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[发明专利]三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法-CN201010152466.5有效
发明人：张挺;马晓波;宋志棠;刘旭焱;刘波;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种三维立体多层堆叠的电阻转换存储器的制造方法，所述方法包括如下步骤：在制造有外围电路和电阻转换存储阵列的表面依次沉积粘附层和金属层，辅助以化学机械抛光进行平坦化，形成需要键合的圆晶一；制造键合所需的圆晶二工艺如下：在圆晶上形成PN层，并进行激活处理，随后表面依次沉积粘附层和金属层，并平坦化；圆晶键合圆晶一和圆晶二；通过后续的工艺去除圆晶二多余部分，可采用背面腐蚀、抛光、或者退火剥离工艺。本发明还包括一种制造肖特基二极管选通的三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法。本发明不仅能够使工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性和较少的缺陷，有望在三维立体堆叠中获得大规模的应用。
三维立体堆叠电阻转换存储器制造方法

[实用新型]一种晶圆测试结构-CN201621354110.9有效
发明人：谢涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆测试结构，所述晶圆测试结构围绕在所述晶圆周围，包括所述晶圆测试结构包括多组掺杂衬底，以及位于所述掺杂衬底上方的多组堆叠的金属层，所述堆叠的金属层之间通过顶层金属层和第二金属层进行顺次连接通过本实用新型提供的一种晶圆测试结构，解决了现有的DCM结构无法侦测到晶圆衬底损伤的问题。
一种测试结构

[发明专利]晶圆运输盒-CN202210858117.8在审
发明人：金相振 -专利权人： 3S韩国株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆运输盒，其特征在于，包括：下部壳体(200)，包括底板(201)和一个以上的下部挡边(210)，所述一个以上的下部挡边(210)垂直形成于所述底板(201)的上表面以形成弧形的壁，以在内部空间(A)中堆叠晶圆；上部壳体(100)，包括顶板(101)和上部挡边(110)，所述上部挡边(110)垂直形成于所述顶板(101)的下表面以形成弧形的壁；及侧壁部件(300)，结合于所述下部挡边(210)的内侧，其中，当所述上部壳体(100)与下部壳体(200)结合时，所述侧壁部件(300)固定堆叠在所述内部空间(A)中的晶圆。根据本发明，可以提供一种为了使在移动晶圆时产生的振动和冲击等均匀地维持在最小而具有固定堆叠晶圆的固定手段的晶圆运输盒。
运输

[发明专利]晶圆运输盒-CN202210858846.3在审
发明人：金相振 -专利权人： 3S韩国株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供晶圆运输盒，其特征在于，包括：下部壳体(200)，包括底板(201)和一个以上的下部挡边(210)，所述一个以上的下部挡边(210)垂直形成于所述底板(201)的上表面以形成弧形的壁而在内部空间(A)中堆叠晶圆；及上部壳体(100)，包括顶板(101)和上部挡边(110)，所述上部挡边(110)垂直形成于所述顶板(101)的下表面以形成弧形的壁，所述下部挡边(210)以预定间隔包括朝向内侧面的一个以上的突出部件(215)，当所述上部壳体(100)与下部壳体(200)结合时，所述突出部件(215)固定堆叠在所述内部空间(A)中的晶圆。根据本发明，可以提供为了使在移动晶圆时产生的振动和冲击等均匀地维持最小而具有固定堆叠晶圆的固定手段的晶圆运输盒。
运输

[实用新型]晶圆暂存装置-CN200820156054.7有效
发明人：张文锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种晶圆暂存装置，包括晶圆载具，所述晶圆载具具有供承载晶圆且相互堆叠的多个承载层，在所述晶圆载具上装配供遮蔽外侧的承载层的防护件。本实用新型所提供的晶圆暂存装置，使得晶圆载具上所承载的晶圆得以遮盖并避免直接暴露于外界环境下，防止外界环境下的微尘沾染于晶圆表面。
暂存装置

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN201910532042.2有效
发明人：曾甜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种键合结构及其制造方法中，在进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合时，可以从第n片晶圆的键合面进行第一边缘修整，第一边缘修整的宽度为Wn，随着n的增大，第一边缘修整宽度可以逐渐增大，这是因为在晶圆边缘部位，通常不够平整，导致晶圆在键合时存在缝隙，在对晶圆进行边缘修整后，可以去除第n片晶圆的边缘处不平整的部分，将第n片晶圆的键合面朝向第n‑1片晶圆的键合面，进行第n片晶圆与第n‑1片晶圆的键合，降低晶圆键合界面之间存在缝隙的可能，提高晶圆间的键合强度，再进行第n片晶圆衬底的减薄，以形成第n‑1晶圆堆叠，由于相邻晶圆之间的键合强度较大，因此形成的晶圆堆叠的可靠性较高
一种结构及其制造方法

[发明专利]晶圆切割方法-CN202210376505.2有效
发明人：刘天建;田应超;曹瑞霞;任小宁 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿所述最顶部的晶圆的切割道焊盘进行切割以在所述晶圆键合结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿至少一个晶圆并暴露出最底层的晶圆的衬底；在所述第一沟槽内填充第二氧化层；在所述第二氧化层上形成混合键合界面；去除所述第一沟槽内的第二氧化层；以及，对所述最底层的晶圆的衬底进行切割。解决了切割多层堆叠的晶圆时，熔渣堆积严重导致后续无法有效去除的问题。
切割方法

[实用新型]晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构-CN201821793680.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构。晶圆堆叠结构包括：第一晶圆，上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘；第一下重布线层，包括电连接于第一焊盘的第一布线；第一上重布线层，包括电连接于第一布线的第二布线，第二布线具有第一引线垫；第二晶圆，底面键合于第一上重布线层本公开提供的晶圆堆叠结构可以提高具有堆叠结构的芯片的制造良品率。
布线电连接重布线层焊盘晶圆堆叠芯片堆叠结构堆叠结构硅通孔引线垫晶圆第二信号良品率上表面底面键合种晶芯片制造

[发明专利]集成电路组件、处理器和片上系统-CN202310673218.2在审
发明人：张喆;李双辰;许晗;卓有为;魏学超;牛迪民;郑宏忠 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种集成电路组件、处理器和片上系统，所述集成电路组件包括至少两层晶圆层，每层晶圆层包括正面与背面，其中，在所述至少两层晶圆层中，第一层晶圆层与第二层晶圆层正面对正面堆叠，所述第二层晶圆层和所述第三晶圆层依次为正面对背面堆叠，所述第二层晶圆层经过硅通孔、重布线层以及混合键合处理，所述至少两层晶圆层通过各层的硅通孔、重布线层以及混合键合进行相互连接。
集成电路组件处理器系统

[发明专利]用于形成三维存储器件的方法-CN201880005574.4有效
发明人：张坤;刘藩东;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：方法可以包括形成器件晶圆，其包括：形成贯穿器件晶圆的第一交替堆叠层的第一沟道孔(140)、于第一沟道孔(140)的底部上形成外延层(160)、以及于第一沟道孔(140)的侧壁上形成第一沟道层(180)。方法还可以包括：形成至少一个连接晶圆，每个连接晶圆包括贯穿第二交替堆叠层的第二沟道孔(340)，所述连接晶圆在第二沟道孔(340)的底部上不具有外延层(160)；以及将至少一个连接晶圆与器件晶圆键合，使得在每个连接晶圆中的第二沟道孔(340)的侧壁上的第二沟道层(380)与器件晶圆中的第一沟道层(180)电连接。
用于形成三维存储器件方法

[发明专利]用于形成三维存储器件的方法-CN202010202904.8有效
发明人：张坤;刘藩东;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：方法可以包括形成器件晶圆，其包括：形成贯穿器件晶圆的第一交替堆叠层的第一沟道孔(140)、于第一沟道孔(140)的底部上形成外延层(160)、以及于第一沟道孔(140)的侧壁上形成第一沟道层(180)。方法还可以包括：形成至少一个连接晶圆，每个连接晶圆包括贯穿第二交替堆叠层的第二沟道孔(340)，所述连接晶圆在第二沟道孔(340)的底部上不具有外延层(160)；以及将至少一个连接晶圆与器件晶圆键合，使得在每个连接晶圆中的第二沟道孔(340)的侧壁上的第二沟道层(380)与器件晶圆中的第一沟道层(180)电连接。
用于形成三维存储器件方法

[发明专利]三维存储器的制备方法及气动机械装置-CN202011332486.0有效
发明人：宋冬门;周永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：三维存储器的制备方法包括:提供预处理的晶圆，晶圆包括层叠设置的衬底及堆叠层，其中，晶圆的翘曲度大于或等于目标值；在衬底背离堆叠层的一侧形成应力层；朝面向堆叠层的方向通入保护气体，以将晶圆悬置于反应腔内；并且，通入反应腔内的保护气体的温度大于常温，以预热晶圆；以及朝面向应力层的方向输入刻蚀介质，以刻蚀应力层；其中，输入的刻蚀介质的温度大于常温，以提高刻蚀应力层的速率。
三维存储器制备方法气动机械装置

[发明专利]一种晶圆级3D堆叠结构及其制作方法-CN202310932111.5在审
发明人：蒋兴龙;马书英 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级3D堆叠结构及其制作方法，该晶圆级3D堆叠结构包括主IC晶圆，主IC晶圆正面设第一钝化层，第一钝化层上设目标图形线路RDL，目标图形线路RDL上设第二钝化层，第二钝化层上设目标图形线路UBM，主IC晶圆背面设TSV通孔且其内形成第三钝化层，主IC晶圆背面设第四钝化层，第四钝化层内设目标图形RDL，器件与目标图形RDL相连，塑封层将第三钝化层、第四钝化层和器件包裹在主IC晶圆背面。本发明中，通过TSV通孔和晶圆级封装技术将若干器件集成封装在主IC晶圆上，集成后的封装面积与晶圆面积相同，能够提高晶圆的面积利用率，使封装面积更小，相同的面积可以贴装更多器件，显著提升产品性能。
一种晶圆级堆叠结构及其制作方法

[发明专利]集成电路组件、处理器和片上系统-CN202310672654.8在审
发明人：许晗;李双辰;张喆;卓有为;魏学超;牛迪民;郑宏忠 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B80/00 文献下载
摘要：所述集成电路组件包括三层晶圆层，所述晶圆层包括正面与背面，其中第一层晶圆层与第二层晶圆层正面对正面堆叠，所述第二层晶圆层与第三层晶圆层正面对背面堆叠，所述三层晶圆层经过硅通孔、重布线层以及混合键合互相连接，所述第二层晶圆层或者三层晶圆层中的慢速晶圆层包括直接内存存取主控制器，所述直接内存存取主控制器配置为接收所述其他层晶圆层的从端发送的数据传输请求，令所述第二层晶圆层或者三层晶圆层中的慢速晶圆层的从端进行数据传输本发明实施例第二层晶圆层或者慢速晶圆层的直接内存存取主控制器，令数据传输无需跨越三层晶圆层，减少了数据传输的距离。
集成电路组件处理器系统

[实用新型]一种晶圆盒-CN201620931692.6有效
发明人：张学良;高海林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆盒，所述晶圆盒包括盒体以及盖合于所述盒体上的盒盖，其中，盒体外侧的底部为一平面结构，于所述平面结构上具有至少一个由外向内凹陷的卡合槽；所述盒盖的外侧上具有至少一个凸起的固定块，当对多个所述晶圆盒进行堆叠时由于所述晶圆盒的底部不存在有凸起的结构，因此可改善晶圆盒的底部与放置台面之间产生较大的摩擦而损坏包装袋的问题，并且能够实现多个晶圆盒堆叠放置，有效利用空间。
一种晶圆盒