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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有源矩阵式液晶电光器件以及具备该器件的摄象机-CN200610093447.3无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
有源矩阵液晶电光器件以及具备摄象机

[发明专利]有源矩阵式液晶电光器件以及具备该器件的摄象机-CN200410088064.8无效
发明人：山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1992-08-22 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(off set)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。
有源矩阵液晶电光器件以及具备摄象机

[实用新型]带沟道的变压器器身压板-CN201220040519.9有效
发明人：赵刚;朱传翔;黄小平 -专利权人：通变电器有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01F27/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种带沟道的变压器器身压板。在传统压板的一面上进行开槽，或粘贴绝缘纸板条（或其他绝缘材料条），形成纵向和横向导向沟道。这些沟道与线圈油道形成便于变压器油流通的路径，使变压器油能顺畅的流通，达到对线圈快速散热的目的。
沟道变压器压板

[发明专利]一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT-CN202210097619.3有效
发明人：罗小蓉;张成;廖德尊;邓思宇;杨可萌;贾艳江;魏杰;郗路凡;孙涛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明在传统GaN HEMT器件的基础上引入了MOS型沟道二极管作为续流二极管，漏源负压使槽型源极结构的侧壁形成电子积累层，纵向续流沟道开启，电流从阳极出发经过纵向沟道后通过势垒层二下方的横向2DEG通路到达阴极，反向续流主通路的导通压降基本不受栅驱动负压的影响；当漏源负压达到一定值时，传统HEMT的反向续流通路即势垒层一下方的横向2DEG沟道开启，进一步增加反向导通电流。此外多沟道结构形成的极化结也有利于提升器件耐压，解决了集成肖特基续流阻断时泄漏电流大且温度影响稳定性的问题。
一种具有逆向能力 gan rc hemt

[发明专利]利用特定晶体管取向的CMOS制造方法-CN01819761.2有效
发明人：马克·阿姆斯特朗;格哈德·施罗姆;克林·J·库恩;保罗·A·帕茨卡恩;苏尼特·D·佳格;斯科特·E·汤普森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-11-06 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成在基片上的晶体管的取向，是使电流在晶体管沟道内的流动方向平行于<100>方向。此外，在沟道上还施加纵向拉应力。
利用特定晶体管取向 cmos 制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710195980.9有效
发明人：森田健士;津村和宏 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在将N沟道型MOS晶体管作为静电保护元件的半导体装置中，N沟道型MOS晶体管构成为具有：纵向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向下方减小的3种不同的杂质浓度；横向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向沟道区域减小的3种不同的杂质浓度；以及杂质浓度最低的电场缓和区域，其与纵向的电场缓和区域和横向的电场缓和区域相接。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于快速估计场效应晶体管阵列中的依赖布图的阈值电压变化的方法-CN200880014235.9无效
发明人： V·莫罗兹;D·普拉玛尼克 -专利权人：新思科技有限公司
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：接着，该系统识别所选择的区域上的Si/STI边和沟道区域以及它们的关联的栅极/Si边。接着，识别每个标识的沟道区域中的阈值电压变化，其进一步需要以下步骤：计算由于纵向上的影响造成的阈值电压变化；计算由于横向上的影响造成的阈值电压变化；以及合并该纵向和横向变化以提供整体变化。最后，通过合并各个沟道变化来确定总变化。
用于快速估计场效应晶体管阵列中的依赖阈值电压变化方法

[发明专利]分度和同步夹具-CN201910465776.3有效
发明人： S·G·托纳皮;J·C·奥凯恩 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： E05B79/20 文献下载
摘要：基座和覆盖件限定了纵向延伸穿过覆盖件和基座的第一通道。筒体组件包括具有第一交互表面和第一螺纹沟道的第一筒体构件，和包括第二交互作用表面和第二螺纹沟道的第二筒体构件。第一交互作用表面和第二交互作用表面形成筒体交互作用表面，并且第一沟道和第二沟道限定穿过圆筒组件的第二通道。第一通道和第二通道具有共同的纵向轴线，并且筒体交互作用表面的旋转导致缆线穿过筒体组件的第二通道的纵向平移。
分度同步夹具

[发明专利]稳流管及制造方法-CN201310655018.0在审
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳流管，包括：形成于P+硅衬底正面表面的P型外延层；在P型外延层中形成有两个第一N型区，两个第一N型区之间的P型外延层组成纵向导通沟道，在纵向导通沟道底部区域的P型外延层中形成有第三N型区，在器件工作时，第三N型区能增加对纵向导通沟道底部区域的P型外延层的耗尽能力，从而能降低器件的夹断电压，本发明还能够通过增加纵向导电通道的宽度增加导通电流，通过第三N型区对器件的夹断电压的调节，本发明能够在导通电流的增加条件下
流管制造方法

[发明专利]车顶组件以及安装滤网构件的方法-CN201110022016.9有效
发明人： E·布尔斯马;M·C·A·雷洛;D·W·A·科克;L·G·M·维尔贝克 -专利权人：银娜珐天窗系统集团股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： B60J7/047 文献下载
摘要：车顶组件包括静止部分，其具有位于所述车顶开口两侧的纵向引导件。封闭件至少可在将车顶开口封闭的闭合位置与开启位置之间移动，在开启位置上，封闭件至少部分地敞开车顶开口。设置有封闭件操作机构，其用于开启和闭合封闭件，当开启和闭合封闭件时，操作机构在所述纵向引导件中滑动。纵向引导件至少都包括排水沟道和排水构件，排水构件用于将水从所述纵向排水沟道排出到排水软管中。每个排水构件的一端都与各自的排水沟道连通，相反的一端与对应的排水软管相连接，以形成排水道。设置了滤网构件，其用于捕集碎屑，但允许水流通过，该滤网构件在排水道中被设置在所述排水构件的上游。
车顶组件以及安装滤网构件方法

[发明专利]制造纵向MOS晶体管的方法-CN98803501.4无效
发明人： T·奥格勒;W·勒斯纳;D·贝哈默 -专利权人：西门子公司;波鸿鲁尔大学
申请日： 1998-03-11 - 公布日： 2000-04-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：为了制造具有最佳栅极重叠电容的纵向MOS晶体管,形成具有上层源/漏区(2’),沟道区(3’)和下层源/漏区(4’)的台面结构(6)。借助化学机械抛光,形成基本上覆盖下层源/漏区(2’)侧壁的绝缘结构。栅介质(14)和其高度基本上等于沟道区(3’)高度的栅电极(15)被形成在沟道区(3’)的侧壁上。
制造纵向 mos 晶体管方法

[发明专利]在双层底中具备热交换器的船舶-CN200910170499.X有效
发明人：彼得鲁斯·卡罗吕斯·约翰尼斯·凡索斯特 -专利权人：布洛克斯马有限公司
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： B63J2/08 文献下载
摘要：明确地说，所述热交换器设置在沟道中，所述沟道在所述船舶的双壁底部中在纵向方向上延伸。特定沟道的选择性关闭使得有可能基于被迫流动而在所述船舶正常操作期间在海上对所述沟道中存在的热交换器进行维护和修理。
双层具备热交换器船舶

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180049869.3在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层。沟道材料串的沟道材料形成于所述沟道开口中，且所述沟道材料形成于所述水平伸长的沟槽中。所述沟道材料从所述水平伸长的沟槽移除，且所述沟道材料串的所述沟道材料留在所述沟道开口中。在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向地沿着横向紧邻的所述存储器块区。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]一种平板微热管的落差式灌封装置和方法-CN201810376012.2有效
发明人：罗怡;王晓东;甲宸;于子程;李聪明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：密封步骤如下：将玻璃盖板下侧湿法腐蚀出不连续的条形灌封沟道，将硅基板上侧干法刻蚀出不连续的条形灌封沟道和微热管的内腔室，硅基板上灌封沟道与玻璃盖板的灌封沟道交错排布，液体流经玻璃盖板上的灌封沟道后，必须借助硅基板上的灌粉沟道再流回玻璃盖板上的灌封沟道，形成纵向落差式结构。
沟道灌封微热管玻璃盖板硅基板灌封装置不连续落差式硅基微器件干法刻蚀集成制造交错排布结构密封密封步骤湿法腐蚀纵向落差内腔室热冲击微器件下平面可用凸起封装灌注拓展

[发明专利]带半导体间隔件的鳍式晶体管-CN202111456312.X在审
发明人： J·P·冈比诺;K·A·斯图尔特;P·莫恩斯;D·T·普赖斯;D·欧曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该鳍片可以包括在近端与远端之间纵向延伸的介电部分，以及设置在介电部分上的半导体层。该半导体层可以在近端与远端之间纵向延伸。该晶体管还可包括设置在鳍片的近端处的源极区，以及设置在鳍片的远端处的漏极区。该晶体管还可包括设置在半导体层的沟道区上的栅极介电层。沟道区可以设置在栅极介电层与介电部分之间。沟道区可以纵向设置在源极区与漏极区之间。晶体管还可包括设置在栅极介电层上的导电栅极电极。
半导体间隔晶体管

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