芯片编程器能够过通过存储芯片的软件端口对存储芯片进行擦除、编程和读操作，从而有效缩短开发周期，降低开发成本，简化用户操作简单，且本发明的存储芯片编程器及其设置与对存储芯片进行编程控制方法的使用范围也较为广泛。
存储芯片编程及其设置进行控制方法

[发明专利]存储芯片测试方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202310460347.3在审
发明人：谢登煌 -专利权人：深圳市晶存科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。方法包括：获取存储芯片测试指令；对存储芯片测试指令进行解码处理得到存储芯片测试信息；根据存储芯片测试信息在待测试存储芯片的第一测试输入引脚输入测试信号；从待测试存储芯片的第一测试输出引脚读取反馈信号；在反馈信号不满足预设的芯片工作参数阈值的情况下，对待测试存储芯片停止测试处理，并且将对应的待测试存储芯片标记为不良品；其中，芯片工作参数阈值表征存储芯片实现任意功能而需要达到的最低参数阈值要求。根据本发明实施例的方案，能够加快存储芯片的测试效率，快速对测试不合格的存储芯片进行剔除处理。
存储芯片测试方法装置电子设备可读介质

[发明专利]半导体装置-CN202010611284.3在审
发明人：寗树梁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测单元，所述温度检测单元用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测单元与所述存储芯片采用不同的电源供电。本发明的优点在于，存储芯片与温度检测单元采用不同的电源，则可分别控制两者启动，即温度检测单元的启动不受存储芯片是否启动的影响，使得对存储芯片温度的检测不受存储芯片是否启动的影响，从而能够为存储芯片的启动及运行提供参考，进而能够避免存储芯片在低温下启动或者运行，提高存储芯片的稳定性。
半导体装置

[发明专利]存储装置-CN201611232739.0有效
发明人：王兴隆;何佳;陈晓岩 -专利权人：上海宝存信息科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提出一种存储装置，包括一主板、一主控芯片、一第一存储芯片单元、一第二存储芯片单元以及一散热器。该主板包括一金手指连接部。主控芯片设于该主板之上并对应该金手指连接部。第一存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的一侧，其中，该第一存储芯片单元包括多个第一存储芯片。第二存储芯片单元耦接该主板，并位于该主控芯片的另一侧，其中，该第二存储芯片单元包括多个第二存储芯片。散热器热连接该主控芯片，该散热器位于该第一存储芯片单元与该第二存储芯片单元之间。
存储装置

[发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210059291.6在审
发明人：刘东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储芯片的测试方法及设备，包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取存储数据；根据测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果；其中，待测存储芯片当前的位线预充电电压小于待测存储芯片的标准位线预充电电压，和/或，待测存储芯片当前的感测延迟时间小于待测存储芯片的标准感测延迟时间。本申请实施例提供的存储芯片的测试方法及设备，可以准确检测出存储芯片是否存在失效的存储单元，进而提升存储芯片的良率。
存储芯片测试方法设备

[发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210246819.0在审
发明人：第五天昊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种存储芯片的测试方法及设备，涉及半导体技术领域，包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据，该待测存储芯片包括多列存储单元；从上述存储单元中读取存储数据；其中，在从上述存储单元中读取存储数据时，待测存储芯片使用的tCCD小于待测存储芯片的标准tCCD；根据上述测试数据与存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。本公开实施例通过改变待测存储芯片的工作参数tCCD，使待测存储芯片的读取环境变得更严格，通过对比写入的测试数据与读取到的存储数据，即可准确判断出待测存储芯片是否存在异常，可以有效提升存储芯片的检测准确率，进而提升存储芯片的良率。
存储芯片测试方法设备

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