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[发明专利]使用存储单元和MRAM堆叠实现存储器存储的电路结构和方法-CN202110393520.3在审
发明人： A·R·贾斯瓦尔;A·P·雅各布;S·R·索斯 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种使用存储单元和磁随机存取存储器(MRAM)堆叠实现存储器存储的电路结构和方法。电路结构包括：具有被配置为存储数字位的第一锁存器的存储单元；耦接到第一锁存器的第一二极管；以及通过第一二极管而被耦接到存储单元的第一锁存器的第一磁随机存取存储器(MRAM)堆叠。第一MRAM堆叠包括分别具有各自的磁矩的第一层和第二层。第二层的磁矩在相对于第一层的磁矩的平行取向与反平行取向之间可调节。此外，可以通过施加所施加的电压来改变第二层的磁各向异性(VCMA效应)。自旋霍尔电极直接耦接到第一MRAM堆叠。
使用存储单元 mram 堆叠实现存储器电路结构方法

[发明专利]两位磁阻随机存取存储器器件架构-CN202280011282.8在审
发明人： A·杜塔;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，包括选择性地连接到第一位线的第一单元和选择性地连接到第二位线的第二单元。该MRAM器件进一步包括连接到第一单元且连接到第二单元的共享晶体管。该MRAM器件进一步包括第一选择器器件和第二选择器器件。第一选择器器件被配置为当施加至第一选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第一单元至共享晶体管。该MRAM单元进一步包括连接到共享晶体管的栅极的字线。
磁阻随机存取存储器器件架构

[发明专利]一种工艺偏差容忍与读取干扰消除的读取放大电路-CN201410339997.3有效
发明人：康旺;郭玮;赵巍胜;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种工艺偏差容忍与读取干扰消除的读取放大电路，由电流传输机、负载电路、电荷转移电压放大器和动态锁存电压比较器组成；电流传输机的一个输入端Y通过位线选择器与待读取的STT-MRAM数据单元阵列与STT-MRAM本发明解决了STT-MRAM技术中读取干扰与读取判决裕量之间的矛盾，提高了STT-MRAM的读取可靠性。
一种工艺偏差容忍读取干扰消除放大电路

[发明专利]具有内容寻址功能的MRAM芯片及内容寻址方法-CN201510428887.9有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，控制电路还包括比较器与搜索控制器，比较器用于比较从阵列中读出的内容与搜索字本发明还提供上述MRAM芯片的内容寻址操作方法。本发明提供的MRAM芯片及内容寻址操作方法，搜索速度比软件搜索快得多；多个阵列的内容寻址操作是并行的，进一步提高搜索速度；由于实现电路简单，耗电大大降低，非常适用于物联网和可穿戴电子设备等领域；只需要在每个阵列外增加一部分电路
具有内容寻址功能 mram 芯片方法

[发明专利]一种存储系统及采用该存储系统的读写方法-CN201510214813.5有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储系统，包括主机内存与固态硬盘，固态硬盘包括主控芯片、NAND芯片与MRAM，主机内存包括读缓存与固态硬盘的逻辑地址与物理地址对照表，MRAM包括写缓存。本发明提供的存储系统及采用该存储系统的读写方法，MRAM包括写缓存，能够保证写操作性能，同时减少了写NAND的次数从而延长NAND寿命；主机内存包括读缓存，能够保证读操作性能；把逻辑物理地址对照表和读缓存放在读写更快的主机内存中，提高了系统的性能，同时使得有限容量的MRAM能够更多地用在写缓存中，在控制成本的情况下进一步地提高了性能；不会牺牲随机读写性能，但是要消耗主机中的大量内存，因此这个方案更适合于服务器。
一种存储系统采用读写方法

[发明专利]一种具有搜索功能的MRAM芯片及搜索方法-CN201610283463.2有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种具有搜索功能的MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，控制电路还包括循环移位寄存器本发明还提供一种具有搜索功能的MRAM芯片的搜索方法。本发明提供的具有搜索功能的MRAM芯片及搜索方法，一个时钟周期内就可以完成对每个阵列上的整行内容的搜索，速度可以比软件搜索快几十倍到一百倍；多个阵列的搜索操作是并行的；由于实现电路比较简单，完成同样搜索的耗电大大降低
一种具有搜索功能 mram 芯片方法

[实用新型]一种容量为512K×40bit的立体封装MRAM存储器-CN201320385610.9有效
发明人：王烈洋;叶振荣;黄小虎;蒋晓华;颜军 -专利权人：珠海欧比特控制工程股份有限公司
申请日： 2013-06-30 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种容量为512K×40bit的立体封装MRAM存储器，包括五个容量为512K×8bit的MRAM芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和五个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，每个芯片层上置放一个所述MRAM芯片；所述堆叠的一个引线框架层和五个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和五个芯片层上露出的电气连接引脚进行关联连接以形成：五个MRAM芯片相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
一种容量 512 40 bit 立体封装 mram 存储器

[发明专利]用于磁性随机存取存储器(MRAM)单元的切换膜结构-CN201580038132.6有效
发明人： X·李;W-C·陈;Y·陆;K·李;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种MRAM单元可包括磁性隧穿结(MTJ)。该MTJ包括销钉层、阻挡层、自由层和覆盖层。该MRAM单元进一步包括双向二极管选择器，该双向二极管选择器直接耦合到MTJ的电极，以实现对MTJ的存取。
用于磁性随机存取存储器 mram 单元切换膜结构

[发明专利]MRAM-NAND控制器及内存条-CN201910859950.2有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请提供一种MRAM‑NAND控制器及内存条。控制器包括嵌入式MRAM、采用DDR‑DRAM接口标准的主机接口、NAND控制器、微控制器与网络接口。由于MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR‑DRAM接口，有助提高控制器及其应用的内存条的读写速度。通过网络接口，多个由控制器与存储单元封装而成的控制芯片可联合操作，有助提升存储的带宽。
mram nand 控制器内存条

[发明专利]垂直混合自旋扭矩转换(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器的共享源极线架构-CN201780057487.9在审
发明人： S·李;H·蔡 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开涉及一种混合自旋转换扭矩(STT)和自旋轨道扭矩(SOT)磁随机存取存储器(MRAM)。所述混合STT‑SOT MRAM的单元具有磁隧道结(MTJ)，所述磁隧道结具有其磁化垂直于衬底的平面取向的一些铁磁多层，和其磁化在所述衬底的所述平面内对齐的一些铁磁多层。架构导致高密度存储器。所述混合STT‑SOT MRAM降低编程电流密度，同时具有高切换速度、更高的热稳定性。
磁随机存取存储器自旋磁化自旋扭矩转换共享源极线架构磁隧道结垂直衬底多层铁磁轨道高密度存储器平面取向热稳定性对齐编程

[发明专利]嵌入了MRAM的集成电路中的3D电感器和变压器器件-CN200680017817.3无效
发明人：马克·A.·杜尔莱姆;郑勇;罗伯特·W·拜尔德;布拉德利·N·恩格 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：一种集成电路器件(300)，包括磁性随机存取存储器(“MRAM”)结构(310)和至少一个电感元件(312，314)，它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器，它形成在与MRAM结构的编程线相同的金属层上。除编程线层之外的任何可用金属层可以添加到电感元件中，以提高效率。MRAM结构(310)和电感元件(312，314)的同时制作有利于有效且低成本地利用基板的有效电路块上的可用物理空间，从而获得三维集成。
嵌入 mram 集成电路中的电感器变压器器件

[发明专利]测试结构、其制造方法、测试方法、以及MRAM阵列-CN201210111628.X有效
发明人：高雅真;江典蔚;林春荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：公开了测试结构、其制造方法、测试方法以及磁性随机存取存储器(MRAM)阵列。在一个实施例中，公开了测试结构。测试结构包括MRAM单元，其具有磁性隧道结(MTJ)和连接至MTJ的晶体管。
测试结构制造方法以及 mram 阵列

[发明专利]一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案-CN202210111855.6在审
发明人：杨炳生 -专利权人：新拓尼克科技（成都）有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无惧异常掉电并增加使用寿命的固态存储方案，包括固态硬盘，所述固态硬盘包括四个MRAM芯片、NAND芯片和控制器，四个MRAM芯片组成数据缓存器。本发明可以做到异常掉电无任何数据丢失，替用户保存珍贵的数据，可在异常掉电的“断点”处继续接收未传输完成的数据，节约重复传输时间，采用把文件系统存储在MRAM内的方法，可大幅提高固态硬盘的稳定、可靠性，可以广泛应用于医疗电子
一种异常掉电增加使用寿命固态存储方案

[发明专利]一种用于深空探测的固态存储器及存储、读取方法-CN202210180095.4在审
发明人：白郁;孙垒;张宁;吴振广;濮建福;朱新忠 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于深空探测的固态存储器及存储、读取方法，所述深空探测的固态存储器包括：双口RAM，用于缓存载荷数据；MRAM，用于对所述双口RAM缓存的载荷数据进行读取、识别和译码；SDRAM，用于根据所述MRAM的译码结果将当前载荷数据写入SDRAM已分区的地址空间；Flash，用于在所述SDRAM任一分区存储的载荷数据达到预设值时，按SDRAM分区优先级轮询读出并写入Flash。该固态存储器对载荷数据分区缓存，实现文件按页精细化管理，建立文件信息的多维属性，提高了文件检索精准性和时效性，具备MRAM故障隔离措施。
一种用于探测固态存储器存储读取方法

[发明专利]电子控制装置-CN200710162334.9有效
发明人：桥本光司;中本胜也;常数祥三;铃木晋介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：提高使用能方便地进行高速读写的非易失性存储器MRAM的电子控制装置的安全性。从外部工具(108)写入控制程序的MRAM(120A)具有带纠错码的写入电路(122)、译码读出电路(123)、以及将差错发生地址号作为差错数据写入的差错寄存器(125a、125b)，若在指定差错发生地址并进行确认读出时仍然发生差错MRAM(120A)的程序存储区通常为写入禁止状态，连接外部工具(108)时解除禁止状态。将差错寄存器(125a、125b)设置在不成为写入禁止对象的数据存储区。
电子控制装置