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[发明专利]一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法-CN202111669411.6在审
发明人：郑枝源;蒋中原;李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法。一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法包括以下步骤：离子束刻蚀晶圆工艺结束后，采用反应离子束在预定的离子能量、离子束流和气体存在下刻蚀离子束刻蚀腔后抽真空。本发明采用反应离子束刻蚀离子束刻蚀腔，可以减少离子束刻蚀腔室内的颗粒数量，改善离子束刻蚀腔室内环境，提高离子束刻蚀稳定性和产品良率。
一种离子束刻蚀颗粒去除方法

[发明专利]一种同质斜齿光栅的制备方法和结构-CN202111643837.4在审
发明人：李梓涵;杨宇新;蒋中原;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种同质斜齿光栅的制备方法和结构，发射第一等离子束以第一能量和第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀基体得到粗刻斜齿光栅，第一能量大于或等于第一能量阈值且小于或等于第二能量阈值，将粗刻斜齿光栅、基体和掩膜版旋转180°，发射第二等离子束以第二能量和第二角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻斜齿光栅得到最终斜齿光栅，第二能量大于或等于第三能量阈值且小于或等于第四能量阈值，第一能量阈值大于第四能量阈值。则先用较高能量的等离子束进行刻蚀，以快速刻蚀出粗刻斜齿光栅，再通过增加低功率反向刻蚀的步骤，修饰粗刻斜齿光栅的内壁，使得光栅的底部更加的平直、对称，同时减少在掩膜较窄的地方的粒子散射，改善侧壁形貌。
一种同质光栅制备方法结构

[发明专利]一种异质斜齿光栅的制备方法和结构-CN202111495781.2在审
发明人：王鸿超;蒋中原;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质斜齿光栅的制备方法和结构，该方法包括：采用等离子束发射器发射第一等离子束以第一能量和第一束流以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀基体得到粗刻斜齿光栅，采用等离子束发射器发射第二等离子束以第二能量和第二束流以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻斜齿光栅得到最终斜齿光栅。即先用较高能量和束流的等离子束进行刻蚀，以快速刻蚀出粗刻斜齿光栅，再用较低能量和束流的等离子束进行刻蚀，修饰光栅底部两侧，从而可以得到平直的底部，得到最终斜齿光栅，避免了过刻蚀或刻蚀量不够的问题，从而提高了产品的良率。
一种异质斜齿光栅制备方法结构

[发明专利]基于区块链的业务对象生命周期管理及追溯方法及装置-CN202211395388.0在审
发明人：杨明明;阮志坚;陈庆峰;李佳鹤 -专利权人：蓝卓数字科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于区块链的业务对象生命周期管理及追溯方法及装置，包括：部署区块链节点，搭建联盟区块链网络；在CA认证中心进行注册认证，由认证中心分配唯一的服务节点ID、区块链节点ID、区块链节点密钥对和服务节点密钥对，认证通过后进入对应的服务节点；在业务对象自变化或转化时，服务节点进行信息构建，并生成溯源信息并签名，将关键信息上送区块链网络形成区块记录，将非关键信息上送至链外存储；获取区块记录并通过共识机制构建新区块并采用加密算法形成信任区块上链；构建展示层，查询时实时展示业务对象的生命周期信息，实现业务对象的业务闭环的全链路、全生命周期信息的维护和追溯。
基于区块业务对象生命周期管理追溯方法装置

[发明专利]闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法-CN202111425778.3在审
发明人：蒋中原;王鸿超;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开一种闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法，该加工方法包括下述步骤：采用适配于与待加工闪耀光栅的掩膜，通入刻蚀气体后，以与光栅基体法线之间具有夹角的离子束进行刻蚀，刻蚀过程中所述光栅基体具有自转。应用本方案，基于光栅基体的自转，使得距离离子源最远的部位与最近的部位具有接近的刻蚀速率，有效改善均匀性；另外，增加自转后可以将未被掩模遮挡区域减小，利于反闪耀面转折的消除。整体上，能够有效提升产品良率。
闪耀光栅加工方法

[发明专利]一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法-CN202111404887.7在审
发明人：郑枝源;杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;李雪冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔内栅网的沾污的清洗方法，使用离子束刻蚀的工艺菜单进行清洗，设置施加在第一层栅网的正电压、正电流和施加在第二层栅网上的负电压，使等离子体通过第一层栅网，且不形成具有方向性离子束，利用等离子体之间的排斥碰撞作用，对栅网的沾污进行清洗。本发明中的清洗方法不用通过开腔等其他物理操作，直接以离子束刻蚀腔的工艺菜单的方式在不开腔的情况下达到清洗IBE grid的目的，且清洗效果好，清洗前后工艺参数稳定。
一种离子束刻蚀腔内栅网沾污清洗方法

[发明专利]一种闪耀光栅的制造方法-CN202111228702.1在审
发明人：王耀;李佳鹤;蒋中原;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种闪耀光栅的制造方法，首先提供制造闪耀光栅的衬底，并在衬底上覆盖图案化的掩膜，之后利用第一刻蚀速率，以图案化的掩膜为掩蔽，刻蚀衬底，在衬底上会形成垂直于所述衬底所在平面的断面，而后利用第二刻蚀速率，继续刻蚀衬底，降低断面的高度，其中第一刻蚀速率是第二刻蚀速率的N倍，也就是说，本申请实施例提供的闪耀光栅的制造方法，首先利用较高的刻蚀速率刻蚀衬底，得到闪耀光栅的大致结构，该结构中包括断面，而后利用较低的刻蚀速率继续刻蚀衬底，以修复由第一刻蚀速率形成的断面，最终形成结构参数较好的闪耀光栅。
一种闪耀光栅制造方法

[发明专利]一种图像数据采集标注的方法及装置-CN202211619883.5在审
发明人：褚健;阮志坚;沈泳;李佳鹤;孔家慧 -专利权人：蓝卓数字科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06V20/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像数据采集标注的方法及装置，应用于图像识别技术领域，所述方法包括：实时采集视频流；根据图像识别模型对所述视频流进行识别标注，得到图像数据；对所述图像数据进行校验，得到标准图像数据；将所述标准图像数据进行存储。通过图像识别模型对实时采集的视频流进行识别标注，然后对识别标注得到的结果进行校验，并进行存储。既能从实时采集的视频流中快速准确地得到图像数据，实现对图像数据的长期采集，还能够提高图像数据标注的准确性，并且，利用图像识别模型对视频流进行识别标注工作，减少人工参与，降低技术人员的工作量。
一种图像数据采集标注方法装置

[发明专利]一种基于自然语言的数据查询方法及装置-CN202211654424.0在审
发明人：阮志坚;李红波;陈则润;李佳鹤 -专利权人：蓝卓数字科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F16/242 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于自然语言的数据查询方法及装置。其中，对第一目标语音转换的文本进行分词处理，得到分词结果；根据元数据库从分词结果中筛选属于指标类型的词汇，得到目标指标；从分词结果中筛选属于主体名称类型的词汇，得到第一主体名称；使用第一主体名称和目标指标在多个数据表中查询，若查询到第一字段名为第一主体名称且第二字段名为目标指标的目标数据表，则输出第一提示信息，以提示用户细化主体名称；获得回复第一提示信息的第二目标语音，从第二目标语音转换的文本中提取第二主体名称；基于第二主体名称和目标指标，查询目标数据表数据。本发明基于自然语言降低了数据查询门槛，引导式输出提示信息提高了数据查询的准确性。
一种基于自然语言数据查询方法装置

[发明专利]一种等离子刻蚀腔的清洗方法及应用-CN202111092346.5在审
发明人：梁枫;杨宇新;李雪冬;刘小波;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子刻蚀腔的清洗方法，包括以下步骤：A)将清洗片置于完成样品加工后的等离子刻蚀腔内，通入惰性气体，进行电容耦合等离子体清洗；B)然后通入化学清洗气体，进行电感耦合等离子体清洗；所述化学清洗气体包括CH2F2、CF4、NF3、SF6、O2中的一种或几种。本发明在等离子刻蚀腔中先进行CCP法拉第物理清洗，然后在进行ICP化学清洗，不仅能够对等离子刻蚀腔的腔壁和窗口都有较好的清洗效果，而且，本发明通过不同的气体组合，提升了对多种金属沾污的清洗能力。本发明还提供了一种等离子刻蚀腔清洗方法的应用。
一种等离子刻蚀清洗方法应用

[发明专利]一种MRAM磁隧道侧壁沾污的控制方法-CN202111006194.2在审
发明人：杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种MRAM磁隧道侧壁沾污的控制方法，该控制方法不需要额外的在MTJ层侧壁镀一层绝缘保护层，而是在刻蚀的过程中形成一种独特的漏斗状沟槽，该漏斗状沟槽包括背离所述衬底所在平面的第一区域，以及相邻所述衬底所在平面的第二区域，所述第一区域在所述第一方向上的尺寸逐渐增大，所述第二区域在所述第一方向上的尺寸不变；在去除漏斗状沟槽底部的金属沾污时，该漏斗状沟槽可以防止金属沾污附着在MTJ层的侧壁，进而提高MRAM的器件性能。
一种 mram 隧道侧壁沾污控制方法

[发明专利]一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法-CN202110962630.7在审
发明人：杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低MRAM磁隧道节损伤的方法，包括：提供一基础结构，所述基础结构包括在第一方向上依次设置的衬底、下电极、MTJ层和上电极，所述第一方向垂直于所述衬底且由所述衬底指向所述下电极；从所述上电极背离所述衬底一侧的表面进行第一次刻蚀处理，直至暴露出所述下电极；对所述MTJ层的侧壁进行预处理，以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层；进行第二次刻蚀处理，直至暴露出所述衬底。该方法通过对所述MTJ层的侧壁进行预处理以使所述MTJ层的侧壁进行反应，形成一层预设厚度的改性层，该改性层可以将后续刻蚀工艺中的入射离子进行散射处理，以最大程度的降低MTJ损伤。
一种降低 mram 隧道损伤方法

[发明专利]一种闪耀光栅的刻蚀方法-CN202110924132.3在审
发明人：梁枫;蒋中原;杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪耀光栅的刻蚀方法，包括：提供一待刻蚀结构，待刻蚀结构包括在第一方向上依次设置的衬底、光栅基底以及掩膜结构；进入第一刻蚀模式通入惰性气体与待刻蚀结构发生物理轰击；在预设时间之后进入第二刻蚀模式通入化学反应气体与惰性气体的混合气体与待刻蚀结构发生化学反应和物理轰击；确定第一刻蚀模式和第二刻蚀模式的循环周期，直至加工出所需的闪耀光栅。该刻蚀方法通过调整化学反应气体与惰性气体的混合气体的混合比例，可以间接调节光栅基底和掩膜结构的选择比，进而得到不同闪耀角的闪耀光栅；采用第一刻蚀模式和第二刻蚀模式的交替刻蚀方式，可以使得闪耀图形不会变形，也不会出现侧壁保护层的问题，确保器件性能。
一种闪耀光栅刻蚀方法

[发明专利]一种加工SIO2-CN202110716288.2在审
发明人：蒋中原;车东晨;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明的一种加工SIO2闪耀光栅的方法，包括如下步骤：步骤1，构建闪耀角、离子束入射角、SIO2对光刻胶的选择比模型；步骤2，将待加工样品传输至反应离子束刻蚀机，使wafer表面法线与离子束呈0‑90度角度；步骤3，放电腔室中通入混合气体，所述混合气体包括CHF3和O2，其中O2等离子体可以快速的将侧壁的保护层消耗掉；步骤4，等离子体经栅网引出中和，与待刻蚀样品发生物理轰击和化学反应。本发明实施例的加工SIO2闪耀光栅的方法降低了光刻胶掩模的膜层厚度，从而降低了闪耀光栅的加工难度。
一种加工 sio base sub

[发明专利]一种减少银刻蚀副产物团聚的方法-CN202110709703.1在审
发明人：郑枝源;杨宇新;李佳鹤;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本发明的一种减少银刻蚀副产物团聚的方法，包括如下步骤：步骤1，在连接干泵和IBE腔室的真空管中设置若干组过滤网组，相邻过滤网组之间间隔50‑500mm；每组过滤网组包括1‑3层过滤网，相邻过滤网之间间隔0.5‑5mm；步骤2，在过滤网之间填充化学吸附剂。本发明能够过滤或者吸附大部分的银副产物。
一种减少刻蚀副产物团聚方法

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