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[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法-CN202310588044.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器及氮化镓限幅器的制备方法。该氮化镓限幅器包括：三级限幅电路，三级限幅电路按照氮化镓限幅器的主传输线的信号传输方向依次接入主传输线；第一级限幅电路中包括2N个氮化镓PIN二极管；任意N个氮化镓PIN二极管串联，构成两个氮化镓PIN二极管串，第一氮化镓PIN二极管串的阳极端连接主传输线，阴极端接地，第二氮化镓PIN二极管串的阴极端连接主传输线，阳极端接地；第二级限幅电路中包括四个氮化镓肖特基二极管；第三级限幅电路中包括两个氮化镓肖特基二极管。本发明能够提升整个氮化镓限幅器的功率容量和击穿电压。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器-CN202310587065.X在审
发明人：吕元杰;梁士雄;郝晓林;宋洁晶;胡泽先;刘飞飞;刘京亮;徐森锋;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓限幅器的制备方法及氮化镓限幅器。该方法包括：在N‑GaN层外延生长后在第一预设位置上刻蚀得到PIN二极管台面；在N‑GaN层上暴露区域的第二预设位置进行刻蚀，在N+GaN层上得到肖特基二极管台面；在N+GaN层上暴露区域的第三预设位置刻蚀进行台面隔离；在N+GaN层的暴露区域上制备欧姆接触；在N+GaN层和P+GaN层上的暴露区域，以及N+GaN层和N‑GaN层上的暴露区域制作电极，得到氮化镓限幅器。本发明能够通过刻蚀方式可以快速得到氮化镓限幅器，污染少，制备得到的氮化镓限幅器功率容量大、击穿电压高且性能好。
氮化限幅器制备方法

[发明专利]芯片的封装结构及封装方法-CN202111045687.7在审
发明人：崔雍;廖龙忠;朱延超;宋洁晶;付兴中;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的下表面设有与信号连接压点对应电连接的信号引出压点以及与接地压点对应连接的接地引出压点；位于上层的晶圆级芯片的信号引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的信号连接压点键合，位于上层的晶圆级芯片的接地引出压点与相邻下层的晶圆级芯片的接地压点对应、且键合。本发明通过GaN工艺和晶圆级键合技术将多个晶圆级芯片堆叠为一体，实现GaN单片微波集成电路的晶圆级封装，提高了芯片的集成度。
芯片封装结构方法

[发明专利]一种碳化硅器件的离子注入方法-CN201811391500.7有效
发明人：秦龙;宋洁晶;胡泽先;高渊;高昶;孙虎;赵红刚;吕鑫;朱延超;高三磊;王强栋;吕树海;刘相伍 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。
一种碳化硅器件离子注入方法

[发明专利]GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件-CN201810168889.2有效
发明人：默江辉;王川宝;苏延芬;崔雍;宋洁晶;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO2层；去除所述SiO2层中与第一区域对应的部分；所述SiO2层剩余的区域中与第二栅漏区对应的部分朝向所述栅电极区的表面为具有第一倾斜角度的斜面；依次去除所述SiO2层和SiN层与源电极区对应的部分和漏电极区对应的部分；在所述器件的上表面与源场板区对应的部分生长第三厚度的金属层；所述金属层覆盖所述SiO2层与所述第二栅漏区对应部分的斜面。通过本发明制备的场板结构为楔形结构，能够显著提高管芯击穿电压和抑制电路崩塌的作用，从而显著提高器件的性能。
gan hemt 器件源场板制备方法

[发明专利]改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法-CN202010955734.0在审
发明人：崔雍;周国;朱延超;宋洁晶;付兴中;张力江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种改善GaAs接地孔内金属应力的通孔及制备方法，该方法包括：在正面工艺制备完成的晶圆背面的预设区域进行通孔刻蚀，刻蚀终止在第二外延层上；对刻蚀的通孔内的第一外延层和第二外延层进行横向腐蚀；对通孔孔底区域对应的第二外延层进行刻蚀，形成台阶状形貌，刻蚀终止在底层金属上；在晶圆背面和通孔内溅射种子层，在种子层上制备电镀层，腐蚀掉晶圆背面的电镀层和种子层。通过设计并制作通孔形貌，减缓金属镀层在孔内的应力集中点分布，解决了由于金属镀层应力集中导致GaAs开裂和电镀层脱落的问题，且改善GaAs接地孔内金属应力的通孔制备方法的操作简单、可重复性好，能够满足批产的要求。
改善 gaas 接地金属应力制备方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件及制备方法-CN201810184656.1有效
发明人：张力江;高渊;高昶;王国清;宋洁晶;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种GaN HEMT器件及制备方法，包括衬底，衬底上表面由下至上依次设有GaN外延层和栅介质层，还包括贯穿栅介质层与GaN外延层接触的栅极、源电极和漏电极；栅介质层包括不同性质的第一栅介质层和第二栅介质层；第一栅介质层上开设有第一栅槽，第二栅介质层上开设有第二栅槽，第一栅槽与第二栅槽位置对应；栅极包括填充满第一栅槽和第二栅槽的栅金属，以及设置于第二介质层上表面的栅帽；源电极和漏电极位于栅极两侧。本发明通过在两种不同性质的栅介质层对应位置上开设侧壁陡直的双凹槽结构栅槽，有效降低栅寄生电容，提高器件频率特性。
一种 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]GaN HEMT器件的通孔制备方法-CN201810168894.3在审
发明人： 宋洁晶;谭永亮;胡多凯;李飞;周国;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去除所述介质层与第一通孔区对应的部分，露出势垒层，形成一个第一通孔；在形成第一通孔后的所述晶圆的源电极区制作正面源电极；依次去除所述SiC衬底与第二通孔区对应的部分、所述GaN外延层与第二通孔区对应的部分和所述势垒层与第二通孔区对应的部分，形成一个第二通孔；在所述SiC衬底的下表面和所述第二通孔的侧壁和顶壁上均生长第一金属层，所述第一金属层与所述正面源电极相连本发明能够精确控制通孔尺寸，提高通孔刻蚀工艺的一致性和稳定性。
通孔势垒层通孔区源电极衬底晶圆第一金属层上表面去除制备半导体技术领域一致性和稳定性衬底上表面刻蚀工艺生长介质介质层下表面侧壁顶壁生长制作

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