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[发明专利]一种利用MRAM存储文件目录的文件存储系统-CN201510268543.6在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用MRAM存储文件目录的文件存储系统，包括MRAM与块存储设备，MRAM包括文件系统目录区，用于存储文件目录，块存储设备用于存储文件数据。本发明提供的利用MRAM存储文件目录的文件存储系统，由于MRAM是随机读写的存储器，在MRAM中查询文件比在NAND中搜索目录快，因而能够高性能地管理文件目录；由于MRAM是非易失的存储器，不会因为突然断电而丢失文件系统中的核心数据，因而能够安全地管理文件目录；文件系统目录区需要经常被改写，存储在可以无限次写入的MRAM中，降低了NAND的写入次数，延长系统的使用寿命；文件系统目录区中采用不同长度的记录，能够有效提高存储空间的利用率
一种利用 mram 存储文件目录存储系统

[发明专利]MRAM单元读取电路及读取方法、STT-MRAM-CN202010015813.3在审
发明人：汪腾野;王韬;罗睿明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：STT‑MRAM、STT‑MRAM位单元和MRAM单元读取电路，所述MRAM单元读取电路包括：读出放大器，适于在接收到预充电信号时，将被选中的MRAM单元的阵列位线和所述动态反馈参考单元的参考位线分别充电至预设的高电平；所述动态反馈参考单元，适于在接收到字线开启信号时，从预设的第一阶段转换为第二阶段，以通过改变所述参考位线上输出的参考电流，增加所述被选中的MRAM单元输出的数据点电压和自身输出的参考点电压之间的压差；所述读出放大器，还适于读取所述被选中的MRAM单元输出的数据点电压和所述动态反馈参考单元输出的参考点电压进行差分放大后输出对应的数字电平。上述的方案，可以增加MRAM单元读取电路的读裕量。
mram 单元读取电路方法 stt

[实用新型]一种嵌入MRAM的集成电路-CN202121449638.5有效
发明人：张均颜 -专利权人：深圳市钧敏科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种嵌入MRAM的集成电路，涉及集成电路技术领域，包括集成电路本体，所述集成电路本体的两侧均固定连接有焊接引脚，所述集成电路本体的顶部固定焊接有硬件芯片，所述集成电路本体顶部的中心处固定焊接有嵌入MRAM本体，所述集成电路本体的顶部设置有防干扰机构。本实用新型通过隔磁片和吸波片的设计，避免嵌入MRAM本体和硬件芯片之间相互产生电磁干扰的问题，通过设有防干扰网体和薄铅板，避免嵌入MRAM本体和硬件芯片之间相互产生信号干扰的问题，保障嵌入MRAM本体的正常运行，解决嵌入MRAM本体在运行时容易受到其它硬件芯片的干扰，从而影响嵌入MRAM本体的读写能力的问题，增强嵌入MRAM本体的处理能力，提升本装置的实用性。
一种嵌入 mram 集成电路

[发明专利]一种基于STT-MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法-CN201910462788.0有效
发明人：蔡晓晰;丁钢波;杨杰 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于STT‑MRAM的固态存储器件随机访问性能提升方法，所述固态存储器件包括磁性随机存储器STT‑MRAM和存储介质NAND flash。本申请利用STT‑MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，采用STT‑MRAM作为固态存储器件控制器内的高命中LBA数据缓存，简化高命中LBA的响应路径，增强系统的随机访问性能。且当发生GC时，利用STT‑MRAM中的LBA读写次数数据，将高命中LBA数据统一放入目的BLOCK中，以便STT‑MRAM缓冲区中的数据缺失或损坏时可将高命中LBA数据一次性读取至STT‑MRAM中缓冲
一种基于 stt mram 固态存储器件随机访问性能提升方法

[发明专利]磁性随机存取存储器-CN201310290656.7无效
发明人：金燦景;车秀镐;姜东锡;朴哲佑;孙东贤;李润相;金惠珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。
磁性随机存取存储器

[发明专利]用于保护一个MRAM装置不受窜改的方法和装置-CN200380106672.0有效
发明人： K·M·H·伦斯森;R·乔彻姆森 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：应当保护存储在MRAM单元(12)中的数据不被滥用或不被未经许可的人读出。本发明提供了一种MRAM单元(12)的阵列(10)，具有一个安全装置(14)，用于当该阵列遭到窜改时破坏存储在MRAM单元(12)中的数据。这是通过临近于MRAM阵列(10)放置一个永久磁铁与一个软磁通量闭合层(18)结合而实现的。只要软磁层(18)存在，那么来自永久磁铁(16)的磁场线(20)偏转并通过这个软磁层(18)。当某人例如通过逆向工程窜改MRAM阵列(10)时，并且移除通量闭合层(18)，那么通量就不再偏转并且影响附近的MRAM阵列(10)，从而破坏了存储在MRAM单元(12)中的数据。
用于保护一个 mram 装置不受窜改方法

[发明专利]一种MRAM环境适应性的测试方法-CN201611049399.8在审
发明人：吴非;石鑫;谢长生;管希东 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM环境适应性的测试方法，属于计算机存储领域，MRAM环境适应性的测试方法中，使用温控箱和磁场设备对MRAM存储设备进行处理，模拟实际使用环境，通过读取MRAM存储设备的值来考量存储设备的错误行为特征，并重复上述步骤，以获取MRAM在不同温度和磁场强度下的环境适应性特征。本发明所述MRAM环境适应性的测试方法，具有测试方法简单快捷，指导性强，适应性广等特点，有效确保存储系统的可靠性和安全性。
一种 mram 环境适应性测试方法

[发明专利]MRAM设备及其形成方法、和MRAM单元-CN201910927513.X有效
发明人：吴荣堂;吴孟谕;吴思桦;李锦思;蔡瀚霆;简钰人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的顶部电极位于磁隧道结(MTJ)上方，顶部电极是使用取向为(111)晶体结构的氮化钛膜，代替钽、氮化钽和/或包括钽和氮化钽的多层使用。本申请的实施例还涉及MRAM设备、形成MRAM设备的方法、和MRAM单元。
mram 设备及其形成方法单元

[发明专利]一种混合使用DRAM和MRAM的固态硬盘-CN201510131302.7在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种混合使用DRAM和MRAM固态硬盘，包括主控芯片、用于存储数据的一组NAND芯片以及DRAM。NAND芯片、DRAM分别与主控芯片连接，固态硬盘还包括MRAM，MRAM与主控芯片连接，MRAM用于写缓存，DRAM用于保存逻辑地址与物理地址对照表。本发明提供的固态硬盘，混合使用MRAM和DRAM，一方面将MRAM用于写缓存，由于MRAM可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据，因此不再使用昂贵的、体积大的断电保护系统，降低了固态硬盘的成本；另一方面将消耗内存最大的逻辑
一种混合使用 dram mram 固态硬盘

[发明专利]一种MRAM芯片及其自测试方法-CN201610423370.5在审
发明人：戴瑾;叶力;俞华樑 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G11C29/18 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，阵列包括由MRAM存储单元组成的存储行，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器与输入输出控制，控制电路还包括自测试控制器，每个阵列包括多个备用行，备用行用于替换具有损坏的MRAM存储单元的行。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过自测试，将检测到的具有损坏的MRAM存储单元的存储行的数据存储到替换备用行中，提高了MRAM芯片的数据可靠性及使用寿命。
一种 mram 芯片及其测试方法

[发明专利]具有一致MRAM裸片定向的MOKE计量的系统及方法-CN202080052828.5在审
发明人： F·瓦伊达 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种计量工具，其包含用以产生磁场的磁铁及用以将多个MRAM裸片定位在所述磁场中的MRAM晶片上的载物台系统。所述载物台系统包含其上将要安装所述MRAM晶片的卡盘。所述计量工具进一步包含用以提供激光束且引导所述激光束以入射于经定位在所述磁场中的相应MRAM裸片上的光学器件。所述计量工具额外包含用以接收由所述相应MRAM裸片反射的所述激光束且测量所述反射激光束的偏振的旋转的检测器。所述计量工具可配置以为所述MRAM晶片上的每一MRAM裸片提供相对于所述激光束的所述偏振的共同定向。
具有一致 mram 定向 moke 计量系统方法

[发明专利]一种MRAM-NAND控制器及贴片式固态硬盘-CN201510098598.7有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM‑NAND控制器，包括MRAM模块、采用DDR DRAM接口标准的主机接口与NAND控制器。本发明还提供一种贴片式固态硬盘，包括MRAM‑NAND控制器与NAND模块。本发明提供的MRAM‑NAND控制器及贴片式固态硬盘，由于采用MRAM‑NAND控制器以及POP与3D SIC封装技术，使得贴片式固态硬盘尺寸更小，能够直接贴片到主板上；不仅能够应用到计算机上，也能够应用在平板电脑与手机上；MRAM‑NAND控制器的主机接口，采用DDR DRAM接口，使得贴片式固态硬盘的读写速度大大提高；MRAM模块通过DMA控制器与NAND芯片交换数据，有助于提高读写速度。
一种 mram nand 控制器贴片式固态硬盘

[发明专利]MRAM器件及其装配方法-CN201110062115.X无效
发明人：庞兴收;希拉·F·肖平;李军;徐雪松 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开MRAM器件及其装配方法。一种封装磁阻随机存取存储器(MRAM)管芯的方法包括提供具有管芯焊盘和引线指的引线框。使用第一管芯贴附粘合剂将MRAM管芯粘附至所述管芯焊盘，以及使用丝线键合工艺，利用丝线将MRAM管芯的接合焊盘电连接至引线框的引线指。使用第二管芯贴附粘合剂将预形成的复合磁屏蔽体粘附至所述MRAM管芯的顶表面。所述磁屏蔽体包括散布在有机基质中的磁渗透填充材料。将密封材料散布至所述引线框、MRAM管芯和磁屏蔽体的顶表面，使得所述密封材料覆盖所述MRAM管芯和所述磁屏蔽体。然后固化所述密封材料。
mram 器件及其装配方法

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN200510099016.3无效
发明人：钟江义晴 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：通过使MRAM的TMR比改善，提供一种高速、高可靠性的MRAM。该方法的特征在于，MRAM的TMR元件的铁磁性层变为拉伸应变状态，磁化增大。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]MLC STT-MRAM数据写入方法及装置、数据读取方法及装置-CN201610677385.4有效
发明人：王涛;郭婷;董海涛;牛林;马志广;王玉莹;崔梅英;何登森;吕强;林桂华;韩冬 -专利权人：国网技术学院
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种MLC STT‑MRAM数据写入方法及装置、数据读取方法及装置，其中，MLC STT‑MRAM数据写入方法，包括将新数据从缓存器传输至MLC STT‑MRAM的写队列中等待写入；通过比较新旧数据，获得写入MLC STT‑MRAM时的每种数据状态改变单元格硬区域磁化状态的数量以及相应的映射类型；筛选出需要改变MLC STT‑MRAM硬区域磁化状态数量最少的映射类型为重映射方式，并利用重映射方式对新数据进行数值重映射；根据相应写策略，将重映射后得到的数据和映射类型一起写入MLC STT‑MRAM中。
写入映射类型重映射磁化状态数据读取新数据硬区域改变单元数据状态映射方式缓存器旧数据写队列筛选传输