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[发明专利]一种半导体晶圆键合工艺-CN201710879044.X在审
发明人：林文浩;江富杰;李司元 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆键合工艺，包括以下步骤(1)提供需要实施键合的第一晶圆和第二晶圆，在第一晶圆和第二晶圆之间的表面点涂有固态的隔离物，用于隔离晶圆；(2)提供一负压环境，将所述第一晶圆与所述第二晶圆堆叠放置，施加至少一压力在所述第一晶圆和所述第二晶圆的中心区域上；(3)对第一晶圆和第二晶圆实施晶圆键合；对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。
一种半导体晶圆键合工艺

[发明专利]基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法-CN201810337094.X在审
发明人：陈琳;王天宇;何振宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微凸块，所述顶部晶圆的连线与所述底部晶圆的微凸块相互对应连接，在所述顶部晶圆与所述底部晶圆之间的空隙填充有绝缘材料；顶部晶圆背面安装有彩色滤光片和微透镜。本发明利用上下两衬底互连的结构制备了新型3D堆叠图像传感器，有效解决了传统TSV技术不适用于光电二极管阵列的问题，具有理想的全局快门功能，能够实现超过160dB的寄生光灵敏度和超高速捕获等。
晶圆堆叠图像传感器互连制备互连线上表面微凸块半导体技术领域光电二极管阵列全局快门功能彩色滤光片发明传感器光灵敏度晶圆背面绝缘材料空隙填充有效解决超高速微透镜衬底寄生键合连线捕获

[发明专利]芯片的封装结构及封装方法-CN202111045687.7在审
发明人：崔雍;廖龙忠;朱延超;宋洁晶;付兴中;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的下表面设有与信号连接压点对应电连接的信号引出压点以及与接地压点对应连接的接地引出压点；位于上层的晶圆级芯片的信号引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的信号连接压点键合，位于上层的晶圆级芯片的接地引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的接地压点对应本发明通过GaN工艺和晶圆级键合技术将多个晶圆级芯片堆叠为一体，实现GaN单片微波集成电路的晶圆级封装，提高了芯片的集成度。
芯片封装结构方法

[发明专利]一种3D NAND闪存结构及其制作方法-CN201710727923.0有效
发明人：张坤;刘藩东;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存的制作方法，本发明的制作方法包括以下步骤：提供经过具有外延生长的第一晶圆；提供不具有外延生长的第二晶圆；将所述第一晶圆与所述第二晶圆连接为一体。通过制备具有外延生长的第一晶圆和不具有外延生长的第二晶圆两种不同类型的晶圆来实现晶圆之间的堆叠连接，这样就克服了目前制备沟道工艺对于N/O堆叠结构的层数限制，进而减少外延生长困难和外延生长缺陷；由于具有外延生长的第一晶圆不需要制备
一种 dnand 闪存结构及其制作方法

[发明专利]粘接的晶圆片堆叠和电镀粘接的晶圆片堆叠的方法-CN201210022462.4有效
发明人：邹泉波;U·斯瑞达;A·S·科尔卡;X·应 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片结构，其包括第一晶圆片堆叠和配置在其上的第一粘接层。所述晶圆片结构还包括第二晶圆片堆叠，其包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。所述第二晶圆片叠层包括从所述第一表面延伸到所述第二粘接层的硅通孔(TSVs)。在所述第一表面上布置有种子层，其与所述硅通孔接触。
晶圆片堆叠电镀方法

[发明专利]堆叠式背面照明SPAD阵列-CN202010293004.9有效
发明人：万代新悟;C·L·尼克拉斯;N·卡拉萨瓦;范晓峰;A·拉弗莱奎尔;G·A·阿格拉诺弗 -专利权人：苹果公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及堆叠式背面照明SPAD阵列。更具体而言，公开了背照式单光子雪崩二极管SPAD图像传感器，其包括垂直堆叠在电路晶圆上方的传感器晶圆。传感器晶圆包括一个或多个SPAD区域，其中每个SPAD区域(400)包括阳极梯度层(402)、定位成与SPAD区域的前表面相邻的阴极区域(404)、以及定位在阴极区域之上的阳极雪崩层(408)。每个SPAD区域通过晶圆间连接器连接到电路晶圆中的电压源和输出电路。深沟槽隔离元件424用于在SPAD区域之间提供电隔离和光隔离。
堆叠背面照明 spad 阵列

[发明专利]一种存储结构及其形成方法-CN201711048535.6在审
发明人：华子强;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储结构及其形成方法，该形成方法包括提供硅晶圆，硅晶圆包括堆叠结构以及位于堆叠结构外围的外围电路，堆叠结构包括多晶硅层和氧化物层依次层叠的堆叠阵列以及贯穿堆叠阵列的通道结构，硅晶圆中包括具有悬空键的硅离子；在硅晶圆表面形成第一覆盖层；在悬空键处键合预设离子，预设离子活化能大于1H的活化能，和/或，预设离子的质量大于1H的质量，以增强预设离子与Si离子之间形成的键合键的强度，降低存储结构受到外界刺激时，预设离子与所述硅离子之间形成的键合键被破坏的稳定性
一种存储结构及其形成方法

[发明专利]堆叠式FPGA的制作方法以及堆叠式FPGA-CN202111199618.1在审
发明人：侯彬;谢永宜 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路技术领域，公开了堆叠式FPGA的制作方法以及堆叠式FPGA。该方法包括：对FPGA的功能电路进行分类，至少得到第一电路和第二电路，第一电路以及第二电路的参数信息不同；将第一电路采用第一种制作工艺进行制作，得到至少一个第一FPGA晶圆；将第二电路采用第二种制作工艺进行制作，得到至少一个第二FPGA晶圆；将至少一个第一FPGA晶圆和至少一个第二FPGA晶圆层叠设置，得到堆叠式FPGA。通过上述方式，能够提升制作FPGA的产品良率，降低对FPGA的最大曝光面积的要求，且单个FPGA晶圆的成本降低，同时降低FPGA的开发成本，缩短开发周期。
堆叠 fpga 制作方法以及

[发明专利]带有玻璃基板的半导体器件及其制造方法-CN201410204303.5有效
发明人： C·冯克布林斯基;U·法斯特纳;P·佐恩;M·奥托维茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，该方法包括提供一个堆叠，该堆叠包括半导体晶圆和玻璃基板，该玻璃基板包括开口和附着到该半导体晶圆的至少一个沟槽。该半导体晶圆包括多个半导体器件。至少在该沟槽和该开口暴露的侧壁和该半导体晶圆的半导体器件的未被覆盖的区域上，形成金属层。通过在该开口和该沟槽中电镀金属，随后研磨该玻璃基板除去该沟槽，形成金属区域。该半导体晶圆和所附着的玻璃基板的堆叠被切割以分离该半导体器件。
带有玻璃半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种晶圆级光学系统及应用其的激光微型投影设备-CN201911256481.1有效
发明人：马宏 -专利权人：觉芯电子（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级光学系统及应用其的激光微型投影设备，所述光学系统包括空间晶圆构成的光学框架结构和光学晶圆结构；所述空间晶圆构成的光学框架结构为多个半导体晶圆通过半导体加工技术堆叠形成的支撑结构，用于支撑所述光学晶圆结构；所述光学晶圆结构与所述空间晶圆构成的光学框架结构键合；所述光学晶圆结构包括与所述空间晶圆键合的光学晶圆本体，以及在所述光学晶圆表面形成的光学结构。
一种晶圆级光学系统应用激光微型投影设备

[实用新型]半导体结构-CN201822028160.3有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；m个硅通孔，穿透所述堆叠结构，位于所述金属导线之间，所述硅通孔包括：第一部分，具有小于所述金属导线的间距的第一直径；第二部分，具有大于所述金属导线的间距的第二直径，耦接于所述第一部分的上表面且与所述第一部分中心对齐，侧壁与部分所述晶圆或芯片的所述金属导线相交。本公开的半导体结构可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接。
金属导线堆叠结构晶圆半导体结构芯片布线层硅通孔一次掩模中心对齐电连接上表面侧壁衬底多层键合刻蚀制程耦接穿透相交制作

[发明专利]一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件-CN202210059782.0在审
发明人：丁飞;戴风伟;王启东;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的方法实现多层芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆涂覆保护胶层；在涂胶晶圆的反面分别贴承载膜和支撑环；对贴膜晶圆进行一次划片；去除划片芯片的正面的保护胶层；对目标晶圆的正面和其中一个待激活芯片的正面进行等离子激活；对激活芯片的背面和承载膜进行解键合；将其中一个去膜芯片的正面与激活目标晶圆的正面进行倒装预键合；重复进行多层芯片的堆叠；待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的多层芯片至晶圆的混合键合方法可实现多层芯片至晶圆直接混合键合。
一种多层芯片至晶圆混合方法三维堆叠器件

[发明专利]覆晶堆叠的方法-CN201380036940.X有效
发明人：权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种覆晶堆叠的方法，其包含形成(201)一空腔晶圆(301)，其包括多个空腔(303)以及一对转角导轨(305)；放置(203)一直通硅穿孔(TSV)中介片在该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV使得该焊接凸块位于该多个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置(205)一集成电路(IC)晶粒(109)在该TSV中介片的另一表面上，使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该焊接凸块会形成一已堆叠的中介片单元(113)；从该空腔晶圆处移除(207)该已堆叠的中介片单元；以及将该已堆叠的中介片单元的该焊接凸块粘结(209)至一有机基板(101)，使得该已堆叠的中介片单元与该有机基板会形成覆晶(300)。
堆叠方法

[发明专利]一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件-CN202111107815.6在审
发明人：丁飞;戴风伟;王启东;曹立强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆反面进行减薄和贴承载膜；对待划片晶圆进行一次划片和清洗，得到多个待激活芯片；对待激活芯片以及目标晶圆进行激活等离子激活，得到激活芯片和激活目标晶圆本发明的芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件可实现芯片至晶圆直接混合键合。
一种芯片至晶圆直接混合方法三维堆叠集成器件

[发明专利]多层堆叠电阻转换存储器的制造方法-CN201010186449.3有效
发明人：张挺;马小波;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过键合法实现的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造含有外围电路和电阻转换存储器的第一圆晶；制造表面有低电阻率重掺杂半导体层的第二圆晶；键合第一圆晶和第二圆晶，通过后续的工艺去除第二圆晶多余部分半导体，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离等工艺；继续在键合圆晶上制造选通单元和电阻转换存储单元，获得的多层堆叠电阻转换存储器中的重掺杂半导体为字/位线。
多层堆叠电阻转换存储器制造方法

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