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[发明专利]具有低微坑密度(MPD)的锗锭/晶圆和其制造系统及方法-CN201080002216.1有效
发明人：刘卫国;李晓 -专利权人： AXT公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体
具有低微密度 mpd 制造系统方法

[发明专利]一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201610693821.7有效
发明人：周雪;李亚楠;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电能源领域，公开了一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及钙钛矿太阳能电池及其制备方法。钙钛矿光子晶体含有提供光子晶体结构的材料和分布于该提供光子晶体结构的材料中的具有钙钛矿结构的物质，其中，所述提供光子晶体结构的材料为电子传输层材料、空穴传输层材料和支撑材料中的至少一种。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透明导电衬底、二氧化钛致密层、钙钛矿光子晶体层、空穴传输层和对电极。本发明得到的钙钛矿光子晶体具有结构高度有序、载流子传输效率高、电子‑空穴复合少的特点，本发明得到的钙钛矿太阳能电池具有光电转换效率高与重复性和稳定性好的特点，而且生产工艺简单，成本低，适合大规模批量生产
一种钙钛矿光子晶体及其制备方法以及太阳能电池

[发明专利]一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法-CN202110622513.6在审
发明人：赵立东;秦炳超 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种可用于热电制冷材料的P型SnSe晶体及其制备方法，所述材料为Na掺杂和Pb固溶的SnSe晶体，Sn、Se、Pb和Na的摩尔比为(1‑x‑y):1：y：x；其中，0.015本发明提供的P型SnSe晶体可用于热电制冷材料，室温下，其功率因子PF≥70μWcm‑1K‑2，室温ZT值≥1.2；基于所得SnSe晶体搭建的单臂温差测试平台，可在2A的电流下实现～17.6K的制冷温差本发明通过改良定向凝固法，利用连续温区缓慢降温生长晶体，得到了较大尺寸的高质量SnSe晶体，且在全温区范围内热电性能优异，在无毒、价格低廉、环境友好、质量轻的新型SnSe晶体材料中实现了较好的热电制冷性能
一种用于热电制冷材料 snse 晶体及其制备方法

[发明专利]一种光转换层及制备方法、LED显示面板及制备方法-CN202010612946.9有效
发明人：翟峰;唐彪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种光转换层及制备方法、LED显示面板及制备方法，光转换层的光转换单元中包括多层胶体晶体以及分散在胶体晶体间隙中的光转换材料，胶体晶体的粒径能够保证该胶体晶体对蓝光LED芯片发出的光进行反射，这样射到胶体晶体上的蓝光会在经过一次或多次反射后重新射到光转换材料上完成转换。胶体晶体阻止了蓝光直接从光转换材料间隙漏出光转换层的可能，降低了蓝光的漏光，提升了像素点基本结构单元的色度纯度，也就提升了LED显示面板的色度纯度。同时，胶体晶体对蓝光的反射使得原本可能会从光转换材料间隙漏出的蓝光会不断经过反射直至射到光转换材料上完成转换为止，提高了光转换层对蓝光的转换效率及LED显示面板的色域。
一种转换制备方法 led 显示面板

[实用新型]一种高性能有机光电晶体管-CN202022952816.8有效
发明人：李尧;潘淼;汪再兴;张彩珍 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高性能有机光电晶体管，包括壳体，所述壳体内腔设置有晶体管主体，所述晶体管主体包括基层，所述基层顶部设置有柔性材料层，所述柔性材料层顶部设置有电荷传输层，所述电荷传输层底部两端设置有漏电极与源电极，所述电荷传输层顶部设置有介质层，所述介质层顶部安装有有机材料层，所述有机材料层内设置有栅电极，所述有机材料层顶部设置有保护层，所述晶体管主体顶部安装有透明罩，所述晶体管主体底部安装有封堵，且所述封堵与壳体之间固定连接，所述晶体管主体底部安装有引脚，且所述引脚贯穿封堵，所述壳体外侧设置有散热件，结构简单，设计合理，性能优良，同时方便散热，大大延长晶体管的使用寿命。
一种性能有机光电晶体管

[发明专利]提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路-CN200910088447.8有效
发明人：薛守斌;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高CMOS晶体管抗辐照的方法、CMOS晶体管及集成电路，属于集成电路制备技术领域。本发明CMOS晶体管的N型晶体管和P型晶体管的侧墙所选用的材料不同，具体为：N型MOS场效应晶体管的侧墙选用辐照后表现为不俘获电子的介质材料，而P型MOS场效应晶体管的侧墙则选用辐照后表现为不俘获空穴的介质材料本发明CMOS晶体管及集成电路的制备与常规CMOS工艺兼容，可有效提高抗辐照特性，且不增加额外的费用。
提高 cmos 晶体管辐照方法集成电路

[发明专利]一种聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料的制备方法-CN201610561571.1有效
发明人：吴德峰;徐春江;应泽人 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：一种聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料的制备方法，涉及生物可降解复合材料的制备方法，本发明将微晶纤维素经酸解形成纤维素纳米晶体，再将纤维素纳米晶体经过乙酰化改性得到乙酰化纤维素纳米晶体，然后再将乙酰化纤维素纳米晶体与聚己内酯溶解于有机溶剂中，取得混合溶液，再将混合溶液流涎成膜，经干燥，取得聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料。本发明可避免纤维素纳米晶体的不可逆团聚，最终得到的乙酰化纤维素纳米晶体在基体分散性更好。
一种内酯纤维素纳米晶体复合材料制备方法

[发明专利]一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用-CN201910214755.4有效
发明人：张弛;王天佑;吴超 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Bi4O(IO3)6(SeO4)，并可通过水热法制备得到，材料可用于激光频率转化器中。与现有材料相比，本发明制备得到的碘酸硒酸铋晶体材料具有强的倍频效应和大的激光损伤阈值，在1064nm激光照射下，倍频效应为已商业化材料KH2PO4(KDP)晶体的4.2倍，激光损伤阈值为已商业化材料AgGaS2晶体的51倍，此外，该晶体材料在可见光和红外区有较宽的透过范围，光学透过波段为
一种碘酸硒酸铋红外倍频晶体材料及其制备应用

[发明专利]一种氯化物晶体与玻璃复合透明光功能材料及其制备方法与应用-CN202111058555.8有效
发明人：周时凤;吕时超;唐俊州;杜观昕;林梓宇;杨中民;邱建荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C03C10/16 文献下载
摘要：本发明属于闪烁体材料的技术领域，公开了一种氯化物晶体与玻璃复合透明光功能材料及其制备方法与应用。所述透明光功能材料包括以下组分：氯化物晶体相50～99mol％，玻璃相1～50mol％，氯化物晶体相为碱金属氯化物或碱土金属氯化物中一种以上所形成的晶体相；玻璃相为氧化硼或五氧化二磷所形成的玻璃相；碱土金属氯化物为本发明还公开了材料的制备方法。本发明的材料透明性高、晶体含量高、晶体含量可连续调整、抗水侵蚀能力强，通过掺杂发光离子，发光性能好。本发明的材料用于制备闪烁体材料和/或激光材料。
一种氯化物晶体玻璃复合透明功能材料及其制备方法应用

[发明专利]薄膜晶体管及制造方法与应用方法-CN201710368636.5有效
发明人：刘旸;叶志;曹臻;金传洪 -专利权人：浙江大学;杭州雷赛微科技有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及制造方法与应用方法，其中薄膜晶体管包括带悬空绝缘材料薄膜的基底、导电材料源区、导电材料漏区以及半导体材料沟道。本发明通过利用导电材料作为源区和漏区材料，省去了对源区和漏区的高精度掺杂。将薄膜晶体管放入生物分子、离子或纳米颗粒的离子溶液中时，可实现对待检测物质的电学特性检测。本发明的薄膜晶体管的稳定性好、检测精准度高，制造工艺较为简单。
薄膜晶体管制造方法应用

[发明专利]一种在Er;Pr:GYSGG材料上制备II型光波导的方法-CN201810064965.5在审
发明人：刘嫱;耿敏明;于泳泽 -专利权人：广西大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明揭示了一种在Er,Pr:GYSGG材料上制备II型光波导的方法，其步骤为：1)将近红外低频飞秒激光通过高倍显微镜头聚焦在中红外晶体材料Er,Pr:GYSGG中，2)利用程控三维平台定向移动晶体，在聚焦区域形成折射率和应力变化，3)按并列结构扫描激光材料，形成II型光波导。本发明的方法首次将飞秒激光直写技术应用在中红外晶体材料Er,Pr:GYSGG上，飞秒激光可直接聚焦于晶体材料内部，因此II型波导可直接在晶体内部制备，并可制备3D结构。
制备飞秒激光光波导红外晶体聚焦程控三维平台高倍显微镜头并列结构定向移动技术应用晶体材料聚焦区域扫描激光应力变化折射率波导直写

[发明专利]一种有机-无机杂化半导体晶体材料及其合成方法与应用-CN201610297408.9有效
发明人：范乐庆;吴季怀 -专利权人：华侨大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机‑无机杂化半导体晶体材料及其合成方法与应用，该半导体晶体材料为[Pb3I10Cu2(phen)4]n，是通过温和水热制得。该半导体晶体材料在340nm的紫外光照射下，产生波长近410nm的荧光，实际上是将紫外光转化为可见光，故可广泛地应用于光能转换，可用于制作荧光发光器件。该半导体晶体材料可用于太阳能电池和光电开关。而且该半导体晶体材料具有磁铁性，研究它的合成可以有助于磁自旋器件的设计。
一种有机无机半导体晶体材料及其合成方法应用

[发明专利]半导体发光器件中生长的光子晶体-CN200680021717.8有效
发明人： J·J·小韦勒;M·R·克雷默斯;N·F·加德纳 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备美国有限责任公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在诸如III－氮化物结构之类的半导体结构内生长光子晶体，该半导体结构包括布置在n型区与p型区之间的发光区。该光子晶体可以是由具有与半导体材料不同的折射率的材料所分离的多个半导体材料区域。例如，光子晶体可以是在该结构中生长、且通过空气间隙或掩模材料区域分离的半导体材料的柱桩。生长光子晶体而不是将光子晶体蚀刻到早已生长的半导体层中，避免了由于蚀刻所导致的、可降低效率的损坏，并且提供了其上形成电触点的不间断的平坦表面。
半导体发光器件生长光子晶体

[发明专利]一种柔性压电传感器及其专用压电复合材料-CN201710024601.X在审
发明人：张美宁;关丽;徐木贞;康华 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性压电传感器及其专用压电复合材料。该压电复合材料包括压电晶体材料和聚合物驻极体材料。所述压电复合材料中，所述压电晶体材料的质量百分含量为0.5％～15％。所述压电晶体材料的粒径为40～10000目。所述压电复合材料还包括导电高分子材料。所述压电复合材料中，所述压电晶体材料的质量百分含量为0.5％～15％；所述导电高分子材料的质量百分含量为0.1％～1％；余量为所述聚合物驻极体材料。本发明压电纳米复合材料压电传感器采用压电晶体材料纳米颗粒和聚合物驻极体材料复合的方式，克服了常规压电式压力传感器硬度大，不具有柔性的缺点和常规聚合物压电材料压电性能差的缺点，具有良好的柔性和韧度，且压电性能相比于聚合物材料
压电复合材料压电晶体材料聚合物驻极体导电高分子材料柔性压电传感器压电性能压电式压力传感器纳米复合材料常规聚合物聚合物材料压电传感器材料复合纳米颗粒压电材料粒径韧度压电

[发明专利]基于二维晶体材料的自组装场效应管及其制造方法-CN201710190608.9在审
发明人：邓涛;张兆浩 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二维晶体材料的自组装场效应管，该场效应管利用氮化硅SiNx应力层驱动基于二维晶体材料的平面二维埋栅场效应管自组装为一种微管式三维场效应管，包括单晶硅衬底、应力层、介电层、二维晶体材料层、栅电极、源电极和漏电极；应力层、二维晶体材料层、应力层上的栅电极、介电层、二维晶体材料层上的源电极和漏电极成卷曲状。本发明还公开一种基于二维晶体材料的自组装场效应管的制作方法。本发明可以在较低成本下批量制造三维微管式场效应管，大幅度减小芯片占用面积，并将场效应管灵敏度高、适用性强的优点与二维晶体材料优异的电学、光学、磁学特性相结合以提高器件性能，拓展器件应用。
基于二维晶体材料组装场效应及其制造方法