“纵向沟道”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果496098个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法-CN201010136068.4有效
发明人：张海鹏;苏步春;张亮;孙玲玲;张帆;李文钧 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。
纵向沟道 soi ldmos cmos vlsi 集成制作方法

[发明专利]太赫兹探测器及其制造方法-CN201811631501.4在审
发明人：赵自然;王迎新;陈猛;马旭明 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：公开了一种太赫兹探测器及其制造方法，该太赫兹探测器包括基底；以及至少一个探测单元，每个所述探测单元均包括：沟道材料，所述沟道材料设置在所述基底上，两个电极，两个所述电极分别与所述沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，和三维石墨烯，所述三维石墨烯与所述沟道材料直接或间接地热接触。本公开所提出的探测器通过将三维石墨烯作为吸收体，解决了沟道材料对太赫兹波吸收不足的问题，从而有效地提高了探测器的响应灵敏度。
沟道材料太赫兹探测器石墨烯三维探测单元电极探测器基底响应灵敏度欧姆接触太赫兹波吸收体有效地地热制造吸收

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN202210276258.9在审
发明人：孙昌志;夏志良;刘小欣;高庭庭;杜小龙;刘佳裔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供三维存储器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底上形有堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的牺牲层和绝缘层；沿垂直于衬底的纵向上形成贯穿堆叠结构的沟道孔；在沟道孔的内壁上形成第一功能层以及对应覆盖在第一功能层上的第二功能层，其中第一功能层包括沿围绕于沟道孔的中心轴线的方向上相互隔开的多个子电荷捕获层，第二功能层包括围绕于中心轴线的方向上相互隔开的多个子沟道层；在多个子沟道层的内表面上形成介质层，以使沟道孔被介质层填充。由于相互隔开的多个子沟道层形成多条存储串，一个子沟道层位于一个存储串中，不需要增加堆栈的层数就提高存储密度，相互隔开的多个子存储层避免相邻存储串之间发生串扰现象。
三维存储器件及其制造方法

[发明专利]一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管及制备方法-CN201611210307.X在审
发明人：宋庆文;刘思成;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的本发明提供的器件，在P‑漂移区采用纵向沟道JFET器件的沟道结构并以肖特基接触金属做为器件栅极来代替传统IGBT器件的上部结构，器件沟道区宽度为0.5～1.5μm。
一种纵向沟道 sic 肖特基栅双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT-CN202111000705.X有效
发明人：罗小蓉;张成;廖德尊;邓思宇;杨可萌;魏杰;贾艳江;孙涛;郗路凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路，并且集成了反向续流肖特基管，降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断纵向电流通路，实现器件增强型。正向导通时栅极加高电位，栅极侧壁形成反型层使纵向沟道导通，漂移区的多沟道导电通路和栅极下方形成的电子积累层均降低了导通电阻；正向阻断时，阻挡层辅助耗尽漂移区调制电场，降低电场尖峰，此外多沟道区域形成的极化电场可以进一步提高漂移区耐压
一种具有逆向能力 gan rc hemt

[实用新型]一种新能源汽车电源铜基板-CN201821738009.2有效
发明人：徐祖林 -专利权人：深圳市坤钰精工科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述硅铜微热管的下部与氮化铝基板的表面相连接，所述环氧树脂板的上部设置铜盖板，所述铜盖板的内壁上设置有电源槽，所述硅铜微热管包括硅基板和空气腔，所述硅基板的上部设置有空气腔，所述硅基板的上表面上设置有横向微沟道和纵向微沟道，所述横向微沟道和纵向微沟道之间交叉设计，所述空气腔的外表面还设置有均热铜盖板，装置利用均热铜盖板内部平行的导流结构能够降低微热管的平衡温度，同时缩小连接板之间的温差，提高均温性，延长了电源器件的使用寿命
微热管铜盖板硅铜氮化铝基板环氧树脂板硅基板空气腔新能源汽车电源横向微沟道上表面微沟道均热导流结构电源器件使用寿命电源槽均温性连接板铜基板内壁铜基温差平行平衡

[发明专利]一种GaN异质结纵向功率器件-CN201810455931.9在审
发明人：周琦;魏东;邓操;董长旭;黄芃;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN异质结纵向功率器件。本发明通过利用二维空穴气阻挡源极电子通过纵向栅控沟道注入到二维电子气沟道，实现器件增强型，且利用高迁移率的二维电子气沟道从而使纵向器件实现低导通电阻和大饱和电流；同时，浮空P型GaN埋层在GaN漂移区引入反偏
耗尽区反偏二维电子气沟道纵向功率器件异质结电力电子电路低导通电阻二维空穴气饱和电流电场分布反向电压反向耐压峰值电场高迁移率降低器件纵向器件漂移区体材料增强型纵向栅浮空沟道禁带埋层耐压源极耗尽掺杂体内阻挡引入

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011289258.X在审
发明人：金吉松;苏柏青;亚伯拉罕·庾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；沟道结构，分立于器件区的衬底上；电源轨道线，位于电源轨道区的衬底中；栅极结构，横跨沟道结构；源漏掺杂区，位于栅极结构两侧的沟道结构中；层间介质层，位于栅极结构的侧部；电源轨接触插塞，贯穿电源轨道线顶部的部分厚度层间介质层，沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触；源漏接触层，位于层间介质层中且与源漏掺杂区相接触，在与衬底平行的投影面上源漏接触层横跨电源轨道线。沿纵向电源轨接触插塞与电源轨道线的顶面全接触，增大了电源轨接触插塞沿纵向的尺寸、以及电源轨接触插塞与电源轨道线的接触面积，有利于减小电源轨接触插塞的电阻以及与电源轨道线的接触电阻。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法-CN201110001092.1有效
发明人：张海鹏;许生根;陈波;李浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有双纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现双纵向槽栅结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在n+源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。
制作集成纵向沟道 soi ldmos 器件方法

[实用新型]具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元-CN201120060193.1无效
发明人：张海鹏;许生根;刘怡新;吴倩倩;孔令军;汪洋;赵伟立 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p型埋层区、n型轻掺杂漂移区、p型阱区、p型欧姆接触区、n型源区、纵向栅氧化层、n型缓冲区、n型漏区、场氧区、纵向n型多晶硅栅极和金属电极引线。器件上部设置有深沟槽纵向栅氧化层、两个场氧化层、纵向n型多晶硅栅极以及金属层。本实用新型在n型轻掺杂漂移区与隐埋氧化层之间引入p型埋层区，当器件处于正向阻断态且漏源之间存在高压时，形成的反向偏置pn结能够承受器件绝大部分纵向耐压，提高了器件的纵向耐压性能，改善了器件电学特性的热稳定性
具有纵向沟道 soi nldmos 器件单元

[实用新型]具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元-CN201120060225.8无效
发明人：张海鹏;齐瑞生;汪洋;赵伟立;刘怡新;吴倩倩;孔令军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。
具有纵向沟道 soi ligbt 器件单元

[发明专利]电荷捕捉记忆单元-CN200410054548.0有效
发明人： F·劳;J·威尔勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供位于一半导体本体(1)顶部源极/漏极区域之间的沟道区域，其系横越于具有形成一凸起(7)的半导体材质之纵向。特别地，该凸起系为半圆柱形。这使得放射状电场之强度可均匀分布，且避免该沟道区域侧向边缘上的电场强度尖峰。一ONO储存层顺序(9)系位于该沟道区域与该栅极电极之间，以作为一字符线(10，11)的部分。
电荷捕捉记忆单元

[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构-CN201911306273.8在审
发明人：廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的一种新型数字门集成电路的结构为纵向N型或P型TMOS，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极区域可通过引线孔从外侧引出本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型数字门集成电路的结构，该结构的栅极环绕器件体区，当栅极加上合适的偏置时，会形成四面沟道，加大了栅控能力，提高了导通时的电流密度。且新结构的沟道区不由光刻工艺完成，沟道长度不再受到光刻精度的限制。同时，通过采用窄禁带材料做源区并在漏区前端加入N‑漂移区结构，实现器件的小面积、大电流、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度。
一种新型数字集成电路结构

[发明专利]超宽带光谱探测装置和方法-CN201911017236.5有效
发明人：赵自然;牛营营;王迎新;吴东;王楠林;张思捷 -专利权人：北京大学;清华大学
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种超宽带光谱探测装置和方法，其中的装置包括基底以及设置在基底上的至少一个探测单元；其中，探测单元包括设置在基底上的沟道材料层以及间隔设置在沟道材料层上的两个金属电极；两个金属电极包括源极电极和漏极电极；两个金属电极分别与沟道材料层的纵向方向的两端进行欧姆接触，金属电极与沟道材料层形成异质结。
宽带光谱探测装置方法

[发明专利]一种新型互补MOS集成电路基本单元-CN201911306288.4有效
发明人：李平;廖永波;胡兆晞;唐瑞枫;曾祥和;林凡;邹佳瑞;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的新型互补MOS集成电路基本单元采用一种新型的TMOS结构，该结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极半导体区域、沟道半导体区域以及漏极半导体区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型CMOS基本单元，实现大规模集成电路集成度的显著提高；以及由于加入了轻掺杂漂移区，能够有效提升器件的耐压，降低沟道长度减小对器件和电路耐压的影响。
一种新型互补 mos 集成电路基本单元

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条