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- [发明专利]键合方法和键合结构-CN201910844589.6在审
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丁刘胜;王诗男
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-09-06
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2021-03-09
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B81C3/00
- 本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。
- 方法结构
- [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210726733.8在审
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陈帮;周云鹏;陶超;郭万里
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-06-23
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2022-09-02
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H01L21/68
- 本发明提供了一种键合装置及键合方法，通过拾取部从第一承载台上拾取第一待键合体，通过翻转部将拾取的第一待键合体从第一面向上翻转为第二面向上，通过键合头下部吸附翻转后的第一待键合体，并通过传送部将吸附有第一待键合体的键合头下部移动到键合头上部与第二承载台之间，进而在键合头上部与键合头下部连接之后，通过第二承载台在水平向的移动使得第一待键合体与第二承载台上的第二待键合体对准，并通过键合头上部带动吸附有第一待键合体的键合头下部沿垂向移动，以将第一待键合体键合于第二待键合体上本发明的技术方案使得在提高第一待键合体与第二待键合体的对准精度的同时，还能提高键合产能。
- 装置方法
- [发明专利]键合装置及键合方法-CN202210459985.9在审
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郭万里;周云鹏
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2022-04-24
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2022-08-12
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H01L21/60
- 本发明涉及一种键合装置及键合方法。所述键合装置包括具有空腔的键合头，所述空腔由键合头的底壁和侧壁围成，所述键合头的底壁用于吸附待键合的芯片，并将该芯片的下表面与一键合对象的上表面贴合，在进行贴合前，对所述空腔施加压力使所述键合头底壁变形，所述芯片的下表面的中间区朝向键合对象拱起，在进行贴合时，所述芯片的下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。所述键合方法在将芯片和键合对象贴合时，使所述芯片下表面的中间区先于边缘区与所述键合对象的上表面接触。相对于芯片下表面整体与键合对象直接接触，可以避免形成封闭气泡，降低键合面处出现空洞缺陷的概率，提升键合质量。
- 装置方法
- [发明专利]键合装置及键合方法-CN202310696397.1在审
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骆中伟
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芯盟科技有限公司
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2023-06-12
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2023-08-01
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H01L21/67
- 一种键合装置及键合方法，其中，键合装置用于键合芯片和晶圆，所述晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：载台，所述载台具有键合面，所述键合面包括若干单元格区，当所述晶圆与所述键合面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于各所述单元格区内的凹槽插口，所述凹槽插口用于容纳所述芯片，所述凹槽插口相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了所述芯片与晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
- 装置方法
- [发明专利]键合装置以及键合方法-CN202310804324.X在审
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程尧;阮扬
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武汉光迅科技股份有限公司
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2023-06-30
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2023-10-03
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H01L21/687
- 本申请提供一种键合装置以及键合方法，键合装置包括承载台以及固定组件；承载台包括键合区域；固定组件包括两个第一压爪以及至少一个第二压爪，两个第一压爪分别位于键合区域的相对两侧，第二压爪位于键合区域的与第一压爪相邻的一侧；本申请通过将待键合的芯片放置于承载台的键合区域内，采用固定组件对待键合的芯片进行固定，由于固定组件的两个第一压爪分别位于键合区域的相对两侧，第二压爪位于键合区域的与第一压爪相邻的一侧，所以可以对待键合的芯片形成至少三点支撑，且可以适配各种尺寸的待键合的芯片，既能够节约成本，又能够有效固定待键合的芯片，可以避免在键合过程中产品失效。
- 装置以及方法
- [发明专利]键合方法及键合结构-CN202310774100.9在审
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庄凌艺;季宏凯
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长鑫存储技术有限公司
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2023-06-27
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2023-10-10
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H01L21/60
- 本公开涉及一种键合方法及键合结构。所述键合方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一介质层、以及暴露于第一介质层的表面的第一导电层，第二晶圆包括第二介质层、以及暴露于第二介质层的表面的第二导电层；对第一晶圆和第二晶圆进行表面处理，形成覆盖第一介质层的第一键合层、以及覆盖第一导电层的第一处理层，并形成覆盖第二介质层的第二键合层、以及覆盖第二导电层的第二处理层；去除第一处理层和第二处理层，并键合连接第一键合层与第二键合层，以及键合连接第一导电层和第二导电层本公开增强了键合结构的键合强度。
- 方法结构
- [发明专利]键合方法以及键合结构-CN201510047292.9有效
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王之奇;王文斌;杨莹;王蔚
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苏州晶方半导体科技股份有限公司
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2015-01-29
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2017-01-04
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B81C3/00
- 本发明提供一种键合方法以及键合结构，其中键合方法包括：提供待键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面；在所述第一基板和/或第二基板的非键合面形成带有应力的材料层，并使所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反；在形成所述材料层之后，将所述第一基板和第二基板各自的键合面相对地设置，以将所述第一基板和第二基板相互键合本发明的有益效果在于，改善第一基板和第二基板之间的键合效果，减少基板因翘曲而报废的几率，以及基板因翘曲而在键合过程中被压坏的几率。
- 方法以及结构
- [发明专利]键合设备及键合方法-CN201810134295.X有效
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刘育
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上海微电子装备（集团）股份有限公司
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2018-02-09
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2021-05-07
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H01L21/67
- 本发明提供一种键合设备及键合方法，所述键合设备包括：供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统。通过所述供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统连续实现了第一芯片的交接，传输和测量功能，减少单个芯片的流转时间，能够高效的完成第一芯片与基底上对应的第二芯片的键合，提高产率。进一步的，所述键合设备的尺寸紧凑，结构更加简单，对准测量系统布局在框架及键合运动台上，电气布线更方便；使用所述键合方法，预先标定对准测量系统位置，实现所述供给运动台上第一芯片与所述键合运动台上对应的第二芯片的键合
- 设备方法
- [发明专利]键合方法及键合结构-CN202011080239.6有效
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王丽娟;胡陈诚
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长江存储科技有限责任公司
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2020-10-10
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2022-02-22
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H01L23/482
- 本发明实施例提供了一种键合方法及键合结构。其中，所述键合结构包括第一介质层；贯穿第一介质层的第一沟槽；位于第一沟槽侧壁的第一阻挡层；位于沟槽中的第一导电触点；位于第一导电触点底面的第二阻挡层；第二介质层；贯穿第二介质层的第二沟槽；位于第二沟槽侧壁的第三阻挡层；位于沟槽中的第二导电触点；位于第二导电触点顶面的第四阻挡层；位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的键合结合层；其中，所述第一导电触点和所述第二导电触点通过所述第二阻挡层和所述第四阻挡层的接触导电连接
- 方法结构
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