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[发明专利]一种新型互补MOS集成电路基本单元-CN201911306288.4有效
发明人：李平;廖永波;胡兆晞;唐瑞枫;曾祥和;林凡;邹佳瑞;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种新型互补MOS集成电路基本单元，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的新型互补MOS集成电路基本单元采用一种新型的TMOS结构，该结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极半导体区域、沟道半导体区域以及漏极半导体区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极可通过刻槽的方式从外侧引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型CMOS基本单元，实现大规模集成电路集成度的显著提高；以及由于加入了轻掺杂漂移区，能够有效提升器件的耐压，降低沟道长度减小对器件和电路耐压的影响。
一种新型互补 mos 集成电路基本单元

[发明专利]一种新型DRAM集成电路的结构-CN201911306287.X有效
发明人：廖永波;李平;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种新型DRAM集成电路的结构，涉及集成电路技术和半导体技术。本发明是基于一种新型的纵向柱状TMOS器件结构,最下层为N+掺杂衬底和N‑外延层作为漏极，中间是P外延层作为栅极沟道，最上方是N+锗硅外延层作为源极。柱状结构的外圈被氧化层包围，其中三面覆盖多晶硅层作为栅极，剩下一面覆盖金属层与MOS管的漏极形成电容。多晶硅上有一个引线孔，接字线。锗硅层上是另一个引线孔，接位线。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种DRAM结构，提供一种新型DRAM集成电路的结构，实现器件的小面积、高电流密度、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度、存取速度，以及实现器件和集成电路安全工作电压的提高，而器件和集成电路的功耗仍比传统的器件和集成电路的功耗低。
一种新型 dram 集成电路结构

[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构-CN202111304647.X在审
发明人：廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种新型数字门集成电路的结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明由并列设置的至少两个纵向MOS管构成，所述纵向MOS管包括顺次重叠的漏区、漂移区、沟道区、源区，栅介质区环绕沟道区，在各个纵向MOS管中，包括至少一个MOS管串联组，所述MOS管串联组在电路关系上由一个PMOS管和一个NMOS管串联构成；在空间结构关系上，同一个MOS管串联组中的PMOS管和NMOS管共用同一个栅电极区；所述PMOS管的漏区和源区为p+半导体，漂移区为p‑半导体，沟道区为n+半导体；所述NMOS管的漏区和源区为n+半导体，漂移区为n‑半导体，沟道区为p+半导体。本发明实现了器件的小面积、大电流、低导通电阻。
一种新型数字集成电路结构

[发明专利]一种源区自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法-CN202110249557.9在审
发明人：李平;胡兆晞;廖永波;聂瑞宏;彭辰曦;李垚森;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术和集成电路领域，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的纵向基本单元结构，为了进一步提高集成度，本发明专利提出了一种新型的纵向器件结构的制造工艺和实现方法。由于更多地利用纵向上的空间，也通过源区自对准的特殊工艺，免去了器件表面开孔的面积占用，每个器件在平面维度上几乎只占用了源栅漏电极的有效区域，而不需要多余的面积占用，集成度大大提高。
一种对准垂直沟道 mos 集成电路单元及其实现方法

[发明专利]一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构-CN202011236857.5在审
发明人：廖永波;聂瑞宏;李平;彭辰曦;李垚森;冯轲;杨智尧;刘金铭;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;邹佳瑞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种新型的辐照离子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明是一种基于体硅增强型NMOS，并通过STI浅槽隔离在P衬底的有源区沟道之间增加一个辐照敏感区，该区域主要是由SiO2组成，当MOS位于工作状态且辐照总剂量较大时，在SiO2辐照敏感区感生出电子，从而形成漏源之间的漏电通道，以此来实现检测辐照的目的。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构，通过计算器件的漏极电流Id，从而测量外界辐照总剂量的大小及外界的辐照影响。
一种 mos 开关辐射离子探测器器件结构

[发明专利]一种辐射粒子探测器器件结构-CN202011242677.8在审
发明人：廖永波;彭辰曦;李平;聂瑞宏;李垚森;冯轲;杨智尧;刘金铭;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;邹佳瑞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种辐射粒子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的辐射粒子探测器器件结构在p型硅衬底表面设置有掺杂区，导电沟道和STI区，其中绝缘的STI区将导电沟道隔离开。本发明解决的技术问题是：提供一种辐射粒子探测器器件结构，在未受到辐照时，器件不导通，没有电流流过。在受到一定剂量的辐照后，STI区内产生大量正电荷，在STI与硅衬底交界面附近感应出一圈反型层，作为导电沟道，器件导通。本发明中的器件工作在p阱中，与其他器件隔离，且兼容CMOS工艺，可集成度高，可用于在太空空间中探测辐照。
一种辐射粒子探测器器件结构

[发明专利]一种垂直沟道SRAM集成电路结构-CN202010580478.1在审
发明人：廖永波;李平;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;林凡;聂瑞宏;彭辰曦;冯珂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的SRAM由6个新型MOS管构成，每个MOS管是纵向结构，设置有锗硅材料源极、沟道、轻掺杂漏极以及环形栅。本发明所要解决的关键技术问题是：利用一种新型MOS管设计SRAM基本单元。新型MOS管共栅极，用锗硅做源极，可以省去金属通孔和互联线的面积。轻掺杂漏极可以提高耐压，不再依赖特征尺寸。四面环形栅极增大对沟道的控制能力，减小阻抗。纵向结构通过外延生长，避免了多次光刻，节省了工艺流程和成本。
一种垂直沟道 sram 集成电路结构

[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构-CN201911306118.6在审
发明人：廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻，突破了摩尔定律，消除了寄生BJT，大幅减小了器件面积；同时，优化了工艺实现流程，使器件实现的工艺简化，且不再受光刻精度的限制。
一种通电 mosfet 理想开关结构

[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构-CN201911306273.8在审
发明人：廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种新型数字门集成电路的结构，涉及半导体器件及集成电路技术领域。本发明的一种新型数字门集成电路的结构为纵向N型或P型TMOS，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极区域可通过引线孔从外侧引出。可用此基本单元构成与门、与非门、或非门。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型数字门集成电路的结构，该结构的栅极环绕器件体区，当栅极加上合适的偏置时，会形成四面沟道，加大了栅控能力，提高了导通时的电流密度。且新结构的沟道区不由光刻工艺完成，沟道长度不再受到光刻精度的限制。同时，通过采用窄禁带材料做源区并在漏区前端加入N‑漂移区结构，实现器件的小面积、大电流、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度。
一种新型数字集成电路结构

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