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[发明专利]解键合的激光发生器位置确定方法-CN202111036026.8在审
发明人：张彪;李纪东;张紫辰;侯煜;张昆鹏;张喆;易飞跃;杨顺凯 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种解键合的激光发生器位置确定方法，应用于叠层结构的解键合过程，其中，叠层结构是由晶圆和基板键合形成的，所述方法包括：对所述叠层结构的第一区域进行激光照射并对所述第一区域的晶圆和基板施力进行分离
解键合激光发生器位置确定方法

[实用新型]一种全自动晶圆解键合装置-CN202223237804.2有效
发明人：彭金石;刘娟 -专利权人：上海博陆电子有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种全自动晶圆解键合装置，包括：机体，电动伸缩杆和移动块，所述机体连接有固定板，所述电动伸缩杆连接有固定块，所述固定块连接有夹板一，所述移动块连接有夹板二；有益效果为
一种全自动晶圆解键合装置

[发明专利]键合用晶圆、键合结构以及键合方法-CN202111581105.7在审
发明人：曹语盟;陈凡;袁琨;卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种键合用晶圆、键合结构以及键合方法。所述键合方法包括如下步骤：提供键合用的第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆上形成对准标记，对准标记包括晶圆表面图形或者晶圆通孔。至少有一个晶圆具有通孔，透过该晶圆通孔可以观察到另外一个晶圆的对准标记；以第一晶圆和第二晶圆上的对准标记为基准，将第一晶圆和第二晶圆键合。本发明由于采用晶圆通孔实现可见光同时观察两个晶圆对准标记的直接对准键合，不需要透过硅晶圆的红外辅助装置或者对两个晶圆分别预先定位的机械对准过程，并且对晶圆的透光性无特别要求。
合用结构以及方法

[发明专利]基底键合加压装置、基底键合设备及基底键合方法-CN202010876069.6在审
发明人：陈飞彪;郭耸;朱鸷 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种基底键合加压装置、基底键合设备及基底键合方法，所述基底键合加压装置包括：半导体加热冷却器组件以及加压组件；所述半导体加热冷却器组件包括沿所述加压组件的轴向排布的第一侧与第二侧，所述第一侧与所述第二侧中的一个为加热端如此设置，有效的缩短了制冷和加热时间，精确的控温并高了加热稳定性，减少了冷量传递路径，进而减小材料变形，从而提高了设备的产率和键合精度。
基底加压装置设备方法

[发明专利]键合装置、键合装置的形成方法及键合方法-CN202310693688.5在审
发明人：骆中伟;蓝天;华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种键合装置、键合装置的形成方法及键合方法，其中键合装置用于键合芯片和第一晶圆，所述第一晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆包括若干单元格区，当所述第一晶圆与所述衬底晶圆表面相贴合时各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于所述衬底晶圆表面的辅助层，各单元格区上的所述辅助层内具有凹槽，所述凹槽底部暴露出所述衬底晶圆表面，所述凹槽用于容纳所述芯片，所述凹槽相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了若干所述芯片与第一晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
装置形成方法

[发明专利]一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法-CN201911348397.2有效
发明人：石虎 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法，其中，组合图像传感器芯片的形成方法包括：提供承载基底；在承载基底上通过热解膜临时键合多个滤光片、在滤光片上形成围堰、在围堰上键合图像传感器芯片滤光片、和图像传感器芯片围成空腔，图像传感器芯片所在的一面为第一表面滤光片所在的一面为第二表面；提供环形边框以及切割膜、粘合膜，切割膜和粘合膜粘合在一起，且周边粘贴于环形边框，粘合膜所能承受的温度大于热解膜失效的温度；将切割膜粘合在第一表面上；加热使热解膜失效，以去除承载基底；利用拾片设备，将滤光片和图像传感器芯片构成的整体从切割膜上取下。
一种组合图像传感器芯片形成方法分离

[发明专利]一种可应用于多尺寸晶圆解键合的工装-CN202010884426.3在审
发明人：谢华伟 -专利权人：苏州铼铂机电科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可应用于多尺寸晶圆解键合的工装，包括真空吸盘和承片台，所述真空吸盘的盘面的一侧设有若干直线凹槽，所述承片台设置于所述真空吸盘设有所述直线凹槽的一侧，所述承片台设有承片台本体，所述承片台本体靠近所述真空吸盘的一侧设有与所述直线凹槽匹配的拼接指部本发明由拼接指部先承接推离衬底的晶圆，利用拼接指部插入直线凹槽的多少满足多尺寸的晶圆解键合工艺。
一种应用于尺寸晶圆解键合工装

[发明专利]一种提高宠物犬猫消化功能的酪蛋白磷酸肽的制备方法-CN202210794516.2在审
发明人：李云亮;马海乐;吕少俊;阮思煜;王智超;赵博博;徐雅宣 -专利权人：卫仕宠物营养科学研究院（江苏）有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C12P21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高宠物犬猫消化功能的酪蛋白磷酸肽的制备方法，涉及多肽‑金属螯合物制备领域。具体涉及一种先在酸性条件下对酪蛋白进行酶解，再利用锌与盐酸反应产生的氢气还原断裂蛋白二硫键，为了保护游离巯基，利用锌离子、半胱氨酸和蛋氨酸的螯合效应制备高锌的酪蛋白磷酸肽。本发明克服了酪蛋白在水溶环境下溶解性差，而导致酶解效率低的缺点，锌离子螯合有效避免了打开的蛋白二硫键重新聚集，获得的酪蛋白磷酸肽能促进宠物犬猫食欲并提高其对蛋白质和脂肪等的消化吸收率。
一种提高宠物消化功能蛋白磷酸制备方法

[发明专利]调平装置、调平方法和键合设备-CN202210293588.9在审
发明人：朱鸷 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种调平装置、调平方法和键合设备，所述调平装置包括：解耦单元，设置于所述上压盘的背向所述下压盘的一面上，所述解耦单元用于使得所述上压盘沿着Rx和Ry方向偏转；至少三组垂直调整单元，设置于所述上压盘和所述下压盘的外围本发明的技术方案使得上压盘与基片之间的平行度能够自适应调平，进而使得键合精度得到提高。
平装平方设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201710558135.3有效
发明人：刘剑 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明的方法增加了器件衬底临时解键合的工艺窗口，从而确保减薄后的器件衬底临时解键合工艺顺利进行。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[实用新型]一种晶圆解键合设备的刺破装置-CN202021993860.7有效
发明人：张昊;白龙 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体芯片制造技术领域，目的是提供一种晶圆解键合设备的刺破装置，能够检测刺破力和插刀进给距离，从而判断插刀插入位置是否合理，能及时保护晶圆。本实用新型解决了现有晶圆解键合设备的刺破装置缺少对刺破力和插入位置的检测，容易损坏晶圆的问题。
一种晶圆解键合设备刺破装置

[发明专利]具有抗肿瘤和免疫活性的海胆内容物多糖及制备方法-CN201010010129.2无效
发明人：白日霞;王长海;薛业;赵培余 -专利权人：大连民族学院
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C08B37/02 文献下载
摘要：本发明公开一种具有抗肿瘤和免疫活性的海胆内容物多糖(硫酸半乳葡聚糖)，是以海胆壳内的所有内容物为原料，经过热水浸提、酶解、过滤、化学提纯、沉淀、离子交换层析等工艺制备而成，分子结构特征是1→6键合半乳糖为主链，1→4键合葡萄糖为支链，半乳糖的O-2、O-4位置上连有硫酸基，是溶于水的乳白色粉末，分子结构式如下：n(n＝1786)。
具有肿瘤免疫活性海胆内容多糖制备方法

[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法-CN201910933910.8在审
发明人：曹立强;刘道祥;孙鹏 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括键合若干器件，形成一堆叠件，并在所述堆叠件的底部键合承载片；刻蚀所述堆叠件形成若干硅孔，并对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理；填充所述硅孔，并烧结填充物形成致密材料；依次进行平坦化、布线植球，最后解键合去除所述承载片该方法通过键合先将各个器件堆叠成型，然后形成硅孔，经填充即可实现硅孔互联结构的导通，且不会出现链接偏移、断路的现象，使硅通孔互联结构具有较好的可靠性。该方法可以减少制备步骤，缩短制备时间和成本。
互联结构硅通孔键合制备偏移承载片堆叠件填充填充物互连结构接触阻抗绝缘处理器件制备致密材料烧结断路平坦化布线侧壁导通叠件堆叠刻蚀链接通孔植球去除成型互联

[发明专利]一种背面键合玻璃载板的IGBT晶圆加工工艺-CN202111341009.5在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开一种背面键合玻璃载板的IGBT晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺；S2、蚀刻晶圆背面形成缓坡；S3、完成晶圆背面制程；S4、背面涂布聚酰亚胺，键合玻璃载板；S5、制作正面金属制程；S6、正面涂布聚酰亚胺，通过显影、固化、蚀刻后裸露出切割道；S7、通过蚀刻、激光完成切割，除去正面的聚酰亚胺；S8、贴附在切割模框上，解键合解除玻璃载板，去除粘着剂；S9、除去背面聚酰亚胺，使晶粒分离本发明在晶圆背面做缓坡状处理可以在边缘提供应力支撑，克服了背面回火温度的限制，同时本发明晶圆背面涂布聚酰亚胺并与玻璃载板键合，可以缓冲金属厚膜应力，确保薄晶圆在厚金属镀膜后不至翘曲破损。
一种背面玻璃 igbt 加工工艺

[发明专利]一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法-CN202111370657.3在审
发明人：袁渊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层
一种芯片尺寸微凸点制备方法