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[发明专利]晶体锗材料的表面非晶化的方法-CN202111106763.0有效
发明人：何力;骆军委;温书育;朱元昊;刘昊文;管闪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体锗材料的表面非晶化的方法，包括：在晶体锗材料表面形成保护层；采用等离子体浸没离子注入技术，向形成有保护层的晶体锗材料表面注入惰性气体原子，使晶体锗材料表面预设深度非晶化；刻蚀保护层，露出非晶化的晶体锗材料的非晶层表面。
晶体材料表面非晶化方法

[发明专利]四（甲氧基）含蒽基团甘脲分子夹晶体材料回收TNT的应用-CN202310272910.4在审
发明人：刘月舟;汪营磊;丁峰;刘卫孝;刘亚静 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明公开了四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体材料回收TNT的应用，属于晶体材料应用领域。本发明通过结晶方法制备四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体材料，将粉状晶体细粉分散于废弃物，搅拌实现四(甲氧基)含蒽基团甘脲分子夹晶体对TNT的吸附。本发明方法操作简单、安全可靠，晶体材料易得，吸附效率高效。
甲氧基基团分子晶体材料回收 tnt 应用

[发明专利]一种自支撑Janus光子晶体材料及其制备方法和应用-CN201910091183.5有效
发明人：王京霞;刘俊超;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种偶氮聚合物为材质的自支撑Janus光子晶体材料，该晶体材料包括有薄膜层以及覆盖在薄膜层表面的光子晶体层，所述光子晶体层具有反蛋白石多孔结构，且该光子晶体材料为光化学和光热结合的双驱动模式光子晶体材料的卷曲造成其结构色和光子禁带的变化，使结构色进而可以指示光子晶体材料卷曲进程。本发明提供的光子晶体材料有效的将光能转变为了机械能：光驱动的卷曲作用，在20s内可以使轴承转动670°；光驱动下，在倾角为10°的坡面上以0.571mm/s的速率爬坡。此外，本发明提供的自支撑Janus光子晶体材料制备方法简单、成本低廉、适合大规模制备。
一种支撑 janus 光子晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法-CN201910075768.8有效
发明人：吕洋洋;陈思思;林大钧;陈延彬;姚淑华;周健;陈延峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
一种氧化物热电材料 bicuseo 单晶体及其制备方法

[发明专利]光子晶体超快速响应调谐的方法及其装置-CN02157984.9无效
发明人：胡小永;张琦;刘元好;程丙英;张道中 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体超快速响应调谐的方法及其装置。该方法利用有机共轭材料自组织生长的方式制备所需的三维非线性有机共轭材料光子晶体，泵浦激光沿有机共轭材料光子晶体的[111]晶向入射该光子晶体，激发有机共轭材料的三阶非线性效应，从而改变光子晶体的光子带隙位置；调节泵浦激光的强度可改变有机共轭材料光子晶体的光子带隙位置，实现了有机共轭材料光子晶体的调谐，调谐响应时间可达到fs量级。实现该方法的装置包括泵浦光路、探测光路和信号处理系统，由泵浦光路调谐有机共轭材料光子晶体，探测光路提供探测信号，信号处理系统采集并处理数据；该光子晶体调谐装置设备简单，操作步骤简洁，数据测试简单快捷。
光子晶体快速响应调谐方法及其装置

[发明专利]具有大带隙调制作用及有机环境稳定性的光子晶体材料及其制备方法和应用-CN202010705155.0有效
发明人：王京霞;武萍萍;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：本发明公开一种具有大带隙调制作用及有机环境稳定性的光子晶体材料，所述光子晶体材料为具有反蛋白石结构的PEDOT光子晶体。该光子晶体材料具有大的带隙调制作用，同时在有机溶剂中可长期稳定保存。本发明还公开了该光子晶体材料的制备方法和应用。
具有大带隙调制作用有机环境稳定性光子晶体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种制备悬空应变材料的方法-CN201010223192.4有效
发明人：张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放
一种制备悬空应变材料方法

[发明专利]一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用-CN201910190110.1有效
发明人：佘峻聪;李国赫;黄一峰;邓少芝;许宁生;陈军 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电材料极化场调控二维原子晶体场发射的器件结构及其制备方法和应用，所述器件结构包括依次层叠设置的第一电极、铁电材料、二维原子晶体材料、绝缘层和第三电极，以及与所述绝缘层并排设置在所述二维原子晶体材料一侧的第二电极；所述第二电极与绝缘层覆盖所述二维原子晶体材料的面积之和小于所述二维原子晶体材料的面积；所述铁电材料与二维原子晶体材料之间仅存在范德华力；所述二维原子晶体材料的原子层层数为2～10层。本发明提供的器件结构制备工艺简单，能够实现二维原子晶体材料平面高效、低压的场发射调控，器件能耗较低，可作为片上集成场致电子发射结构在微纳真空电子器件上获得应用。
一种材料极化调控二维原子晶体发射器件结构及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化铝晶体材料、制备方法及用途-CN201110046546.7无效
发明人：张晚兰;马庆忠 -专利权人：马庆忠
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种作为制备蓝宝石晶体的氧化铝材料、制备方法及用途，属晶体材料技术领域。本发明的技术方案是：一种氧化铝晶体材料，其特殊之处是所述的晶体材料为α型氧化铝晶体材料，其三氧化二铝的含量≥99.999％，密度为3.98g/cm3。本发明所述的氧化铝晶体材料是在洁净的环境中通过净化和脱水去除23个结晶水、制备γ型氧化铝粉料、制备α型氧化铝晶体和洗涤烘干的工艺过程加工而成。本发明与现有技术相比具有高纯度、高密度，与现有进口的氧化铝晶体性能指标基本相同，可以完全替代进口，并且降低了蓝宝石晶体的价格，不仅可广泛的应用于红外军事技术、LED及高强度激光的窗口材料，而且为蓝宝石晶体材料的国产化
一种氧化铝晶体材料制备方法用途

[发明专利]3D互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法-CN202080091142.7在审
发明人： H·吉姆·富尔福德;安东·J·德维利耶;马克·加德纳;丹尼尔·沙内穆加梅;杰弗里·史密斯;拉尔斯·利布曼;苏巴迪普·卡尔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：初始堆叠在第一材料层与第二材料层之间交替，第二材料层具有与第一材料层不同的成分。初始堆叠被划分为第一堆叠和第二堆叠。通过使用第一材料层作为第一GAA晶体管的相应沟道区以及使用第二材料层作为第一GAA晶体管的相应替代栅极，来在第一堆叠中形成第一GAA晶体管。通过使用第二材料层作为第二GAA晶体管的相应沟道区以及使用第一材料层作为第二GAA晶体管的相应替代栅极，来在第二堆叠中形成第二GAA晶体管。第二GAA晶体管从第一GAA晶体管竖直地偏移。
互补金属氧化物半导体 cmos 器件及其形成方法

[发明专利]一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法-CN202310808881.9在审
发明人：胡小鹏;苏雅雯;叶志霖;祝世宁 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法，包括：利用光刻法在压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面制备极化电极轮廓；利用高温胶带分割压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面，获得不同极化区域；在极化电极轮廓上镀上第一金属电极；撕去高温胶带，得到极化电极结构；利用极化电极结构，制备有部分区域畴翻转结构的压电材料晶体，最终得到基于畴结构激发的声表面波器件。本申请先对钽酸锂的压电材料晶体或铌酸锂的压电材料晶体进行极化，然后通过剥离转移到基底上，并在压电材料晶体的表面镀上电极，以制备声表面波器件，本发明制备的平板电极更利于控制功耗。
一种基于周期性结构表面波器件及其制备方法

[发明专利]一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法-CN201210049146.6有效
发明人：刘朝轩 -专利权人：洛阳金诺机械工程有限公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：一种生长晶体材料时的温度引导装置及其方法，涉及一种晶体材料生长设备的辅助温控装置，在炉室(21)内坩埚(6)的上端设有上盖(23)，上盖的下部与坩埚的上端之间设有导热通路；所述发热体(22)分别连接电源的正负极，发热体对坩埚辐射加热，同步也对坩埚上部的晶体材料(7)加热，同时由上盖的上盖外沿(2)形成发热体上端热能向坩埚的上部聚拢，由坩埚与上盖之间的导热通路引导热能向坩埚内晶体材料上部的加热，坩埚内晶体材料上部的温度获取高于坩埚内下部的晶体材料温度；本发明由上盖形成发热体热能向坩埚内晶体材料的上部聚拢，使上部的晶体材料获取较快的温度上升，实现了温度引导和最大化利用热能的目的。
一种生长晶体材料温度引导装置及其方法

[发明专利]使用外延阻止层的选择性外延-CN201610141028.6有效
发明人：郑政玮;金志焕;J.A.奥特;D.K.萨达纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上设置二维材料，并打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料。在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性。
使用外延阻止选择性

[发明专利]钛材料，加工该钛材料制成的钛制品及该钛材料制造方法-CN201980099581.X在审
发明人：盛田元彰;铃木彰悟;竹场准也 -专利权人：国立大学法人东京海洋大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于，以低成本获得含有α‑Ti相晶体、室温下或低温下的延展性尽可能大的钛材料。本发明涉及的钛材料具有由α‑Ti相晶体构成的聚合组织，该晶体的晶格面(10‑10)在延伸方向优先取向，该晶体的晶格面(0001)相对表面大致平行。这样的钛材料可以将含有α‑Ti相晶体的钛材料在该α‑Ti相晶体能够维持α‑Ti相的温度下延伸，对通过延伸得到的钛材料进行退火处理制造。
材料加工制成制品制造方法

[发明专利]一种层状呋咱类含能材料晶体设计方法-CN202211260485.9在审
发明人：刘英哲;文琳元;师进文;张志翔;曹意林 -专利权人：西安近代化学研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状呋咱类含能材料晶体设计方法。该方法通过搜索层状呋咱类晶体结构、最大子结构搜索、晶体设计、晶体结构优化与筛选、性能评估步骤，实现了快速且准确的层状呋咱类含能材料晶体尺度的设计，克服了传统方法中设计未考虑晶体尺度影响、层状含能材料设计困难以及层状呋咱类含能材料数目较少的问题，为层状呋咱类含能材料设计提供了一种新思路。
一种层状呋咱类含能材料晶体设计方法