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[发明专利]功率半导体模块-CN202310684786.2有效
发明人：张斌;岳扬;周祥;张海泉;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体模块，变换电路，所述变换电路由至少一个半导体开关器件构成；IMS，IMS包括：图形层、绝缘层和金属层，图形层包括至少一个金属箔片区域，半导体开关器件焊接在金属箔片区域中；金属线，用于实现图形层中的电气连接；外壳，四周具有多个规律排布的金属键合端子，外壳的金属键合端子与图形层的金属键合端子通过超声波键合的方式进行键合，外壳内部注入硅凝胶，外壳通过硅橡胶与IMS粘连。本发明采用IMS作为产品基板，可以使变换电路的走线更加自由，且可以扩展固定尺寸中的电路可用面积，从而可以在同体积尺寸的模块内部封装更高功率的芯片，并且降低了逆变回路各相的杂散电感及各相之间的差异。
功率半导体模块

[发明专利]一种防静电芯片座-CN202210326140.2在审
发明人：魏楠;刘振;许海涛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种防静电芯片座，包括固定于带有电极和引脚的基板上的新材料芯片和防静电元件，所述新材料芯片固定于所述基板的第一表面且与所述电极连接，所述防静电元件固定于所述基板第一或第二表面且与所述电极连接，所述电极与所述引脚电连接。所述新材料芯片为碳基材料芯片或二维材料芯片。本发明提供的防静电芯片座能在超出工作电压的静电放电情况下，启用防静电元件，有效导通进行放电，从而全方位最大程度保护新材料芯片，特别是碳基材料、二维材料芯片免受静电放电伤害。
一种静电芯片

[发明专利]复合载板、制备方法及半导体封装方法-CN202311003500.6在审
发明人：黎明 -专利权人：上海易卜半导体有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本公开涉及复合载板、制备方法及半导体封装方法，其中，复合载板用作晶圆级或板级扇出封装过程中的支撑载板，该复合载板包括：第一支撑层、第二支撑层和应力吸收层；应力吸收层位于第一支撑层和第二支撑层之间。由此，将该复合载板应用于半导体封装工艺，第一支撑层和第二支撑层用于向封装体提供支撑力，应力吸收层用于吸收封装过程中产生的应力，从而减少或消除晶圆翘曲，有利于降低后续晶圆处理工序的难度，还有利于降低翘曲对载板尺寸以布线精度的影响。
复合制备方法半导体封装

[发明专利]功率半导体模块-CN201710652090.6有效
发明人： J.舒德雷;U.维穆拉帕蒂;M.贝里尼;J.沃贝基 -专利权人：奥迪股份公司;日立能源瑞士股份公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：功率半导体模块（10）包含：至少一个功率半导体芯片（14），提供功率电子设备开关；和半导体晶圆（12），至少一个功率半导体芯片（14）结合至半导体晶圆（12）；其中，对半导体晶圆（12）进行掺杂，使得半导体晶圆（12）包含场阻塞区域（25）和场阻塞区域（25）上的导电区域（18），至少一个功率半导体芯片（14）结合至所述导电区域（18）。
功率半导体模块

[发明专利]半导体封装衬底、包含其的半导体封装以及制造其的方法-CN202310015018.8在审
发明人：孙秀娟;李鎭宇;刘浩相;张辰燮 -专利权人：海成帝爱斯株式会社
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装衬底。半导体封装以及制造半导体封装衬底的方法。本公开的实施例提供一种半导体封装衬底，包含：基底衬底，包含裸片垫部分和引线部分；金属催化剂层，布置在基底衬底上；以及石墨烯层，布置在金属催化剂层上。
半导体封装衬底包含以及制造方法

[实用新型]一种功率模块及电极端子-CN202320780390.3有效
发明人：张小兵;廖光朝 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块及电极端子，该模块包括外框、电极端子和装配于所述外框内用于电路布局的陶瓷覆铜板，所述电极端子包括第一段和第二段，所述第一段被用于安装于所述外框上，所述第二段的一端与所述第一段连接，另一端延伸一段长度后向下弯折形成用于与陶瓷覆铜板电气连接的连接段；所述电子端子的第一段装配于所述外框上，第二段位于所述陶瓷覆铜板上方且连接段能够接触到所述陶瓷覆铜板用于与所述陶瓷覆铜板实现电气连接。本实用新型减少了DBC上覆铜通过蚀刻走线到外框边缘再连接的方式；解决了DBC在有限面积内，路布局走线的难点及过流能力不足的问题；减少了在DBC上走线布局，降低了杂散电感和阻容不匹配的问题。
一种功率模块电极端子

[发明专利]具有得到改进的电接触的线路基座装置-CN201880087474.0有效
发明人： T·维萨;A·梅尔;S·于内 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种线路基座装置，该线路基座装置包括：包含铝的基础层（2）、包含铜的线路层（3）、布置在所述基础层（2）与所述线路层（3）之间的电介质层（4）、穿过所述基础层（2）、线路层（3）和电介质层（4）来伸展的开口（5）以及所述基础层（2）与所述线路层（3）之间的电触头（6），其中所述电触头（6）包括铆钉（7），其中在所述铆钉（7）与所述基础层（2）之间构造有传力锁合的连接，并且其中在所述铆钉（7）与所述线路层（3）之间构造有材料锁合的连接（9）。
具有得到改进接触线路基座装置

[发明专利]功率模组的集成封装结构及其集成封装方法-CN202310420736.3在审
发明人：黄海波;崔守俊;陈立国;索旭;梅世亮;姜德胜;杨渊智 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模组的集成封装结构及集成封装方法，包括金属芯基板、塑封层、半导体IC和线路层基板，所述金属芯基板包括金属基底和树脂绝缘层，所述半导体IC包括分别位于所述线路层基板的上下两侧的功率IC和非功率IC，所述功率IC和非功率IC均与所述线路层基板电连接，所述树脂绝缘层内部设有第一导电通孔，第一导电通孔的两端分别设有第一电极片和第二电极片，第一电极片和第二电极片均被嵌入到所述树脂绝缘层中，且所述第一电极片的一面裸露于外面，所述第二电极片的一面裸露于所述封闭空间中，且所述第二电极片与所述线路层基板电连接。该发明增强了电力连接的机械可靠性，同时又消除了电子封装的外部引脚，有利于封装的集成化发展。
功率模组集成封装结构及其方法

[发明专利]复合基板及其制造方法-CN202210263542.2在审
发明人：曾彦凯;江柏萱;江瑞凤 -专利权人：鸿创应用科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合基板及其制造方法，本发明所提供的复合基板及其制造方法藉由在载板及基板间设置复数中间层，不但得以确保层体间有良好的键结作用力，更得以调控层体间的热膨胀系数差异，进而避免基板容易断裂等缺陷。
复合及其制造方法

[发明专利]模拟封装模块及其制备方法、芯片封装结构的制备方法-CN202311028822.6在审
发明人：郝俊峰;郭良奎;沈思涛;张章龙 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟封装模块及其制备方法、芯片封装结构的制备方法，模拟封装模块的制备方法包括：形成若干个模拟芯片，模拟芯片包括：透明衬底、透明键合层和模拟芯片互连件；若干模拟芯片构成模拟芯片单元；在支撑载板的一侧表面形成爬行键合层；在部分爬行键合层的表面形成模拟互连盘；将若干个模拟芯片设置在爬行键合层的一侧，透明键合层和爬行键合层之间形成毛细填充空间；在毛细填充空间中形成模拟底填胶层，包括：在模拟芯片单元的周缘和/或模拟芯片之间的间隙处涂覆模拟底填胶液，模拟底填胶液在毛细填充空间爬行过程中和模拟底填胶液接触到的表面形成接触角小于90度的浸润表面。模拟封装模块的制备方法的可靠性提高。
模拟封装模块及其制备方法芯片结构

[发明专利]一种模拟芯片及其制备方法-CN202311028824.5在审
发明人：郝俊峰;郭良奎;沈思涛;张章龙 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟芯片及其制备方法，模拟芯片包括：透明衬底；位于透明衬底的一侧表面的透明键合层；位于部分所述透明键合层背离所述透明衬底一侧表面的模拟芯片连接件。采用所述模拟芯片能全流程监控以实现对底填胶液的点胶量和底填胶液的涂覆路径的可行性验证。
一种模拟芯片及其制备方法

[发明专利]玻璃板上的铜连接玻璃模块-CN202310224883.3在审
发明人：托马斯·爱德华·邓根 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：提供玻璃板上的铜连接玻璃模块。一种设备包含：一或多个裸片；由第一材料形成的中介层，所述中介层耦合到所述一或多个硅裸片，所述中介层包括形成在所述中介层的一侧上的互连层，其中所述互连层包含多个铜互连件；以及衬底，其包括顶层、玻璃芯及底层，其中所述中介层的所述互连层与所述衬底的所述顶层铜接合。
玻璃板连接玻璃模块

[发明专利]用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法-CN202010299486.9有效
发明人：郭小军;陈苏杰;李明 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及柔性电子制造技术领域，尤其涉及一种用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法。所述用于可拉伸电子装置的基底包括：弹性衬底；底层应变缓冲层，嵌入所述弹性衬底内部；顶层应变缓冲层，贴附于所述弹性衬底表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置；所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。本发明通过底层应变缓冲层可以有效的减小应变集中效应，通过顶层应变缓冲层可以使得电子器件区域不发生应变，从而提高了可拉伸电子装置的稳定性和可靠性。
用于拉伸电子装置基底及其制备方法

[发明专利]用于包括底部冷却式半导体功率开关器件的功率级组件的基板-CN202310012400.3在审
发明人：卢俊诚;侯若宇;迪克森·安德鲁 -专利权人： GAN系统公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种用于功率级组件的多区基板，该功率级组件包括至少一个底部冷却式半导体功率开关器件、和驱动器元件，该多区基板用于集成在公共基板上。第一区提供用于安装至少一个底部冷却式半导体开关器件的电气连接部和热焊盘，该第一区包括电介质层和传导层，用于提供针对热性能进行优化的功率基板。第二区提供用于安装驱动器元件的电气连接部，该第二区包括电介质层和传导层，该电介质层和传导层提供针对电气性能进行优化的驱动器基板。例如，该第一区包括具有第一热阻的单层金属互连结构，该第二区包括具有第二热阻的多层金属互连结构，该第一热阻小于该第二热阻。该功率级组件可包括多区基板，该多区基板被配置用于单开关、半桥或全桥开关拓扑结构。
用于包括底部冷却半导体功率开关器件组件

[发明专利]无曲率绝缘胶基板及其加工工艺-CN202310670088.7在审
发明人：张佰龙;刘广海;曲赫然;贾国;赵轶夫;何咏欣;叶千峰 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开一种无曲率绝缘胶基板及其加工工艺，该基板包括金属基板层、绝缘胶层和正面金属层，所述绝缘胶层涂覆于金属基板层上表面，所述正面金属层粘接于绝缘胶层上表面，于正面金属层上表面加工有多条线路，相邻线路之间具有蚀刻槽间隔，每条线路分别具有线面和线底，每条线路的线面线宽小于线底线宽，相邻的两条线路之线底呈弧形延伸于蚀刻槽底部，且绝缘胶层露出于蚀刻槽底部将相连两条线路之线底隔开。因此，通过将金属基板层、绝缘胶层和正面金属层层叠结合构成基板，该无曲率绝缘胶基板的曲率可调整为纯平，解决了大功率器件散热问题，提高了产品的运行稳定性，工艺简单，生产效率高，提高生产效率低，能够有效保证产品的一致性。
曲率绝缘胶基板及其加工工艺

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