“江典蔚”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于蒙特卡洛方法的神经网络钢水温度预报方法-CN201911354298.5有效
发明人：刘惠康;曹宇轩;鲍考明;柴琳;皮瑶;江典蔚;鄢梦伟;孙博文;李倩 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06N3/006 文献下载
摘要：本发明提供基于蒙特卡洛方法的神经网络钢水温度预报方法，属于温度预报技术领域。该基于蒙特卡洛方法的神经网络钢水温度预报方法包括如下步骤：S1：建立分析模型；2：确定分析网络结构；S3：获取第一预设权值和第一预设阀值。本发明相比于传统的神经网络算法省去了由人工试验不断尝试来确定网络结构的复杂过程，针对迭代次数较多，时间较长的问题采用遗传算法对生成的神经网络模型进行优化，不仅提高了模型的精度，还节省了人力，使模型具有更好的泛化能力。
基于蒙特卡洛方法神经网络钢水温度预报

[发明专利]MRAM器件及确定其外部磁场和影响的方法-CN202210806839.9在审
发明人：庄学理;李元仁;江典蔚;史毅骏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及确定其外部磁场和影响的方法。MRAM器件包括主磁隧道结(MTJ)阵列和参考MTJ阵列，主磁隧道结(MTJ)阵列包括被配置为储存存储器数据的多个存储器单元，参考MTJ阵列包括具有MTJ结构的多个参考单元。MRAM器件还包括与主MTJ阵列和参考MTJ阵列可操作地相关联的控制器。控制器被配置为接收与外部磁场强度相关的参考MTJ阵列的总电阻，基于接收到的参考MTJ阵列的总电阻和预定阈值确定外部磁场是否致命，并且如果确定MRAM器件周围的外部磁场是致命的，则提供指示储存在主MTJ阵列中的存储器数据不可信的通知。
mram 器件确定外部磁场影响方法

[发明专利]存储器器件-CN201910523220.5有效
发明人：刘国安;吴忠政;庄学理;张广兴;江典蔚;吴志强;陈家庠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在一些实施例中，本申请提供了存储器器件。存储器器件包括芯片，芯片上包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。磁场屏蔽结构包括至少部分地围绕芯片的导电或磁性材料。磁场屏蔽结构包括横向围绕芯片的侧壁区、从侧壁区向上延伸的上部区以及从侧壁区向下延伸的下部区。上部区和/或下部区的至少一个终止于芯片上方的开口。
存储器器件

[发明专利]集成芯片及其形成方法、以及用于读取存取器阵列的方法-CN201910891687.5有效
发明人：庄学理;江典蔚;游文俊;邱奕介;陈昱霖;黄健成;陈长鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本申请的各个实施例涉及使用磁性结的一次可编程(OTP)实施。在一些实施例中，阵列包括多列和多行的多个磁性结，磁性结包括第一磁性结和第二磁性结。第一和第二磁性结包括单独的顶部铁磁元件和单独的底部铁磁元件，还包括位于顶部铁磁元件和底部铁磁元件之间的单独的阻挡元件。第一磁性结的第一阻挡元件电分离第一磁性结的第一顶部铁磁元件和第一底部铁磁元件。第二磁性结的第二阻挡元件已经受击穿，使得该第二阻挡元件具有限定第二磁性结的第二顶部铁磁元件和第二底部铁磁元件之间的泄漏路径的缺陷。击穿状态对应于一次可编程状态，甚至在较小尺寸下也不易受高温变化的影响。本申请还涉及集成芯片及其形成方法以及用于读取存储器阵列的方法。
集成芯片及其形成方法以及用于读取存取阵列

[发明专利]确定集成芯片上的受监测层的特性的方法-CN201710831980.3有效
发明人：庄学理;江典蔚;游文俊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种确定集成芯片上的受监测层的特性的方法。在一些实施例中，可通过在衬底上方形成集成芯片结构而执行所述方法。所述方法进一步包含在所述集成芯片结构上方形成监测层。所述监测层包含多个监测垫。所述方法还包含测量所述多个监测垫的一组监测垫之间的电性质。所述一组监测垫横向间隔达监测垫距离。基于所述经测量电性质确定所述组监测垫之间的所述监测垫距离下方的所述集成芯片结构的区域的特性。
确定集成芯片监测特性方法

[发明专利]磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性测试方法-CN201811396951.X有效
发明人：庄学理;张智扬;王清煌;江典蔚;施孟君;王家佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本揭露提供一种磁场可靠性测试装置、磁场生成板及磁场可靠性的测试方法。磁场可靠性测试装置包括测试器及磁场生成板。测试器包括多个待测对象插槽以及电源供应端。测试器利用待测对象插槽测试多个待测对象的功能。磁场生成板包括多个电磁铁以及电源接收端。电源接收端耦接测试器的电源供应端以从测试器获得电磁铁的电力。每个电磁铁的位置设置至每个待测对象插槽的相应位置。每个电磁铁获得电力以提供磁场至对应的每个待测对象插槽。测试器在电磁铁提供磁场的情况下测试待测对象的功能是否完善。
磁场可靠性测试装置生成方法

[发明专利]一种基于粒子群优化案例推理的RH终点温度预测方法-CN201911354297.0有效
发明人：刘惠康;江典蔚;鲍考明;杨贤昭;曹宇轩 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于粒子群优化案例推理的RH终点温度预测方法，属于封装外壳技术领域。该基于粒子群优化案例推理的RH终点温度预测方法S1：建立第一案例库；S2：计算出第一多元线性回归系数；S3：获取第一预设影响因子；S4：对属性权重进行优化；S5：对RH精炼钢水终点温度进行预测以获取预测温度。本发明中保证在多次精炼任务中依然能迅速根据当前条件运算出最合理的预测值，提高系统的可靠性和效率。
一种基于粒子优化案例推理 rh 终点温度预测方法

[发明专利]测试设备及其使用方法-CN202110180271.X在审
发明人：庄学理;江典蔚;王家佑;施孟君;王清煌;张智扬;陈家庠;翁稚惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施涉及测试设备及其使用方法。根据本发明的一些实施例，一种用于测试设备的盖包含：盖体；多个磁体，其安置于所述盖体上方；及多个调整部件，其中所述每一调整部件安置于所述盖体与一个对应磁体之间。所述盖体与每一磁体之间的垂直距离由一个对应调整部件调整。
测试设备及其使用方法

[发明专利]存储器器件以及制造存储器器件的方法-CN201910574417.1有效
发明人：庄学理;江典蔚;刘国安;陈家庠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：在一些实施例中，本申请提供一种存储器器件。存储器器件包含芯片，芯片包含磁性随机存取存储器(MRAM)单元。至少部分地包围芯片的磁场屏蔽结构包含多层堆叠。多层堆叠包含磁性层和介电层。第一磁性区位于磁场屏蔽结构的内表面内部且第二磁性区直接位于磁场屏蔽结构的外表面外部。第一磁性区中的磁场小于第二磁性区中的磁场。
存储器器件以及制造方法

[发明专利]伸长的磁阻式隧道结结构-CN201310231336.4有效
发明人：于淳;郑凯文;江典蔚;陈东呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻式隧道结(MTJ)器件，包括形成到衬底上的伸长的MTJ结构，所述MTJ结构包括磁性基准层和隧道阻挡层。所述MTJ结构还包括设置到所述隧道阻挡层上的多个分离的自由磁区。所述伸长的MTJ结构的长宽比为使得所述磁性基准层的磁场以单一方向固定。本发明还公开了一种伸长的磁阻式隧道结结构。
伸长磁阻隧道结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010598072.6在审
发明人：庄学理;江典蔚;陈家庠;施孟君;王清煌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：提供了器件和方法，其中通过磁屏蔽层使诸如磁阻随机存取存储器(MRAM)芯片的磁敏半导体芯片被屏蔽以免受磁干扰。器件包括限定外表面的壳体。半导体芯片设置在壳体内，并且半导体芯片与壳体的外表面间隔开。磁屏蔽层与半导体芯片间隔开小于5mm的距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于磁隧道结器件的制造技术和相应的器件-CN201610530486.9有效
发明人：庄学理;王宏火芍;江典蔚;游文俊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一些实施例涉及一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。该单元包括底电极，该底电极具有被周围的底电极部分包围的中心的底电极部分。导电底电极的阶梯区域将中心和周围的底电极部分相互连接，以使中心部分的上表面相对于周围部分的上表面凹陷。磁隧道结(MTJ)具有设置在中心的底电极部分上方和布置在阶梯区域之间的MTJ外侧壁。顶电极设置在MTJ的上表面上方。还公开了其他器件和方法。本发明的其它实施例涉及一种用于制造磁阻随机存取存储器(MRAM)单元的方法以及一种集成电路。
用于隧道器件制造技术相应

[发明专利]半导体晶片测试系统-CN201910729373.5在审
发明人：庄学理;张智扬;王清煌;江典蔚;施孟君;王家佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种半导体晶片测试系统。半导体晶片测试系统包含具有一个或多个导电探针的半导体晶片探测器，其中半导体晶片探测器被配置成将一个或多个导电探针定位在安置于半导体晶片上的集成芯片上。半导体晶片测试系统还包含铁磁性晶片卡盘，其中铁磁性晶片卡盘被配置成在晶片探测器将一或多个导电探针定位在集成芯片上时固持半导体晶片。上部磁铁安置在铁磁性晶片卡盘上方，其中上部磁铁被配置成在上部磁铁与铁磁性晶片卡盘之间产生外部磁场，且其中铁磁性晶片卡盘放大外部磁场，以使得外部磁场以放大的磁场强度穿过集成芯片。
半导体晶片测试系统

[发明专利]用于产生随机位的相关方法-CN201910887657.7在审
发明人：庄学理;张智扬;王清煌;翁稚惠;江典蔚;施孟君;王家佑;陈家庠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种用于产生随机位的方法。方法包含通过将随机数产生器(RNG)信号提供到磁阻随机存取存储器(MRAM)单元来产生第一随机位。随机数产生器信号具有约0.5的机率将磁阻随机存取存储器单元的电阻状态从对应于第一数据状态的第一电阻状态切换到对应于第二数据状态的第二电阻状态。随后从磁阻随机存取存储器单元读取第一随机位。
用于产生随机相关方法

[发明专利]集成有磁性隧道结的半导体结构及其制造方法-CN201610861304.6有效
发明人：亚历克斯·卡尔尼茨基;庄学理;黄胜煌;江典蔚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；具有位于衬底上方的栅极和至少部分地位于衬底中的掺杂区域的晶体管区域；在晶体管区域上方的第一金属层；以及位于晶体管区域和第一金属层之间的磁性隧道结(MTJ)。本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：在衬底上方形成晶体管区域，晶体管区域包括栅极和掺杂区域；在晶体管区域上方形成磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结电连接至晶体管区域；在MTJ上方形成第一金属层，第一金属层电连接至MTJ和晶体管区域。本发明的实施例还提供了一种制造半导体结构的方法。
集成磁性隧道半导体结构及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条