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[发明专利]一种基于STT-MRAM的读写缓存分离的SSD控制器-CN201510900084.9在审
发明人：徐庶;蒋信;李辉辉;左正笏;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G06F12/0893 文献下载
摘要：本发明属于计算机存储设备技术领域，具体涉及一种基于STT-MRAM的读写缓存分离的SSD控制器，包括：控制逻辑模块，读写缓存模块，纠错模块、读写驱动模块，读写缓存模块包括STT-MRAM存储器和DRAM存储器，STT-MRAM存储器缓存所有需要写入FLASH存储阵列的数据以及LBA修改增量表，DRAM存储器缓存所有需要从FLASH存储阵列中读出的数据、LBA映射表、控制器程序和用户配置。本发明的有益效果在于：采用STT-MRAM作为SSD控制器内的写缓存，利用STT-MRAM的高速读写性能和掉电非易失性能，解决SSD控制器中掉电后数据保护不足的问题，移除控制器中原有的掉电保护电容和掉电检测电路
一种基于 stt mram 读写缓存分离 ssd 控制器

[发明专利]一种采用STT-MRAM作为单一存储器的微控制器-CN201510898109.6在审
发明人：徐庶;蒋信;李辉辉;左正笏;韩谷昌;刘瑞盛;孟皓;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明属于微控制器领域，具体涉及一种采用STT-MRAM作为单一存储器的微控制器，包括：中央处理器、STT-MRAM存储器、SRAM接口、其他逻辑和信号处理部件，所述STT-MRAM存储器包括运行数据存取区和程序存储区；所述中央处理器与STT-MRAM存储器之间通过SRAM接口连接，中央处理器与其他逻辑和信号处理部件连接。本发明的有益效果在于：利用STT-MRAM不同分区分别完成存取运行数据，存储源程序代码和用户配置的功能，该新型架构不仅有效提升了MCU中存储器容量，可靠性并降低了存储器制造成本，还简化了接口电路，节省了芯片面积
一种采用 stt mram 作为单一存储器控制器

[发明专利]一种MRAM芯片、内容寻址纠错方法及SOC芯片-CN201610993548.X在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM芯片，包括多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，控制电路还包括比较器与搜索控制器，比较器用于比较从阵列中读出的内容与搜索内容本发明还提供MRAM芯片的内容寻址纠错方法及SOC芯片。本发明提供的MRAM芯片、内容寻址纠错方法及SOC芯片，通过阵列的行中设置的用于纠错的ECC比特，能够提供无错误的数据，从而提高MRAM芯片的可靠性；通过内容寻址提高搜索速度，降低耗电，非常适用于对待机功耗要求很严格的领域
纠错内容寻址芯片控制电路搜索控制器比较器列地址解码器输入输出控制解码器读写控制器纠错能力控制内容搜索内容寻址操作行地址耗电功耗读出搜索

[发明专利]一种提高SOT-MRAM集成度的方法-CN201910079822.6在审
发明人：赵巍胜;朱道乾;曹凯华 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种提高SOT‑MRAM集成度的方法，通过降低SOT‑MRAM中相邻两个磁隧道结之间的底电极的电阻率，来降低整个底电极的电阻率，从而增加可以制备的底电极长度，提高SOT‑MRAM集成度。本发明可以克服传统SOT‑MRAM底电极电阻率过高带来的高功耗问题，并有利于提高SOT‑MRAM的器件集成度。
底电极磁隧道结集成度电阻率低电阻导体低电阻率制备器件集成度注入离子高功耗离子替换垂直

[发明专利]一种基于MRAM的低功耗MCU电路-CN202010613440.X在审
发明人：朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本发明提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。
一种基于 mram 功耗 mcu 电路

[发明专利]一种利用MRAM存储小文件的存储装置-CN201510176989.6有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种利用MRAM存储小文件的存储结构，包括MRAM与块存储设备，MRAM包括小文件存储区，用于存储小文件，小文件是指文件大小小于或等于一个页的文件，块存储设备用于存储大文件，大文件是指文件大小大于一个页的文件本发明提供的利用MRAM存储小文件的存储结构，存储小文件采用的块的容量小于块存储设备的块的容量，因而能够提高存储空间的利用率；在修改文件时，首先需要擦除的块较小，能够降低系统的负担；其次修改操作是在MRAM
一种利用 mram 存储文件结构

[发明专利]一种使用MRAM的存储设备-CN201510428866.7有效
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种使用MRAM的存储设备，包括主机接口、主控芯片、MRAM以及一个或多个NAND芯片，MRAM包括写缓存或读写缓存以及缓存页表，缓存页表的记录包括一个缓存页的地址、缓存页对应的NAND页的地址以及最近设定时间段内的写操作次数本发明提供的使用MRAM的存储设备，将属于总写操作次数最低的块的所有缓存页回NAND芯片，从而减少写回NAND芯片的次数，延长存储设备的使用寿命；MRAM还包括缓存块表，能够快速找到总写操作次数最低的块
一种使用 mram 存储设备

[发明专利]集成电路及其制备方法-CN201710323449.5有效
发明人：刘少鹏;陆宇 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：该集成电路包括顺序层叠设置的半导体衬底、逻辑器件、下金属互连层、中间介质层和上金属互连层，中间介质层中设置有MRAM和第一导体，下金属互连层和上金属互连层通过第一导体电连接，MRAM包括依次叠置在中间介质层中的第二导体由于上述MRAM中的下电极通过第二导体与下金属互连层连接，不仅能够减小孔的电阻，还能够对下电极进行不同材料和工艺上的选择进行调整，从而使MRAM能够具有优异的存储性能，进而使集成有MRAM与逻辑器件的集成电路能够具有优异的性能
集成电路及其制备方法

[发明专利]使用单晶自对准二极管的磁性随机存取记忆体-CN200710106719.3有效
发明人：何家骅;施彦豪;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：磁性随机存取记忆体(MRAM)记忆胞包含MRAM元件以及单晶自对准二极管。MRAM元件与单晶自对准二极管经由接触窗而连接。在MRAM元件上方仅定位一个金属线。亦揭露MRAM记忆胞的制造方法、读取方法以及程式化方法。
使用对准二极管磁性随机存取记忆体

[实用新型]一种立体封装MRAM存储器-CN201920230600.5有效
发明人：颜军;汤凡;王烈洋;占连样 -专利权人：珠海欧比特宇航科技股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种立体封装MRAM存储器，涉及存储设备领域，包括从下至上堆叠设置的一个底板层和多个芯片层；每一芯片层分别包括一个MRAM芯片以及铜带，所述铜带为扁平带状，设置在相应芯片层内MRAM芯片的上表面一侧；所述铜带将所属芯片层的MRAM芯片的引脚与所述底板层上对外连接的引脚电气连接，或者将所属芯片层的MRAM芯片的多个引脚电气连接所述底板层设有用于对外连接的引脚。
铜带引脚底板层芯片层芯片存储器电气连接对外连接所属芯片封装本实用新型抗冲击性能扁平带状存储设备堆叠设置高度降低航天领域空间条件传统的上表面叠层受限阻抗航空

[实用新型]一种基于MRAM的低功耗MCU电路-CN202021240884.5有效
发明人：朱乐永;白明方;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：一种基于MRAM的低功耗MCU电路，包括，MRAM存储器；CPU；低压差线性稳压器电路，包括参考电压输入端口、输出端子、输入端子、误差放大器、功率PMOS、反馈电阻、电容，输出端子连接功率PMOS的漏极反馈电阻连接误差放大器的一个输入端，参考电压输入端口连接误差放大器的另一个输入端；功率PMOS宽长比为500um/0.7um‑2000um/0.7um，电容为0.05nF‑0.5nF；低压差线性稳压器电路连接MRAM存储器和CPU，并为MRAM存储器和CPU供电，MRAM存储器连接CPU；本实用新型提供了一种功耗低、面积小的MCU电路。
一种基于 mram 功耗 mcu 电路

[发明专利]具有磁性随机存取存储器装置的集成电路及其制造方法-CN201811268076.7有效
发明人：刘斌;卓荣发;丁银洁;李康豪;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供具有磁性随机存取存储器(MRAM)装置的集成电路及其制造方法。在一例示实施例中，一种用于制造MRAM位单元的方法，包含：决定第一位单元与第二位单元之间的所需单元间间隔；以及对半导体衬底进行双重图案化而形成半导体鳍结构，其中，以群组的方式形成该半导体鳍结构，该群组具有已分组的半导体鳍结构之间的群组内间距以及不同于该群组内间距的相邻群组的半导体鳍结构之间的单元间间隔该方法还包含：在该第一位单元中的该半导体鳍结构上方形成第一MRAM存储器结构；以及在该第二位单元中的该半导体鳍结构上方形成第二MRAM存储器结构。此外，该方法包含：在该第一MRAM存储器结构与该第二MRAM存储器结构之间形成该第一位单元的第一源极线。
具有磁性随机存取存储器装置集成电路及其制造方法

[发明专利]基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置-CN201710804696.7在审
发明人：简红;蒋信 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从OTP MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
物理不可克隆函数参考位元芯片一次性可编程磁性隧道结逻辑状态图电阻击穿位元比较模块记录比较生成模块选择模块成正比

[发明专利]基于嵌入式STT‑MRAM的SSD控制器芯片、固态硬盘-CN201610605956.3在审
发明人：李炜 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于嵌入式STT‑MRAM的SSD控制器芯片、固态硬盘，包括前端协议接口、闪存接口和闪存转换层FTL，所述SSD控制器芯片还包括嵌入的非易失性存储器STT‑MRAM，所述STT‑MRAM与前端协议接口、闪存接口、闪存转换层FTL通过数据总线连接，所述STT‑MRAM用于接收前端协议接口下发的数据进行缓存，并存储闪存转换层FTL映射表项。
基于嵌入式 stt mram ssd 控制器芯片固态硬盘

[发明专利]用于MRAM阵列的磁屏蔽结构-CN202010024087.1在审
发明人：弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文;安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种封装半导体装置的实施例，所述封装半导体装置包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有有源侧和相对的背侧，所述半导体管芯包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元阵列，所述MRAM单元阵列形成于所述半导体管芯的所述有源侧上的MRAM区域内；以及顶盖，所述顶盖包括定位在所述半导体管芯的所述背侧上的软磁材料，其中所述顶盖包括形成于所述顶盖的第一主表面中的凹陷，所述第一主表面面对所述半导体管芯的所述背侧，并且所述凹陷定位在所述MRAM
用于 mram 阵列屏蔽结构