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- [发明专利]键合装置、键合装置的形成方法及键合方法-CN202310693688.5在审
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骆中伟;蓝天;华文宇
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芯盟科技有限公司
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2023-06-12
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2023-09-15
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H01L21/67
- 一种键合装置、键合装置的形成方法及键合方法，其中键合装置用于键合芯片和第一晶圆，所述第一晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆包括若干单元格区，当所述第一晶圆与所述衬底晶圆表面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于所述衬底晶圆表面的辅助层，各单元格区上的所述辅助层内具有凹槽，所述凹槽底部暴露出所述衬底晶圆表面，所述凹槽用于容纳所述芯片，所述凹槽相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了若干所述芯片与第一晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
- 装置形成方法
- [发明专利]动态随机存储器及其制作方法-CN202310594294.4在审
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骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2023-05-22
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2023-09-01
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H10B12/00
- 本发明涉及一种动态随机存储器及其制作方法。所述动态随机存储器包括：基底；存储阵列，位于基底上，存储阵列包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个存储单元；字线结构，包括沿第一方向间隔排布的多条字线，每条字线沿第二方向延伸且与沿第二方向间隔排布的多个存储单元电连接；字线引线结构，包括与多条字线一一对应电连接的多条字线引线，与相邻的两条字线分别电连接的两条字线引线错开设置；屏蔽结构，至少包括一个沿第二方向延伸的屏蔽层，屏蔽层位于沿第一方向相邻的两条字线之间。本发明改善了动态随机存储器的性能，并简化了动态随机存储器的制作工艺。
- 动态随机存储器及其制作方法
- [发明专利]键合装置及键合方法-CN202310696397.1在审
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骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2023-06-12
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2023-08-01
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H01L21/67
- 一种键合装置及键合方法，其中，键合装置用于键合芯片和晶圆，所述晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：载台，所述载台具有键合面，所述键合面包括若干单元格区，当所述晶圆与所述键合面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于各所述单元格区内的凹槽插口，所述凹槽插口用于容纳所述芯片，所述凹槽插口相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了所述芯片与晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
- 装置方法
- [发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202211258607.0在审
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骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2022-10-14
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2023-01-10
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H10B12/00
- 本申请提供了一种存储器结构及其制造方法，所述存储器的制造方法包括：提供一基底，所述基底包括具有第一端部的第一衬底、形成于所述第一衬底上的隔离层、及形成于所述隔离层上的第二衬底，所述第二衬底具有第二端部，所述第一端部与所述第二端部均沿远离所述隔离层方向相对设置；于所述第一衬底的所述第一端部形成多个第一存储单元；翻转所述基底，并于所述第二衬底的所述第二端部形成多个第二存储单元。上述技术方案，通过分别于所述第一衬底及所述第二衬底上形成在所述隔离层的相对两侧对称分布的所述第一存储单元与所述第二存储单元，减小了集成电路的面积，从而避免对产品良率造成不良影响。
- 存储器结构及其制造方法
- [发明专利]电容堆叠结构及其形成方法-CN202211258826.9在审
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骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2022-10-14
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2023-01-06
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H01L23/64
- 本申请提供了一种电容堆叠结构及其形成方法，所述方法包括：形成包括多个第一电容的第一电容层结构；于所述第一电容层结构的第一表面形成包括第二电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构，或于所述第一电容层结构的第二表面形成包括第一电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构，其中，所述第一电容层结构的第一表面与所述第一电容层结构的第二表面为两个相对的表面。上述技术方案，能够在在增高电容高度以增大电容容量的情况下，避免电容失效，解决堆叠结构的电容容量随晶体管尺寸缩小而减小的问题。
- 电容堆叠结构及其形成方法
- [发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法-CN202110723193.3有效
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华文宇;骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2021-06-28
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2022-07-12
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H01L27/108
- 一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：衬底，衬底包括若干沟道柱区，沟道柱区包括若干间隔排布的第一沟道柱和若干第二沟道柱，若干第一沟道柱具有第一中轴线，若干第二沟道柱具有第二中轴线，第一中轴线与第二中轴线不重合；位于第一沟道柱和第二沟道柱的表面的栅极氧化层；位于衬底上的若干字线，每个字线环绕覆盖一个沟道柱区中的若干第一沟道柱和若干第二沟道柱表面的栅极氧化层，使得在沟道柱区中最终形成的若干晶体管呈并联连接。由于在每个沟道柱区中相邻的第一沟道柱之间增加了一个第二沟道柱，能够提升动态随机存取存储器的集成度。另外第一中轴线与第二中轴线不重合，能够减少相邻晶体管之间发生短接问题。
- 动态随机存取存储器及其形成方法
- [发明专利]动态随机存取存储器的形成方法-CN202210062622.1在审
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刘藩东;华文宇;骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2022-01-19
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2022-04-19
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H01L21/8242
- 一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：形成沿所述第二方向贯穿所述有源区的第一沟槽和所述第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽均自所述第一面向所述第二面延伸，且所述第一沟槽位于所述字线区内，所述第二沟槽位于所述沟道区内；在所述第一沟槽侧壁形成字线栅结构和第一隔离结构，且各个所述第一沟槽内的两个字线栅结构之间由所述第一隔离结构相互隔离；在所述第二沟槽内形成第二隔离结构；形成所述字线栅结构、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行减薄处理，直至暴露出所述第二沟槽。所述第一沟槽和所述第二沟槽在同一次光刻工艺中形成，利于形成均匀的器件沟道，提高器件性能稳定性。
- 动态随机存取存储器形成方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111386146.0在审
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刘藩东;骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2021-11-22
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2022-02-25
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H01L21/8242
- 本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括晶体管阵列；所述制造方法包括：提供一晶圆，在所述晶圆上形成具有呈阵列排布的通孔的隔离层和第一掩膜层；在所述通孔内外延形成柱状导电沟道；去除所述第一掩膜层，以暴露所述晶体管阵列的所述柱状导电沟道的侧壁，所述柱状导电沟道的延伸方向垂直于所述晶圆表面；在所述晶体管阵列的各柱状导电沟道的侧壁形成环绕所述柱状导电沟道的栅极层；在所述晶体管阵列的各柱状导电沟道的所述延伸方向的两端分别形成晶体管的源极和漏极。本申请实施例提供的半导体器件的制造方法中，所形成的晶体管阵列的源极和漏极可以位于晶圆的不同面，能够极大地减小晶体管阵列的面积。
- 一种半导体器件及其制造方法
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