“刘小欣”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果143个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有在三维存储器器件中的突出部分的沟道结构和用于形成其的方法-CN202080003480.0有效
发明人：耿万波;薛磊;刘小欣;高庭庭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：三维(3D)存储器器件包括存储器叠层和沿着垂直方向穿过存储器叠层延伸的沟道结构，存储器叠层包括导电层和与导电层交错的电介质层。沟道结构具有沿着横向方向突出并分别面向导电层的多个突出部分，以及分别面向电介质层而不沿着横向方向突出的多个正常部分。沟道结构包括分别在突出部分中的多个阻挡结构，以及分别在突出部分中并在多个阻挡结构之上的多个存储结构。阻挡结构中的每个阻挡结构的垂直尺寸与在阻挡结构之上的存储结构中的相应存储结构的垂直尺寸在名义上相同。
具有三维存储器器件中的突出部分沟道结构用于形成方法

[发明专利]一种选区激光熔化打印钛合金的方法-CN202310886386.X在审
发明人：曹章轶;樊恩想;吴欢欢;刘小欣;赵立晓 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区激光熔化打印钛合金的方法。其包括下述步骤：采用选区激光熔化打印机，将TC4钛合金粉末进行打印即可；粉末包括粒径0‑20μm细粉和75‑100μm粗粉；细粉质量占粗粉质量的10‑20％。本发明中，细粉和粗粉以特定配比混合，粗粉中的小空隙被细粉填充，粉末的堆积密度较高，流动性较好，基板上可以均匀铺展粉末，不仅扩大了电极感应熔炼雾化制备的钛合金粉末的使用范围，而且扩大了选区激光熔化用金属粉末粒度的使用范围，降低选区激光熔化用金属粉末的材料成本。本发明中在适合的工艺参数下，形成连续的熔融池，经SLM打印等工艺参数，可成形表面光滑、结构致密、力学性能良好的产品。
一种选区激光熔化打印钛合金方法

[实用新型]一种金属3D打印磨抛工装-CN202320762971.4有效
发明人：吴欢欢;樊恩想;刘小欣;曹章轶 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属3D打印磨抛工装，包括：支架、夹具和基板；夹具的一端与基板相连接，夹具的另一端设置有方形柱，方形柱上设置有贯穿的第一滑轨孔和第二滑轨孔，第一滑轨孔和第二滑轨孔的贯穿方向相垂直，支架包括悬臂杆，悬臂杆的一端与方形柱通过紧固件实现可调节连接，基板背离夹具的一面设置有待磨抛的样品。该金属3D打印磨抛工装可以一次性磨抛所有的样品，提高效率，节省大量时间，避免手拿样品进行磨抛，可实现磨抛试样在一个平面上，不会出现磨出多个平面，可保证基板不会飞出磨抛盘，保证了试验人员安全。
一种金属打印工装

[实用新型]一种无支撑一体化3D打印环孔喷嘴-CN202320756765.2有效
发明人：吴欢欢;樊恩想;刘小欣;曹章轶 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无支撑一体化3D打印环孔喷嘴，包括：底部法兰盘和气腔壳，其中，底部法兰盘上开设有导液管孔；气腔壳与底部法兰盘连接，气腔壳包括：内圈壁和外圈壁；导液孔贯穿底部法兰盘，内圈壁的一端环绕导液孔设置，导液孔、内圈壁和外圈壁均同轴设置；外圈壁上开设有进气孔，进气孔连通气腔和气腔壳外部的空间；内圈壁上开设有出气孔，出气孔连通气腔和气腔壳内部的空间。本实用新型更改设计，把环孔喷嘴和法兰盘进行一体化设计，使一体化的设计的喷嘴内部结构不需要添加支撑，避免了内部支撑去除难的问题，采用3D打印技术，能够直接制造出机加工无法加工出来的结构。
一种支撑一体化打印环孔喷嘴

[发明专利]具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法-CN202310732012.2在审
发明人：高庭庭;夏志良;刘小欣;杜小龙;孙昌志 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法。一种三维(3D)存储器器件包括掺杂半导体层、堆叠层结构、沟道结构和半导体结构。堆叠层结构包括形成在掺杂半导体层上的多条字线和选择栅极线。沟道结构沿着第一方向延伸穿过多条字线并且与掺杂半导体层接触。半导体结构沿着第一方向延伸穿过选择栅极线并且与沟道结构接触。选择栅极线沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，并且半导体结构周围的漏极选择栅极线与相邻半导体结构周围的漏极选择栅极线绝缘。半导体结构的宽度小于沟道结构的宽度。
具有划分选择栅极三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法、以及存储系统-CN202180019746.5在审
发明人： 刘小欣;薛磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请提供了三维存储器及其制备方法、存储系统，存储器包括：底部选择栅结构；设置于底部选择栅结构上的叠层结构，包括沿叠层结构的厚度的第一方向在其中延伸的沟道层，沟道层具有第一导电类型杂质；设置于叠层结构上的顶部选择栅结构，底部选择栅结构和顶部选择栅结构中的至少之一包括沿第一方向延伸并与沟道层连接、且具有与第一导电类型杂质相反的第二导电类型杂质的半导体结构。本申请提供的存储器通过在选择栅结构中设置与沟道层具有相反导电类型杂质的半导体结构，可在连接沟道层的导通电路中形成PN结势垒电容。因而可根据擦除、编程及读取操作需求，调制上述电容中空间电荷区的宽度，控制沟道层的导通速度，优化三维存储器的开断性能。
三维存储器及其制备方法以及存储系统

[发明专利]三维存储器器件以及用于形成所述三维存储器器件的方法-CN202180003163.3有效
发明人： 刘小欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件包括第一堆叠体结构、第一沟道结构、第二堆叠体结构和第二沟道结构。所述第一堆叠体结构包括交错的第一导电层和第一电介质层。所述第一沟道结构沿第一方向延伸穿过所述第一堆叠体结构。所述第一沟道结构包括第一半导体沟道和所述第一半导体沟道上方的第一存储器膜。所述第一存储器膜包括存储层。所述存储层被所述第一电介质层分隔成多个部分。
三维存储器器件以及用于形成方法

[发明专利]中间包坩埚、金属粉末气雾化装置和金属粉末气雾化方法-CN202310438465.4在审
发明人：樊恩想;刘小欣 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种中间包坩埚、金属粉末气雾化装置和金属粉末气雾化方法，所述中间包坩埚包括坩埚本体、密封件和导液管，所述导液管设置在所述坩埚本体的底板上，所述导液管与所述坩埚本体的内腔相连通，所述密封件被设置成能移动至所述导液管内并封闭所述导液管的入口。本发明通过限制导液管的上端面低于底板的第二部分的上端面，中间包坩埚内金属熔液实时接触到导液管的上端面并将热量传输至导液管的其他部分，从而对导液管的整体进行预热，防止金属熔液在导液管处产生较多热损失，且使金属熔液达到金属粉末雾化需求的过热度。
中间坩埚金属粉末雾化装置方法

[发明专利]具有划分的漏极选择栅极线的三维存储器器件及其形成方法-CN202180001876.6有效
发明人：高庭庭;夏志良;刘小欣;杜小龙;孙昌志 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件包括掺杂半导体层、堆叠层结构、沟道结构和半导体结构。堆叠层结构包括形成在掺杂半导体层上的多条字线和选择栅极线。沟道结构沿着第一方向延伸穿过多条字线并且与掺杂半导体层接触。半导体结构沿着第一方向延伸穿过选择栅极线并且与沟道结构接触。选择栅极线沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，并且半导体结构周围的漏极选择栅极线与相邻半导体结构周围的漏极选择栅极线绝缘。半导体结构的宽度小于沟道结构的宽度。
具有划分选择栅极三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器及制造三维存储器的方法-CN202310286799.4在审
发明人： 刘小欣;夏志良;刘威;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明实施方式提供了一种三维存储器。该三维存储器包括外围电路芯片和存储阵列芯片，外围电路芯片包括：第一衬底；第一电路元件层，设置在第一衬底上，并且包括第一器件层，第一器件层包括多个高压晶体管；第二衬底，设置在第一电路元件层上，且第二衬底与第一电路元件层接触；以及第二电路元件层，设置在第二衬底上，并且包括第二器件层，第二器件层包括多个低压晶体管；存储阵列芯片设置在第二电路元件层上。
三维存储器制造方法

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202110120468.4有效
发明人：高庭庭;刘小欣;薛磊;夏志良;伍术;耿万波;杜小龙;孙昌志 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供具有堆叠体的第一衬底，堆叠体包括多层牺牲层和多层隔离层，堆叠体具有台阶结构，堆叠体中除台阶结构以外的区域中具有贯穿至第一衬底的沟道阵列，台阶结构中形成有贯通至第一衬底的伪沟道孔；在台阶结构中形成绝缘层，并在伪沟道孔中形成介电填充层，绝缘层位于介电填充层与牺牲层之间。在形成栅极堆叠结构和共源极以得到存储器阵列并将存储器阵列与CMOS电路键合后，利用供氢层生成的氢气对沟道结构中的半导体材料进行修复时，上述氢气会在上述介电填充层进行扩散并对其进行钝化，从而有效地避免了现有技术中由于氢气直接通过伪沟道孔扩散至外围电路而对其造成的影响。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN202080003197.8有效
发明人：高庭庭;薛磊;刘小欣;耿万波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本公开的各方面提供了一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。穿过半导体器件的衬底之上的堆叠层形成沟道孔。沟道孔的侧壁沿着垂直于衬底的竖直方向延伸。在沟道孔中形成沿着竖直方向延伸的栅极电介质结构、沟道层和电介质结构。栅极电介质结构可以沿着沟道孔的侧壁形成，并且电介质结构可以形成在沟道层之上。可以将沟道层分离成沟道层区段以形成沟道结构，该沟道结构包括栅极电介质结构和用于相应晶体管串的沟道层区段。
三维半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维存储器的形成方法-CN202010407263.X有效
发明人：黄波;薛磊;薛家倩;高庭庭;耿万波;刘小欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有牺牲层、以及位于所述牺牲层表面的堆叠层，沟道孔贯穿所述堆叠层和所述牺牲层并延伸至所述衬底内，所述沟道孔内填充有电荷存储层和沟道层，所述堆叠层中还具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠层并暴露所述牺牲层的沟槽；形成保护层于所述沟槽的侧壁表面，所述保护层相对于所述电荷存储层和所述牺牲层均具有刻蚀选择性；沿所述沟槽的底部选择性去除所述牺牲层和部分的所述电荷存储层；形成覆盖所述衬底表面和所述沟道层侧面的外延层。本发明在选择性去除牺牲层和电荷存储层的过程中，不会对堆叠层造成损伤，改善了三维存储器的电性能。
三维存储器形成方法

[发明专利]熔炼坩埚及用于真空气雾化制粉的翻转浇注熔炼系统-CN202310226726.6在审
发明人： 刘小欣;樊恩想;赵立晓;吴欢欢;曹彰轶;邬悦群 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔炼坩埚及用于真空气雾化制粉的翻转浇注熔炼系统，熔炼坩埚包括坩埚本体和隔热衬套，隔热衬套的内壁上沿周向设有环形槽，环形槽内设有多个沿环形槽周向分布的滚珠，坩埚本体设于隔热衬套内，坩埚本体的外壁与滚珠抵接且坩埚本体能相对隔热衬套转动。本发明的熔炼坩埚在进行金属熔体浇注时，坩埚本体会自动随着熔炼坩埚的倾倒发生转动，使浇口始终处于下方，保证金属熔体相对于中间包的倾倒口位置不变，进而使金属熔体的液注在浇铸过程中始终与中间包的中轴线在同一直线上，避免金属熔体溅落在中间包内壁或者陶瓷浇口等温度较低的位置，造成过热度损失，导致雾化导液管堵塞，或者降低气雾化制粉的细粉率。
熔炼坩埚用于空气雾化制粉翻转浇注系统

[发明专利]三维存储器及制备方法、存储系统-CN202211174501.2在审
发明人： 刘小欣;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器及制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，三维存储器包括阵列器件和第一外围器件。阵列器件包括：第一基底、存储堆叠结构和栅线隔离结构。存储堆叠结构设置在第一基底上，包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层。栅线隔离结构包括多个导电部和第一绝缘层，多个导电部中的每个导电部穿存储堆叠结构和第一基底，第一绝缘层设置在导电部与栅极层之间，以及相邻的导电部之间。第一外围器件设置在第一基底远离存储堆叠结构的一侧。导电部延伸至第一外围器件，并与第一外围器件电连接。
三维存储器制备方法存储系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
下一页»
尾页
共 143 条