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[发明专利]用于高带宽电力输送的跨电感器调压器-CN202310450008.7在审
发明人：蒋帅;李昕;权云星;杨正中;王琼;金楠勋;米哈伊尔·波波维奇;甘后乐;南辰浩 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本公开涉及用于高带宽电力输送的跨电感器调压器。提供具有多个主级和至少一个加速调压器(AVR)桥接器的调压器。主级可以响应于低频电流瞬变并提供DC输出电压调节。AVR桥接器与主级相比被开关快得多并且响应于高频电流瞬变，而无需调节DC输出电压。AVR桥接器频率响应范围可以与主级频率响应范围重叠，并且AVR桥接器所响应的最低频率可以设置为低于主级所响应的最高频率。
用于带宽电力输送电感器调压器

[发明专利]有源硅D2D桥-CN202310097479.4在审
发明人：乔治斯·康斯塔迪尼迪斯;权云星;李在植;特克久·康;金鎭永;苏卡尔帕·比斯瓦斯;贺彪;沈柔政 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本公开涉及有源硅D2D桥。微电子系统可以包括：基底，其具有第一表面；一个或多个中介层，其安装到并且电气地连接到该第一表面；第一和第二专用集成电路(ASIC)，其各自至少部分地覆盖并且电气地连接到中介层中的一个；多个高带宽存储器元件(HBM)，其各自至少部分地覆盖并且电气地连接到中介层中的一个；以及有源硅桥，其安装到并且电气地连接到该第一表面，并在第一和第二ASIC之间提供电气连接，该有源硅桥在其中具有有源微电子器件。该微电子系统可以配置成使得第一和第二ASIC以及有源硅桥各自在其中具有纯数字CMOS接口。在ASIC和有源硅桥之间提供电气连接的多个凸块可以配置成接收通过其中的串行数据。
有源 d2d

[发明专利]用于最佳XPU插槽压缩的改进的结构-CN202310027449.6在审
发明人：小威廉·F·爱德华兹;左旭;浦田良平;梅勒妮·博谢敏;权云星;山本新之介;甘后乐;沈柔政 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本公开涉及用于最佳XPU插槽压缩的改进的结构。一种组件包含印刷电路板(“PCB”)。孔径延伸穿过该PCB。该组件还包含引脚阵列和处理器封装。该引脚阵列围绕该孔径的周界延伸，并且该处理器封装在该孔径上方延伸。该处理器封装通过压缩力偶压靠在该引脚阵列上。
用于最佳 xpu 插槽压缩改进结构

[发明专利]带有光子和竖直电力输送的ASIC封装-CN202211375397.3在审
发明人： 权云星;纳姆胡恩·金;特克久·康;浦田良平 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本公开涉及带有光子和竖直电力输送的ASIC封装。IC封装可以包括基板。IC管芯可以安装到基板。一个或多个光子模块可以附接到基板，并且一个或多个串行化器/并行化器(SerDes)接口可以将IC管芯连接到一个或多个光子模块。IC管芯可以是专用集成电路(ASIC)管芯，并且一个或多个光子模块可以包括光子集成电路(PIC)和光纤阵列。一个或多个光子模块可以安装到一个或多个附加基板，该附加基板可以经由一个或多个插座附接到基板。
带有光子竖直电力输送 asic 封装

[发明专利]带有光子和竖直电力输送的ASIC封装-CN202010817738.2有效
发明人： 权云星;纳姆胡恩·金;特克久·康;浦田良平 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本申请涉及一种带有光子和竖直电力输送的ASIC封装。IC封装可以包括基板。IC管芯可以安装到基板。一个或多个光子模块可以附接到基板，并且一个或多个串行化器/并行化器(SerDes)接口可以将IC管芯连接到一个或多个光子模块。IC管芯可以是专用集成电路(ASIC)管芯，并且一个或多个光子模块可以包括光子集成电路(PIC)和光纤阵列。一个或多个光子模块可以安装到一个或多个附加基板，该附加基板可以经由一个或多个插座附接到基板。
带有光子竖直电力输送 asic 封装

[发明专利]冷却数据中心中的电子设备-CN201980043200.6有效
发明人：马德胡苏丹·克里希南·延加尔;克里斯托弗·格雷戈里·马隆;李元;约尔格·帕迪拉;权云星;特克久·康;诺曼·保罗·约皮 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种服务器托盘封装，包括：包括多个数据中心电子设备的母板组件；和液体冷板组件。液体冷板组件包括：安装到母板组件的基部，该基部和母板组件限定至少部分地包围该多个数据中心电子设备的空间；和顶部，该顶部安装到基部，并且包括热量传递部件，该热量传递部件包括第一数目的入口端口和第二数目的出口端口，该第一数目的入口端口和该第二数目的出口端口与通过热量传递部件限定的冷却液体流动路径流体连通，入口端口的第一数目与出口端口的第二数目不同。
冷却数据中心中的电子设备

[发明专利]具有热增强的三维IC封装-CN202111661804.2在审
发明人： 权云星;魏小进;马德胡苏丹·K·延加尔;特克久·康 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及具有热增强的三维IC封装。一种IC内核包括适合于具有增强的热控制和管理的三维IC封装的温度控制元件。温度控制元件可以被形成为IC内核的整体部分，该整体部分可以在操作中时辅助IC内核的温度控制。温度控制元件可以包括散热材料，该散热材料设置在温度控制元件中，以辅助消散由IC内核中的该多个设备在操作期间产生的热能。
具有增强三维 ic 封装

[发明专利]用于高带宽存储器的集成电路封装-CN202110795659.0在审
发明人：纳姆胡恩·金;权云星;特克久·康;沈柔政 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及用于高带宽存储器的集成电路封装。一种集成电路封装，包括：衬底，其被配置为在衬底上接收一个或多个高带宽存储器(HBM)堆栈；中介层，其被定位在衬底上并且被配置为在中介层上接收逻辑裸片；多个中介层通道，其形成在中介层中并且将逻辑裸片连接到一个或多个HBM堆栈；以及多个衬底迹线，其形成在衬底中并且被配置为将多个中介层通道对接到一个或多个HBM堆栈。
用于带宽存储器集成电路封装

[发明专利]用于芯片组件的热管理的方法和热分配装置-CN202110603840.7在审
发明人：马德胡苏丹·K·延加尔;克里斯托弗·马隆;权云星;伊马德·萨马迪亚尼;梅勒妮·博谢敏;帕丹姆·贾殷;特克久·康;李元;康纳·伯吉斯;诺曼·保罗·约皮;尼古拉斯·斯特文斯-余;王莹瑛;杨智 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：本公开涉及用于芯片组件的热管理的方法和热分配装置。根据本公开的一个方面，一种示例微电子装置组件包括：基板、电连接到基板的微电子元件、覆盖在基板上的加强件元件、以及覆盖在微电子元件的后表面上的热分配装置。所述加强件元件可以围绕微电子元件延伸。所述加强件元件可以包括具有第一热膨胀系数(“CTE”)的第一材料。加强件元件的表面可以面向热分配装置。所述热分配装置可以包括具有第二CTE的第二材料。第一材料可以与第二材料不同。所述加强件元件的第一材料的第一CTE可以大于热分配装置的第二材料的第二CTE。
用于芯片组件管理方法分配装置

[发明专利]嵌入在封装基板中的深沟槽电容器-CN202011371069.7在审
发明人：金楠勋;特克久·康;斯克特·李·柯克曼;权云星 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开涉及嵌入在封装基板中的深沟槽电容器。在一些方面，芯片封装包括集成电路裸片，该集成电路裸片具有用于集成电路的一个或多个电路的配电电路。芯片封装还包括与集成电路不同的基板，并且该基板具有其上安装有集成电路裸片的第一表面，和与第一表面相对的第二表面。基板包括形成在第一表面或第二表面中的至少一个表面中的一个或多个腔。芯片封装还包括被设置在该一个或多个腔的至少一个腔中的一个或多个深沟槽电容器。每个深沟槽电容器通过导体连接到配电电路。
嵌入封装中的深沟电容器

[发明专利]覆晶堆叠的方法-CN201380036940.X有效
发明人： 权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种覆晶堆叠的方法，其包含形成(201)一空腔晶圆(301)，其包括多个空腔(303)以及一对转角导轨(305)；放置(203)一直通硅穿孔(TSV)中介片在该空腔晶圆上，该TSV中介片具有被耦合至该TSV中介片的一表面的多个焊接凸块(107)，使得该焊接凸块位于该多个空腔中，而该TSV中介片位于该对转角导轨之间；放置(205)一集成电路(IC)晶粒(109)在该TSV中介片的另一表面上，使得该IC晶粒、该TSV中介片、以及该焊接凸块会形成一已堆叠的中介片单元(113)；从该空腔晶圆处移除(207)该已堆叠的中介片单元；以及将该已堆叠的中介片单元的该焊接凸块粘结(209)至一有机基板(101)，使得该已堆叠的中介片单元与该有机基板会形成覆晶(300)。
堆叠方法

[发明专利]用于堆栈式硅晶互连技术产物的无基板插入物技术-CN201480012979.2有效
发明人： 权云星;苏芮戌·瑞玛林嘉;金纳胡;金重浩 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种用于堆栈式硅晶互连技术(SSIT)产物(200)的无基板插入物(201)，其包含多个金属化层(109)，该金属化层的至少一最底层含有多个金属节段(111)，其中每一个该多个金属节段(111)是构成于该金属化层(109)的最底层的顶部表面与底部表面之间，并且该金属节段(111)是由该最底层中的介电材料(113)所分隔；以及一介电层(203)，其是经构成于该最底层的底部表面上，其中该介电层(203)含有一或更多开口以供接触于该最底层的多个金属节段(111)。
用于堆栈式硅晶互连技术产物无基板插入

[发明专利]多层核心有机封装衬底-CN201480014597.3在审
发明人：金纳胡;金重浩;苏芮戌·瑞玛林嘉;保罗·Y·吴;权云星;丹尼斯·C·P·伦 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种多层核心有机封装衬底(400)包含：多层核心(409)，其包括至少两个有机核心层(411、413)，其中所述至少两个有机核心层(411、413)中的两个由核心金属层(401)分隔开；第一多个堆积层(207)，其形成于所述多核心层(409)的顶部上；以及第二多个堆积层(207')，其形成于所述多核心层(409)下方。
多层核心有机封装衬底

[发明专利]半导体封装件-CN201010622415.4有效
发明人：张衡善;权云星;赵泰济;姜芸炳;金晶焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片，具有第一表面、第二表面和像素区域；第一粘合图案，设置在第一表面上；第二粘合图案，设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上；多个外部连接端子，设置在第二表面上，其中，第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。
半导体封装

[发明专利]具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法-CN200810161102.6无效
发明人：张衡善;姜芸炳;权云星;权容载;李忠善;李东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。
具有通孔硅半导体封装相关制造方法

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